【課題】高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。
【解決手段】スピン注入磁化反転素子１１は、下地層２１と、固定磁化膜層２２と、非磁性中間膜層２３と、自由磁化膜層２４とがこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有し、固定磁化膜層２２と自由磁化膜層２４における磁化の方向が膜面に垂直な方向であり、下地層２１は、銀膜層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ルツボの損傷をさせることなく育成できるビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供する。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
Ｂｉ_３−ｘＲ_ｘＦｅ_{５−ｙ−ｚ}Ｍ１_ｙＭ２_ｚＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属（Ｅｕを除く）及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１:Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｒから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ２：Ｖ、Ｎｂから選択される一種または二種の元素、
０．５＜ｘ＜２．５、０≦ｙ＜２．０、０＜ｚ≦０．０５）
で表されるものに、さらに２価の陽イオンとなる元素を含むものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する光変調素子が、単独でも階調表示を行うことが可能な空間光変調器を提供する。
【解決手段】磁気光学効果により光の変調を制御する磁気光学型の空間光変調器１０であって、空間光変調器１０を構成する画素２０が、光変調素子１３を備え、光変調素子１３は、画素２０のサイズよりも小さく、かつ、光変調素子１３の上面および下面が、それぞれ直径１００ｎｍの円の面積以上の面積を有し、光変調素子１３は、光変調素子１３に流れる電流の大きさにより、磁区の状態を単磁区状態または多磁区状態として、当該単磁区状態および多磁区状態を光の階調に割り当てることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力の大幅な増加や装置の大型化を招くことなく、入力光について外部変調による高速変調を実現することができる網膜走査型画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像情報に応じた駆動信号を生成する駆動信号生成部と、前記駆動信号に応じた強度のレーザ光を出射する光源部１１０と、光源部１１０から出射されたレーザ光を２次元方向に走査する走査部と、この走査部によって走査されたレーザ光を観察者の眼の網膜へ投射して、画像を投影する投射部とを備え、光源部１１０は、光源１２０と、光源１２０から出射したレーザ光の強度を前記駆動信号に基づいて変調する磁気光学変調器１４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置等を小型化できる、反射型の磁気光学式空間光変調器を提供する。
【解決手段】光の入出射側に偏光フィルタ９１を配置して、偏光フィルタ９１を透過した入射偏光Ｌ_inを入射されて、反射した光を偏光フィルタ９１に再び透過させて取り出す空間光変調器であって、入射した光の偏光方向を異なる２値の角度θ_P，θ_APで回転させて出射する光変調素子１を備えた画素４上にファラデー回転子５を備える。入射偏光Ｌ_inおよび画素４からの反射光が透過するファラデー回転子５のファラデー回転角θ_Fを（±４５°−θ_P／２）とすることにより、画素４でθ_P旋光して反射した光が入射偏光Ｌ_inに対して９０°旋光した出射偏光Ｌ_out0となって偏光フィルタ９１で遮光される。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、その含有量を2.54atppm以上4.0 atppm以下に設定し、且つ、Pt含有量を0.91atppm以上2.68atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表したとき、[M]と[Pt]との関係式Δ


の値を-0.31atppm以上2.08atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】光位相の連続可変と高速制御が可能であるとともに、温度等の環境条件からの影響を受けにくく、さらに、偏波無依存型への適応および自由空間型や光ファイバ型への適応がいずれも無理なく行える可変光位相器を提供する。
【解決手段】入力光である直線偏光を四分の一波長板１１で円偏光に変換し、この円偏光の偏光面をファラデー回転子２０で任意角度回転させてから四分の一波長板１２で直線偏光に変換することにより、その四分の一波長板１２によって直線偏光に変換された出力光の位相をファラデー回転子２０の回転角に応じて変化させる。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ高速応答のスピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、上下に接続された電極２，３からの電流で磁化反転層５３の磁化方向を反転させ、入射光を向きを変えて旋光させて出射する。磁化固定層５１とこれに中間層５２を挟んで積層された磁化反転層５３とは、Ｐｄ膜とＣｏ膜とを交互に積層したＣｏ／Ｐｄ多層膜とすることで強い垂直磁気異方性を有し、極カー効果により、および磁化反転層５３がカー回転角の大きいＣｏ／Ｐｄ多層膜で構成されることにより、光変調度が向上する。さらに磁化反転層５３において、Ｃｏ膜の膜厚ｔ_Cofを磁化固定層５１のＣｏ膜の膜厚ｔ_Copより厚くすることで、またはＰｄ膜の膜厚ｔ_Pdfを磁化固定層５１のＰｄ膜の膜厚ｔ_Pdpよりも薄くすることで、保磁力Ｈcfを磁化固定層５１の保磁力Ｈcpより小さくして磁化反転電流を抑える。 （もっと読む）

【課題】 より大きい旋光角度が得られるべく、高い磁気光学性能を有するスピン注入型光変調素子を提供する。
【解決手段】 スピン注入により磁化方向が反転されるスピン注入型の空間光変調素子(ＳＬＭ: Spatial Light Modulator)であって、素子は、スピン注入により磁化方向が反転される磁化方向可変層（２０）と、磁化方向が固定された磁化方向固定層（４０）と、これらの磁化方向可変層と磁化方向固定層に挟まれた非磁性中間層（３０）と、を有する積層体素子本体からなり、磁化方向可変層は、透明性を有する磁性半導体材料から構成される。 （もっと読む）