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国際特許分類[G01L21/00]の内容

国際特許分類[G01L21/00]の下位に属する分類

被測圧ガスを圧縮する圧縮室をもつもの
被測圧媒体を通る音波の伝達状態の変化の測定によるもの (3)
被測圧媒体の熱伝導率の変化の測定によるもの (35)
ガスの摩擦抵抗の変化の測定によるもの (7)
輻射計の機能,すなわちホッタからクーラへ流れる分子の運動量によって発生する圧力,を利用するもの;クヌードセン型真空計
イオン化効果を利用するもの (58)

国際特許分類[G01L21/00]に分類される特許

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【課題】電気デバイス内の高圧状態を判断するための方法、及び電気デバイス内の高圧状態を検出する装置を提供する。
【解決手段】遮断器内の高圧状態を検出する方法及び装置であって、高強度の超音波を、音波導波管を通じて真空遮断器の外壁に入射し、次いで、反射及び再送信される応答信号を聞き取る。応答信号の特性を利用して、この遮断器内の圧力を判断し、かつ望ましくない高圧状態の存在を判断する。 (もっと読む)


真空測定セルは、酸化アルミニウムからなる第1のハウジング本体(1)、およびその手前に縁部領域で真空を密封するように配置されて基準真空室(25)を形成する酸化アルミニウムからなるダイヤフラム(2)を含んでおり、酸化アルミニウムからなる第2のハウジング本体(4)は前記ダイヤフラム(2)に向かい合って縁部領域で真空を密封するように設けられるとともに、測定されるべき媒体のための接続手段(5)を備える測定真空室(26)を形成しており、前記第1のハウジング本体(1)には中央領域で光学的に透明な窓(33)が構成され、該窓の方を向いているダイヤフラム表面(31)は中央領域で光学的に反射をするように構成されており、前記基準真空室(25)の外部では前記窓(33)に向かい合いつつ間隔をおいて光ファイバ(37)が前記ダイヤフラム表面(31)へ光を出入力するために設けられており、前記光ファイバ(37)と前記窓の間にはレンズ(35)が前記ダイヤフラム表面(31)への光学的結合のために設けられており、この構造はファブリ・ペロ干渉計によって前記ダイヤフラム(2)の撓みを検出するための測定区間を形成するようになっている。
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【課題】 空間、特に真空チャンバー内の気体圧力や温度などの物理量の分布を計測するシステムを提供する。
【解決手段】 変形して形状維持が可能なパイプ状、又は棒状支持体の先端に微小センサーチップを装着したセンシングユニットを用い、これを複数の所望位置に配設し、所望空間の物理量の分布を計測する。 (もっと読む)


【課題】密封容器内が大気圧に近い低真空であっても、この密封容器内が所定の真空度に維持されていることなど、密封容器内の真空度を簡単に測定できるようにする。
【解決手段】容器内空間(3)を所定の設定真空度などに減圧し、容器口(6)へ密栓(7)を装着して封止した密封容器(2)を測定対象とする。本体保持手段(8)と密栓把持手段(9)と負荷手段(10)と移動検知手段(11)とを備える。本体保持手段(8)で密封容器(2)の容器本体(5)を保持し、密栓把持手段(9)で密栓(7)を把持する。負荷手段(10)で密栓(7)に容器本体(5)から離脱する方向へ引抜力(F)を加え、移動検知手段(11)で容器本体(5)に対する密栓(7)の移動を測定する。 (もっと読む)


【課題】 何ら破壊作業を伴わず、極めて簡便な手法で、密閉された真空構造体の真空空間の真空度を測定する技術を提供することにある。
【解決手段】 真空構造体である真空断熱パネル10は、その一部に凹状に設けられたベローズ部材20を有する。このベローズ部材20は伸縮自在であり、形状変化可能な形状変化部11を形成する。ベローズ部材20は、真空断熱パネル10の真空空間14の真空度に対して、真空断熱パネル10外の外気圧を受け、伸長した形状になる。しかし、真空空間14の真空度が低下すると、前記外気圧との差が縮まり、ベローズ部材20は収縮した形状になる。 (もっと読む)


【課題】 従来の真空計では、真空装置の複数箇所に多数設置されている場合に、それらの真空計の中から異常が発生した真空計を特定することは困難であった。
【解決手段】 少なくとも真空計1に異常が生じた場合にこの真空計を特定できるように、真空計本体11に全方向から視認可能な表示手段4を設ける。 (もっと読む)


改良された圧力トランスデューサ(50、70、80)が開示されている。トランスデューサ(50、70、80)は、コネクタ、筐体、センサ部(58)、およびセンサ部(58)を加熱するために配置された外部ヒータ(32、76)を含む。いくつかの態様では、センサ部(58)は、脆性材料からなるセンサを含み、センサ内部に充填したいかなる液も使用しない。その他の態様では、本発明は、非加熱高純度真空トランスデューサ(10)の加熱使用に適合するキット(30、52、72、82)を含む。キット(30、52、72、82)は、コネクタ部(36、84)およびコネクタ部(36、84)に連結されたヒータ部(32、76)を含む。コネクタ部(36、84)はまた1個以上のインジケータ(58)を含むことができる。
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