検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
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精度及び正確度に基づいて全体の測定不確実性（ＴＭＵ）を求めることによって、測定装置を評価し、最適化する方法及び関連したプログラムである。ＴＭＵは、線形回帰分析に基づいて、正味残余誤差から基準測定システムの不確実性（Ｕ_ＲＭＳ）を除去することによって計算される。ＴＭＵは、被試験測定システムが製品の実際のばらつきを検出する能力を有するかどうかについて客観的かつより正確に表示する。
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３次元オブジェクトを、単一視点方式の光学系を用いるシャドウグラフ法により、光伝搬の光学法則を使用して測定する方法である。
本発明によれば、オブジェクト（３２）、例えば可視光に対して半透明または透明の中空球を測定するために、光がオブジェクトを通過して伝搬する現象に関するスネル−デカルトの法則から、オブジェクトの幾何光学的パラメータを、オブジェクトの画像に対して直接行なわれる観察の結果に関連付ける方程式を導き、前記画像は、前記オブジェクトを、単一視点方式の光学系を用いるシャドウグラフ法を使用して観察することにより取得され、前記画像を取得し、観察を行ない、そしてオブジェクトの少なくとも一つの幾何学または光学パラメータを、方程式及び観察結果を使用して求める。 （もっと読む）

【課題】 薄膜と薄膜が形成されている基板の材料とが同じ材料を含んでいても、薄膜の微小領域における被覆率の測定を行うことができる薄膜の被覆率評価方法を提供する。
【解決手段】 検量線作成用の、シランカップリング膜２を形成したシリコン基板５をＳ−ＳＩＭＳ測定法で測定し、シランカップリング膜２に含まれる有機系のＰＦＰＥイオン強度値と、シリコンイオン強度値との検量線用イオン強度比（ＰＦＰＥイオン強度値／シリコンイオン強度値）を取得する。検量線用イオン強度比を基にして被覆率を求めるための検量線を作成する。次に、実際のシランカップリング膜２が形成されたシリコン基板５をＳ−ＳＩＭＳ測定法で測定し、シランカップリング膜２に含まれるＰＦＰＥイオンの強度値とシリコンイオン強度値の試料イオン強度比を取得する。作成した検量線を用いて、試料イオン強度比から被覆率を評価する。 （もっと読む）

油圧アセンブリ（１０）のシリンダ（１２）内のピストン（１４）の位置がマイクロ波パルスを用いて測定される。マイクロ波パルスは、ピストン（１４）またはシリンダ（１２）に接続された導体（２２）に沿って送り出される。スライド部材（４０）は、導体（２２）にスライド可能に結合され、ピストンまたはシリンダと共に移動する。位置は、導体の端部およびスライド部材からの反射の関数として測定される。
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油圧アセンブリのシリンダ内のピストン位置が、マイクロ波パルスを用いて測定される。前記マイクロ波パルスは、前記ピストンまたはシリンダに接続された導体に沿って発せられる。スライド部材は、前記導体にスライド可能に接続され、前記ピストンまたはシリンダと共に移動する。位置は、前記導体および前記スライド部材の端部からの反射の関数として測定される。
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【課題】
非破壊検査などでは、物体の透過データを測定して、画像処理により物体の２次元もしくは３次元の画像を作成、画像から物体上での対象物の位置、あるいは大きさなどの計測を行う。透過データを検出する検出面には幾何学歪がある場合、透過データに幾何学歪が内在する。従来の手法はこの検出面の幾何学歪を測定する手段と物体座標―画像座標を関連づける測定を個別に行っていたため、測定が煩雑でより誤差を含む課題があった。
【解決手段】
本発明では、物体座標を測定する物体基準治具と、検出面幾何学歪および検出座標と物体座標を同時に関連図ける検出面基準治具との組み合わせで、検出面の幾何学歪の計測と物体座標―画像座標との関連づけを同時に測定することを実現するため、より簡便で高精度な補正パラメータの測定とその補正パラメータを用いた幾何学補正を達成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線光学素子の位置決め精度を緩和でき、可干渉性の低いＸ線源でもＸ線干渉を実現でき、一般用途への実用化が図られるＸ線シアリング干渉計を提供する。
【解決手段】Ｘ線シアリング干渉計は、Ｘ線を分割するＸ線分割光学系１０と、Ｘ線分割光学系１０によって分割されたＸ線を干渉させるＸ線干渉光学系２０などで構成され、Ｘ線分割光学系１０とＸ線干渉光学系２０との間には物体Ｗが配置され、Ｘ線分割光学系１０は、間隔Ｄ１で配置された一対の人工格子１１，１２と、人工格子１２からの回折Ｘ線のうち所望の回折Ｘ線だけをブラッグ回折によって選択する結晶格子１３を含み、Ｘ線干渉光学系２０は、間隔Ｄ２で配置された一対の人工格子２１，２２と、人工格子２２からの回折Ｘ線のうち所望の回折Ｘ線だけをブラッグ回折によって選択する結晶格子２３を含む。 （もっと読む）