本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
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【課題】 回転ステージの回転振れを測定するため、ＳＥＭ等で拡大観察可能な測定円の描画を好適に行って回転同期振れＲＲＯの測定を高精度に行い、描画補償により描画真円度を高める。
【解決手段】 回転ステージ41に載置した基板11に偏向制御したビームEBを照射して所定パターンの露光を行う露光装置40において、回転ステージ41を回転させつつ基板11上の回転中心付近にビームEBを照射し、基板11上に全体がＳＥＭ等で拡大観察可能な小径の測定円５を描画し、該測定円５の計測より回転同期振れＲＲＯを測定し、実描画に反映する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのパターンを電子顕微鏡（ＳＥＭ）から撮像し、得られたパターン画像を計測する方法において、そのパターン画像特有のチャージアップやフォーカスのボケによるパターン計測の信頼性の低下を防ぎ、パターン計測結果の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】計測対象のパターンのＳＥＭ画像を取得し、計測するパターンを輪郭線を抽出処理し、該輪郭線の各点の近傍領域の濃度値から判別分析処理を行い判別分析処理によって算出したη値を統計解析処理し、画質の定量化し、信頼度の判定処理することにより、前記パターン計測の結果の信頼度を向上させるが可能となるパターン画像計測方法。 （もっと読む）

【課題】 送電を停止させることなく、かつ当該電力ケーブルあるいは接続部の絶縁破壊を生じさせることなく、安全かつ確実に内部の欠陥位置の特定を可能にすること。
【解決手段】 電力ケーブルおよび接続部の部分放電測定により得られた図１の放電波形において、部分放電が発生していない電圧波形の位相に合わせて、電力ケーブルおよび接続部に放射線を照射する。そして内部の放射線写真を撮影し、この撮影された画像より電力ケーブルおよび接続部内部の欠陥を検出する。具体的には、電圧位相の一周期をＴ（５０ＨｚならＴ＝０．０２ｓｅｃ）としたとき、０（ｓｅｃ）〜０．１７８Ｔ（ｓｅｃ）、０．３２２Ｔ〜０．６７８Ｔ（ｓｅｃ）、または、０．８２２Ｔ〜１Ｔ（ｓｅｃ）のいずれかの間に放射線を照射する。また、特に劣化の著しいケーブルに対して、上記の電圧位相のうち、第２象限と第４象限に限定して放射線を照射する。 （もっと読む）

本発明は試料表面を検査する方法に関する。この方法は、試料表面に向けて誘導される複数の一次ビームを発生するステップと、複数の一次ビームを、試料表面上のそれぞれの位置に集束させるステップと、一次ビームが入射するとすぐ、試料表面から発生する荷電粒子の、複数の二次ビームを収集するステップと、収集された二次ビームの少なくとも１つを光学ビームに変換するステップと、光学ビームを検出するステップとを含む。
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流体機械における回転部品と静止部品との間の半径方向隙間（１８）の隙間寸法を検出する方法において、回転部品の表面に配置された送信装置（２２）から放射された原始信号が、静止部品上に配置された受信装置（２４）により変化して受信され、評価装置（４８）に伝えられ、この評価装置（４８）が受信信号から、回転送信装置（２２）の軌道曲線のパラメータの検出によって（軌道検出）、半径方向隙間（１８）の隙間寸法を検出し表示する。
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【課題】 画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。
【解決手段】 寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 同一寸法校正パターンへの位置決めを可能にする。
【解決手段】 不連続な格子状の寸法校正パターン26とその近傍に特定の位置決め用アライメントパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）