【目的】補正係数を算出するために費やす時間を短縮することが可能な方法を提供すると共に、補正係数を更新する方法を提供することを目的とする。
【構成】電子ビーム描画装置の構成から生じる位置ずれを補正するための近似式の係数を算出する本発明の一態様の電子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法は、ステージ上で描画される試料の描画領域に相当する領域全体に規則的に配列された複数のマークを荷電粒子ビームを用いてスキャンするスキャン工程（Ｓ１０２）と、スキャンされた各マークの位置のずれ量を装置の座標系でフィッティングして、フィッティングされた近似式の係数を算出する係数算出工程（Ｓ１０４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
より微細な基準寸法を有する測長用標準部材およびその作製方法を含む電子ビーム測長技術を提供する。
【解決手段】
光学的手段により絶対寸法としてピッチ寸法が特定された第１の回折格子の配列（１）よりなるパターンを配置した半導体部材を有し、かつ、前記パターンは、前記第１の回折格子の配列（１）内の一部に、前記第１の回折格子とは異なる第２の回折格子の配列（２）を所定の周期で内在させた構成を有する。前記第１の回折格子および前記第２の回折格子は、それぞれ所定の長さと幅を有し、それぞれ所定の間隔で周期的に配列されており、かつ、前記パターンの周辺部に前記パターンの位置を特定するためのマーク（３）が配置されている。また、前記パターンは、最小ピッチ寸法が１００ｎｍ以下である配列パターンを含む。パターン作製法として、電子ビーム一括露光法を用いる。 （もっと読む）

【課題】画像から短時間で画像の特徴点を抽出することを目的とし、特に、磁気記録ヘッドのコアの画像等、輝度値の投影データが特徴的な画像から、短時間で正確に画像の特徴点を抽出することを目的とする。
【解決手段】画像を入力し、該入力画像の各画素の輝度値を所定方向に積算して投影データ曲線を作成し、該投影データ曲線を部分ごとに直線近似し、該近似直線の交点を変曲点として抽出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な測定物の大きさの測定に適用することができて、作業者による測定値のばらつきが発生せず、測定精度が高い測長装置及び測長方法を提供する。
【解決手段】試料搭載部１６の上に結晶格子間隔が既知の単結晶試料２０を搭載し、ＳＴＥＭ検出器１７及び画像解析部１８により結晶格子像を取得する。画像解析部１８は、結晶格子像をフーリエ変換して回折スポット像を取得し、その回折スポット像の回折スポットの位置が理論上の回折スポットの位置と一致するように画像の倍率、縦横比及び歪みを補正する。そして、補正後の回折スポット像を逆フーリエ変換して実空間の画像とするとともに、スケールを逆数に変換して実空間のスケールとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発錆部位の検出と共に、発錆部位の補修の要否を判定できる表面が被覆された円筒部材の錆検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、表面が外被部材２被覆された円筒部材（１）の錆検査方法として、外被部材２の上から円筒部材（１）の表面の発錆部位を検出し、その後、外被部材２の上から発錆部位における円筒部材（１）の減肉量を測定するようにしたのである。
このように、発錆部位を検出した後、発錆部位における円筒部材（１）の減肉量を測定することで、発錆部位の補修の要否を判断することができ、外被部材を不用意に撤去する無駄な作業を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】探索画像中にテンプレートと類似したパターンが存在する場合でも正確なマッチング位置を出力する、探索画像においてテンプレートマッチングを行う検査装置を提供する。
【解決手段】テンプレート選択画像からテンプレートを切出すテンプレート切出し手段と、前記テンプレート選択画像における前記テンプレートとの類似度の分布である周辺類似度分布情報を算出する周辺類似度算出手段と、前記探索画像における前記テンプレートとの類似度の分布である探索画像類似度分布情報を算出する探索画像類似度算出部と、前記周辺類似度分布と前記探索画像類似度分布情報との間の類似度分布間類似度情報を算出する類似度分布間類似度算出手段と、前記類似度分布間類似度に基づいてマッチング位置を決定するマッチング位置決定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、試料７を載置するステージ５と、試料７と対向して配置する光電子生成電極５２と、紫外光を照射する紫外光照射手段５３と、紫外光照射手段５３に紫外光を所定の時間照射させて試料７及び光電子生成電極５２から光電子を放出させ、光電子生成電極５２に試料７が放出する光電子のエネルギーと光電子生成電極５２が放出する光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧を印加して、試料７の表面電位を０［Ｖ］にする制御手段２０とを有する。前記制御手段２０は、試料７の表面の電位を一定にした後、試料７の寸法測定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数のパターンが理想的に重ね合わせられている設計データを用いて、パターン画像に表れているパターン間のずれを評価する評価方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための本発明の一例として、上層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第１の距離を測定し、下層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第２の距離を測定し、前記第１の距離と第２の距離に基づいて、前記上層パターンと下層パターンの重ね合わせずれを検出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、従来の技術が有する上記問題点を解決し、管状物の内外径および肉厚を簡便かつ精度よく測定可能とする測定方法を提供すること
【解決手段】
本発明の解決手段は、放射線源から照射され、管状物を透過した放射線の強度を測定して認識された管状物の内径および外径についてのエッジ位置の情報を用いて算出することにより、管状物の内外径および肉厚を求めることを特徴とする、管状物の断面径および肉厚の測定方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に使用される寸法は、ますます微細化されている。寸法が微細化され、導電膜配線のエッチング時における下地膜のエッチングにより、導電膜配線パターンの寸法測定が正確に行えないという問題がある。
【解決手段】本発明の寸法測定パターンは、導電膜配線の寸法測定点となる導電膜配線の両端部を含む領域における下地膜を、導電膜配線のエッチングガスに対しエッチングされない材料とする。そのため測長ＳＥＭにて観察した時の２次電子画像のコントラスト波形が配線幅にあたるピークのみを安定して得られ、正確に導電膜配線の寸法測定が実施できる。 （もっと読む）