【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】二光子吸収断面積が大きく、かつ二光子吸収により生成した励起状態から効率よく光重合できる高高率な二光子吸収重合組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）二光子吸収材料、（Ｂ）重合性化合物、（Ｃ）重合開始剤を含む二光子吸収重合組成物であって、前記（Ａ）の二光子吸収材料が、非環状のパイ電子共役系を有し該共役系の末端の少なくとも一つが電子供与基で修飾された二光子吸収化合物と電子吸引性化合物とからなるものであることを特徴とする二光子吸収重合組成物。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の光路を動的に切り替えることができる光スイッチ機能エレメントを並列配置して、波長ルーティング素子と接続することによって、光回路を構成する。
【解決手段】本発明の一実施態様は、波長周回性を有する１個の波長ルーティング素子と、経路切替光スイッチと、経路選択光スイッチ１３とを備えた光回路である。前記経路切替光スイッチおよび前記経路選択光スイッチは、光導波路が２層以上積層された光導波回路と、該光導波回路に挿入された中空構造マルチモード光導波路とから構成された光スイッチ機能エレメントを含む。前記中空構造マルチモード光導波路は、対向する２つのブラッグ反射鏡と、該ブラッグ反射鏡を支える２つの反射板と、前記光導波回路のコアの端面とに囲まれた中空光導波路を備え、前記中空光導波路の高さＨ_MMIを可変制御して、垂直方向に光路を切り替える。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の波長依存性、位相誤差を低減して、使用可能な波長範囲を拡大できる光集積回路を提供することにある。
【解決手段】入力導波路１１ａ，１１ｂ、出力導波路１２ａ，１２ｂ、マルチモード干渉型光導波路部１３からなる、任意の数の入出力導波路を有する光集積回路であって、所望の光の波長範囲に対して、入力導波路１１ａ，１１ｂ、出力導波路１２ａ，１２ｂの少なくともどちらか一つの部分の導波路幅が光の伝搬方向に沿って変化し、前記入力導波路、前記出力導波路中の任意の点において、前記入力導波路の入力端からの入力フィールドの順伝搬のフィールドの波面と、前記出力導波路の出力端からの出力フィールドの逆伝搬させたフィールドの波面とが一致するように変動している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スラブ導波路及びアレイ導波路の接続部分の加工容易性を上げるとともに、ＡＷＧの所望の光学特性を得るために必要なアレイ導波路の本数を従来と同様にしても、回路サイズを抑えることを目的とする。
【解決手段】本発明は、スラブ導波路１と、スラブ導波路１の端部に接続される接続部２１−１（２１−２）と、スラブ導波路１の端部から離れた場所に位置し、スラブ導波路１の端部から離れる方向に分岐を生ずる分岐部２２−１（２２−２）と、を有するアレイ導波路２−１（２−２）と、を備えることを特徴とする光導波路Ｗである。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】テーパ構造のＣ型開口を有する９０°に曲がっている金属導波路、導波路の製造方法、導波路を利用した光伝送モジュール及び導波路を採用したＨＡＭＲ（熱補助磁気記録）ヘッドを提供する。
【解決手段】光を伝送する開口１１３が内部に形成された導電性金属からなる金属導波路１１１において、開口は、入力端１１１ａと出力端１１１ｂとの間で光の進行方向を変えるように曲がっている構造を有し、曲がっている部分と出力端との間で出力端側に幅が次第に狭くなるテーパ構造を有し、開口を形成する金属の内面にリッジ部１１４が突出して形成されることによって、開口がＣ型の形状を有する金属導波路である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）