【課題】少なくとも一対の光変調部における各直流バイアスを制御するのに際して、一方の光変調部のバイアス点を制御している間に、他方の光変調部に印加される直流バイアスの悪影響を防止することで、正確な制御を可能とすることである。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板上に形成された光導波路４と、光導波路に対して変調信号を印加することで光波を変調するための並列に配列された少なくとも一対の光変調部２Ａ、１Ｂと、一対の光変調部２Ａ、２Ｂで変調された光波を合波する合波部を設ける。一対の光変調部２Ａ、２Ｂにおける各直流バイアスを制御する。一方の光変調部２Ａに印加される直流バイアスを変化させ、他方の光変調部２Ｂに低周波信号を重畳することで、合波後の光波の光量変化を検出する。この検出された光量変化に基づき、一方の光変調部２Ａの直流バイアスを制御する。 （もっと読む）

【課題】種光の非発生時の漏れ光を低減する。また、光源装置の出力のスペクトル幅の調整を可能とし、この調整によって前記出力のスペクトル幅の増大が低減するように設定することも可能とする。
【解決手段】光源装置１は、種光発生装置１０と、種光発生装置１０により発生された種光Ｌ２を光増幅する光増幅部２０と、光増幅部２０により光増幅された光を波長変換する波長変換部３０とを備える。種光発生装置１０は、単一波長のパルス光Ｌ１を発生するパルス発生部１１と、パルス光Ｌ１の一部を選択的に通過させて切り出すパルス変調部１２と、操作に応じて、パルス発生部１１によるパルス光Ｌ１の発生タイミングに対するパルス変調部１２によるパルス光Ｌ１の切り出しタイミングを相対的に調整するタイミング調整部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易且つ低コストな回路構成で、高いサイドバンド抑圧度の値を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明の光ＳＳＢ変調器４０は、９０度移相器１３ａで高周波信号ＨＳを０°と９０°とに移相し、９０度移相器１３ｂで複数のキャリアである中間周波数のＢＳ−ＩＦマルチキャリア信号ＩＦを０°と９０°とに移相する。これら移相信号の内、０°の高周波信号ＨＳ０と９０°のＢＳ−ＩＦマルチキャリア信号ＩＦ９０とを重畳し、これを第１の電気信号としてネスト型ＭＺ光変調器３１の第１の電極３１ｇへ出力する。また、９０°の高周波信号ＨＳ９０と０°のＢＳ−ＩＦマルチキャリア信号ＩＦ０とを重畳し、これを第２の電気信号として第２の電極３１ｈへ出力する。これによって第１又は第２の電気信号での変調信号光の何れか一方を抑圧して光ＳＳＢ変調信号光Ｌ４を得るようにした。 （もっと読む）

【課題】高い二次電気光学効果を安定的に示すＰＬＺＴを基板上に形成した構造体、およびそれを用いた光制御素子を提供する
【解決手段】基板３２と、基板３２の上部に形成された光変調膜４６とを含む構造体であって、光変調膜４６は、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含む多結晶ＰＬＺＴからなり、膜中のＬａの含有率が５原子％以上３０原子％以下であり、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率が１２００以上であることを特徴とする構造体。 （もっと読む）

【課題】自己整合でエッチング可能かつ製造方法の容易な光変調装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２上に配置される強誘電体膜３と、強誘電体膜３上に配置される上部電極４とを備えた強誘電体キャパシタを含む光変調装置であって、上部電極４が、強誘電体膜３のエッチングマスクとして強誘電体膜３と自己整合パターニングされた導電膜を含んでいることを特徴とし、さらに強誘電体キャパシタを駆動するための制御回路を半導体基板１０上に有するとともに、強誘電体キャパシタを、下部電極２と上部電極４間に印加する電界に応じて強誘電体膜３の屈折率が変化するファブリーペロー型の共振器６として機能させる。 （もっと読む）

【課題】パイロットトーンを使用せずに、光変調動作の最適バイアス電圧の補償制御を行って、回路規模の低減化、制御の簡易化を図る。
【解決手段】駆動部１３は、入力データ信号にバイアス電圧を加算して駆動信号を生成する。光変調部１０は、駆動信号に応じて、光源部１２から出力された入力光を変調し、信号光として出力する。正転側モニタ部１４ａは、光変調部１０の正転側の信号光のモニタを行って、正転側信号を出力する。反転側モニタ部１４ｂは、光変調部１０の反転側の信号光のモニタを行って、反転側信号を出力する。バイアス制御部１５は、光変調部１０の動作点が動作特性曲線に対して一定の位置にあるときの正転側信号と反転側信号との比率である目標値に対して、測定したモニタ比が目標値になるようにバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】偏波分散により、二つの光信号の偏光状態が直交状態から崩れても、光信号同士が相互に与え合う影響を抑えることを課題とする。
【解決手段】波形変換部３０２は、ＲＺパルス成形を行うパルスカーバー部３０５を駆動させる周期的な電圧変動としてのクロック信号に変化を与える。パルスカーバー部３０５は、バイアス電圧印加部３０４からバイアス電圧を印加され、波形変換部３０２によって変化が与えられ、かつ、増幅部３０３で増幅されたクロック信号で駆動し、デューティが変化したＲＺパルスを出力する。 （もっと読む）

第一の材料及び第二の材料の交互層を含む可変フォトニック結晶デバイスであって、該交互層が応答性材料を含み、該応答性材料は外部刺激に応答性があり、該交互層は第一の反射波長を生じさせる屈折率の周期的な違いを有し；
ここで、該外部刺激に応じて、該応答性材料の変化が、第一の反射波長から第二の反射波長にシフトする、該デバイスの反射波長を生じさせる、前記デバイス。 （もっと読む）

２つのパルスレーザ（１４)またはレーザのセットは、直交関係にある偏光状態を有するパルス（２０）のビームを伝播させる。ビームコンバイナー（２４）は直交するビームを結合して、共通のビーム経路（１６）に沿って伝播し光変調器（３０）と交差する結合ビームを形成する。その光変調器は、どちらか一方のビームの選択されたパルスの偏光状態を選択的に変更し、直交するビームから同様に偏光されたパルスを含む合成ビーム（１８）を提供する。合成偏光ビームは、いずれのレーザによって提供されるものよりも大きい合成平均パワーと合成繰り返し率を有する。光変調器は、選択的に、いずれか一方のレーザからのパルスの偏光状態を制御して、下流側の偏光子（３２）を通過させる又は阻止させることができる。さらなる変調器は、パルスのパルス整形を容易にしてよい。システムは、単一レーザまたはレーザ対とビームコンバイナー及び変調器とのセットの追加によって拡張することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの動作を最適にして、出力電力が大きく電源効率の大きい光マイクロ波変換装置を得る。
【解決手段】光信号発生装置１でマイクロ波の周波数によって強度変調された光信号を発生し、この光信号を光強度変調器４でオンオフ変調することにより半波整流形状に近い形状で強度変調された光信号を発生する。逆バイアス電圧を印加したフォトダイオード５に上記光信号を入力し、フォトダイオード５からマイクロ波電気信号を出力する。 （もっと読む）