【課題】 受光可能散乱角度範囲を調整する手段を設けることによって、被測定物の性状に合った適切な測定を可能にする測定器を提供すること。
【解決手段】 レーザー１から被測定面Ｗに光が照射されると、散乱光が生じる。同一散乱角度θの散乱光束Ｓは、対物レンズ３によって位置Ｆ´に集光される。位置Ｆ´と略同位置には散乱角度制限絞り５が設けられており、集光位置Ｆ´が開口部５２の内部に位置している場合に限り、散乱光束Ｓは散乱角度制限絞り５を通過される。集光位置Ｆ´は散乱角度θのみによって決定されるため、散乱角度制限絞り５は、それを通過されて受光素子８で受光される散乱光の受光可能散乱角度範囲を規定する。受光可能散乱角度範囲は、開口部５２の形状の調整によって自由に調整できる。そのため、被測定物の性状に最も合った受光可能散乱角度範囲を設定し、測定を精度良くできる。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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【課題】臨界膜厚よりも薄い歪み半導体混晶薄膜の室温のバンドギャップエネルギーを簡便に測定する方法を提供すること。
【解決手段】半導体結晶基板１上に、厚さ２００ｎｍ、アクセプタ濃度１×１０^２０ｃｍ^−３のＧａＡｓＳｂからなるｐ型エピタキシャル膜２、測定対象であるドーピングを施していないＩｎ_０．８５Ａｌ_０．１５Ｐからなる混晶薄膜３、および、厚さ５０ｎｍ、ドナー濃度１×１０^１９ｃｍ^−３のＩｎＧａＡｓからなるｎ型エピタキシャル膜４を、この順序で順次形成されてなる試料５の分光反射スペクトルに現れるフランツ−ケルディッシュ振動のピークおよび谷に光子エネルギーが低い方から順に番号を付し、第ｊ番目のピークまたは谷に対応する係数〔(３π/２)(ｊ−１/２)〕^２／３と、第ｊ番目のピークまたは谷における光子エネルギーとの直線関係から混晶薄膜３のバンドギャップエネルギーを求めることを特徴とする半導体結晶測定方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】 I族元素、III族元素及びVI族元素を含むカルコパイライト構造の化合物半導体からなる半導体膜の品質を精度よく判断することができる検査システムと、これを用いた検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体膜(10)の周囲の温度を１００Ｋ以下に保つ温調部(11)と、半導体膜(10)に１．０ｅＶ以上の光子エネルギーを有する励起光(L₁)を照射して、半導体膜(10)中にキャリアを発生させる光照射部(14)と、前記キャリアが発する蛍光のうち、０．９〜１．３ｅＶの光子エネルギーを有する蛍光(L₂)を受光して、蛍光(L₂)の寿命値を測定する蛍光寿命測定部(15)と、蛍光寿命測定部(15)によって測定された蛍光(L₂)の寿命値が予め定められた所定値未満のときに半導体膜(10)を不良と判定する判定部(17)とを含む検査システム(1)とする。 （もっと読む）

新規な腫瘍特異性光学治療用および光学診断用成分を開示する。本発明の化合物は、可視化のためのカルボシアニン染料、光動力学的処置のための光増感剤、プローブの部位特異的送達のための腫瘍レセプター−探求（渇望）ペプチド、および病変組織に対する光毒性成分とからなる。これらの要素の組み合わせにより、効率のよい患者のケアマネージメントのために、各成分のユニークかつ有効な性質の利点が最大化される。 （もっと読む）

【課題】20ｋΩ・ｃｍ程度以上の高い抵抗率を有する半導体の伝導型を簡易かつ迅速に判定し得る伝導型判定方法および装置を提供する。
【解決手段】伝導型判定装置１は、パルス波形発生装置２と、増幅器３と、１対の対向電極４と、半導体被検体からの発光を検出する光検出器７と、信号増幅器８と、光検出器７からの発光出力波形およびパルス波形発生装置２からのパルス波形を同一時間軸上に表示するオシロスコープ９とからなる。１対の対向電極４および上記光検出器７は発光測定部１０を構成する。１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。 （もっと読む）

ウェーハ加工プロセスにおける更なるステップとして、ドーピングされた層の横方向急峻性を監視するために、どのような半導体ウェーハ加工プロセスをも変更することができる。一実施形態においては、１つ以上のドーピングされた領域を含むテスト構造が、製品ウェーハに形成され（例えば、１つ以上のトランジスタと同時に）、テスト構造の１つ以上の寸法が測定され、ウェーハのその他のドーピング領域における、例えば、同時に形成されたトランジスタにおける横方向急峻性の判断として使用される。テスト構造におけるドーピングされる領域は、お互いに一定の間隔を置いて規則正しく配置することができ、あるいは、隣接するドーピングされた領域間の間隔を変化させて配置されてもよい。あるいは、または、それに加えて、複数のテスト構造が、単一ウェーハに形成されてもよく、それぞれのテスト構造においては、ドーピングされた領域は、一定の空間的間隔で配置され、異なるテスト構造は、異なる空間的間隔を有する。
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本発明は、半導体ウェハ（１００）上に堆積または形成された膜（１０４）の光学特性を測定するためのシステム（２０１）および方法を提供する。膜の試験領域（２０６）内にあって、互いに重なり合わない複数の位置（２１６）において、上記膜の化学線照射量よりも低い放射線照射量で光学特性を測定する。この結果、上記測定によって上記膜内に化学変化が引き起こされることはない。従来技術による方法に対して上記測定を較正して、その結果を調整係数または較正係数によって調節してもよい。
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本発明は、例えばインビボ血液分析の目的で、流体の特性を決定することを可能にする。まず、流体が流れる関心ボリュームの位置が、対物レンズを利用することによって光学的検出ステップによって決定される。好適には、光学的検出ステップは、イメージングステップである。次に、対物レンズは、対物レンズの焦点を関心ボリュームに至らせるように移動される。この位置において、光学分光ステップが実施される。これは、光学分光を実施するための測定ビームが最適な効率のために光軸に沿って進むという利点を有する。
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本発明の側面は、マイクロ電子フィーチャのアレイの対称性／非対称性を測定するための方法及び機構を提供する。本発明の一実施形態は、マイクロ電子デバイスにおける三次元構造の非対称性を測定する方法を提供する。本方法により、光は、マイクロ電子デバイスのマイクロ電子フィーチャのアレイに向けられる。光は、複数のマイクロ電子フィーチャの全長及び全幅を含むアレイの一部を照射する。アレイから散乱し戻された光は、一又はそれ以上の反射角、一又はそれ以上の波長、或いはそれらの組み合わせから成る群より選択された条件で検出される。本方法はまた、反射の余角からのデータを調べることを含む操作を実行することにより、戻り散乱光の一又はそれ以上の特性を調べることも含む。
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