【課題】ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、磁化固定層１１と中間層１２と磁化自由層１３とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層１１がＴｂ_x(Ｆｅ，Ｃｏ)_1-x（０．２０≦ｘ≦０．２５）の組成を有するＴｂＦｅＣｏ合金からなることを特徴とする。磁化固定層１１をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層１３への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層１３の正の磁化反転電流Ｉ₁と負の磁化反転電流Ｉ₀をほぼ同じ大きさとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＧＧ単結晶よりもベルデ定数が大きな磁気光学素子用の結晶体及び、等軸晶系以外の結晶体を磁気光学素子に適用する方法を提供する。
【解決手段】磁気光学素子用の複合酸化物であってその化学組成がＭＶＯ_４（ＭはＳｃ、Ｙ、ランタノイドから選択した１種類以上の元素）である単結晶であって、フローティングゾーン法（ＦＺ法）等の融液からの結晶成長法によって単結晶化される。更に、当該単結晶を用いることにより、磁気光学素子の構成を単結晶の結晶方位のｃ軸をレーザの伝搬方向と一致させたレーザ用の磁気光学デバイスが得られる。 （もっと読む）

【課題】精密な階調表現を可能にする空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器は、複数の画素２０が所定パターンで二次元配置された構造を有する。画素２０は光変調素子１３ａ，１３ｂを具備し、光変調素子１３ａ，１３ｂを駆動したときに光変調素子１３ａ，１３ｂが取り得る状態の組合せによって、反射光の強さの異なる明状態、暗状態及び中間状態の中から選択される所定の光状態を取り得る。空間光変調器では、これらの光状態によって光の階調が作り出され、複数の画素２０のうちの所定画素２０を所定の光状態としたときに、この所定画素２０に隣接する少なくとも１つの画素２０が具備する光変調素子１３ａ，１３ｂを駆動しないことによって、光の階調を制御する。 （もっと読む）

【課題】光変調素子による磁気光学効果を改善する。
【解決手段】光変調素子１０は、１層以上の磁性膜１２を含む磁化固定層と、非磁性膜１３からなる中間層と、光の入射側に配置された１層以上の磁性膜１４を含む磁化反転層とがこの順番に積層された磁性多層膜４と、磁性多層膜４に電流を流すための磁化反転層側の透明電極７と、磁化固定層側の金属電極からなる下部電極３とを備え、透明電極７を介して磁性多層膜４に入射する光を変調する。この磁性多層膜４は、非磁性膜１３が、膜厚６ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｇからなる。この光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてカー回転角が増加し、光変調度を大きくすることができる。また、Ａｇスペーサを用いた光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてＭＲ比が２倍に増加するので、磁化反転層の磁化方向を反転し易くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、位相変調子の変調効率が変化した場合であっても、また、光伝播経路、特に位相変調子と１／４波長板との消光比が悪化した場合であっても、安定かつ高精度な測定を実現するサニャック干渉型光電流センサを提供する。
【解決手段】位相変調子駆動回路は、検出光量を位相変調角周波数で同期検波した際の、２次高調波の振幅と４次高調波の振幅が同じになるよう前記位相変調子の位相変調深度を制御する。演算回路の規格化手段は、前記位相変調子駆動回路により制御された信号の３次高調波の振幅を、２、４、６次の偶数次高調波の振幅のいずれか、又は２次と４次高調波の振幅の和で除算することで基準値を算出する。そして、規格化された前記基準値を被測定電流の大きさに比例した値として出力する。 （もっと読む）

【課題】光変調において、高速な動作が可能であり、かつ消費電力を少なくすることができ、また多段階階調性を得ること。
【解決手段】変調する光を透過しかつ導電性を有する透明電極層１４と、強磁性を有しかつ導電性を有する磁性酸化物層１３と、酸化材料を含む酸素供給層１２と、酸素供給層１２から供給される酸素により酸化される導電性膜からなる酸化性電極層１１とがこの順に設けられる。酸化性電極層１１および酸素供給層１２はいずれも非磁性であり、透明電極層１４は垂直磁化性を有するものとすることができる。また、透明電極層１４が透明基板１５の表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の加熱や、電流注入によって生じる熱等による磁気抵抗効果素子の特性劣化を防止することができる磁気抵抗効果素子構造体、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた磁気ランダムアクセスメモリ、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】固定層１０１と、中間層１０２と、反転層１０３とが積層された磁気抵抗効果素子１０を有し、固定層１０１に、遷移金属と希土類金属との磁性合金、Ｍｎを含む磁性合金、または、磁性多層膜のうちのいずれかを用いた磁気抵抗効果素子構造体１であって、磁気抵抗効果素子１０の上面に設けられた上部電極１１および磁気抵抗効果素子１０の下面に設けられた下部電極１２の間に、当該電極間を絶縁するための絶縁材１３を備え、絶縁材１３は、ＭｇＦ_２誘電体材料１３ａであり、ＭｇＦ_２誘電体材料１３ａは、固定層１０１の側面に当接して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遅延干渉計において、温度制御による位相調整よりも応答速度を速くする。
【解決手段】入力された信号光が第１光路及び第２光路を伝搬し、相対的な遅延を有して干渉する遅延干渉計であって、第１光路における信号光を円偏光に変える第１変更手段と、円偏光に対して磁気光学効果により光位相をシフトさせる位相調整手段と、位相シフトされた円偏光を直線偏光の信号光に変える第２変更手段と、第２光路における信号光の偏光状態を、直線偏光の偏光状態と同じにする第３変更手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の主要な光学部品を１個のホルダに固着することで加工精度の積み上げを無くし、調整箇所を最小限にすることにより容易に製作でき、コストダウンと特性の安定化を図る。
【解決手段】平行に配置された２本の入出力用の光ファイバ１０と、複屈折素子１２、レンズ１４、ファラデー素子１６、及びミラー１８を、その順序で光軸に沿って配設し、光が入出力用の光ファイバとミラーとの間を往復する型式の反射型光デバイスである。レンズ、ファラデー素子、及びミラーを保持する単一のホルダ２０を用い、該ホルダの一方の側にはレンズが、それと反対側にはミラーがそれぞれ位置し、前記レンズ、ファラデー素子、及びミラーは、前記ホルダに直接無調整で固着されており、光ファイバの前記ホルダに対する光軸方向の位置と光軸に垂直方向の位置の調整で必要光学特性を発現させる。 （もっと読む）

【課題】0.5Ｗを超える戻り光が存在しても順方向入射側の偏光保持光ファイバーが破壊されない偏光依存型インライン光アイソレータを提供する。
【解決手段】ファラデー回転子11の順方向入射側と出射側に偏光子８と検光子10が配置され、偏光子の順方向入射側に偏光保持光ファイバー１とコリメートレンズ３を組み合わせた第一光ファイバーコリメータが配置され、検光子の順方向出射側に偏光保持光ファイバー２とコリメートレンズ４を組み合わせた第二光ファイバーコリメータが配置された構造の偏光依存型インライン光アイソレータであり、回折格子型偏光子により上記偏光子８を構成し、かつ、回折格子型偏光子８と第一光ファイバーコリメータのコリメートレンズ３間に孔100を有する遮蔽板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）