【課題】搬送により発生するパーティクルが基板へ付着するのを広範囲にわたり低減させ、メンテナンス時、低減させたパーティクルの処理を容易にできる基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理基板をトレイに搭載した状態で、排気可能な処理室の間を、トレイごと搬送しながら処理基板に処理室内で所定の処理を施す基板処理装置であって、トレイの搬送路の下方に、該トレイの搬送路の方向に沿って同じ磁極で向き合う磁性体を配置し、かつ、その上を非磁性材料からなる部材で覆われているパーティクル吸着体が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

ディスプレイにおいて、能動マトリクス配列の断線の集積修復構造が、有効表示領域ＺＡ周辺でハーフリングを有する導体修復要素Ｅ_ｋを使用する。各修復要素は、ハーフリングの２本のオープンレッグと交差する配列の導線の１個のグループだけの修復に割り当てられる。断線は次いで、修復要素のハーフリングの２本のオープンレッグを用いて当該導線の２個の交差箇所の各々で接続を行うことにより修復される。ループ閉鎖は少なくとも、２本のオープンレッグを接続するセグメントにより行われる。
修復構造は、導線上の浮遊結合および帯電を最小化し、多数の導線の修復が可能でありながら安価である点が好都合である。特に、大型ディスプレイまたは高解像度ディスプレイに適している。
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【課題】活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１０の上又はその上方に活性層となるアモルファス酸化物薄膜１３を形成する工程と、そのアモルファス酸化物薄膜１３を電磁誘導加熱する工程とを少なくとも有する。電磁誘導加熱工程は、プラスチック基板１０にプラスチック基板１０のガラス転移温度以上の温度を一定時間与えず、且つアモルファス酸化物薄膜１３をアモルファス相のままでその抵抗率を上昇させ且つ安定化させる工程である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光透過率損失を減少させることを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁層４４上に配置された画素電極３６と、絶縁層４４下で画素電極３６に対向する容量電極４８と、絶縁層４４とは反対側で画素電極３６に対向する対向電極３８と、画素電極３６と対向電極３８の間に配置された液晶２０と、を有する。画素電極３６は、データ信号Ｄが入力される主画素電極３５と、主画素電極３５とは分離された副画素電極３７と、を含む。容量電極４８は、主画素電極３５に対向して共通電位Ｖcomに電気的に接続する主容量電極５０と、副画素電極３７に対向して共通電位Ｖcomに電気的に接続する副容量電極５２と、副画素電極３７に対向し、絶縁層４４を貫通して主画素電極３５に電気的に接続する分割容量電極５４と、を含む。画素電極３６、容量電極４８及び分割容量電極５４は、それぞれ透明導電材料からなる。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、表示ムラを抑制できる液晶表示パネルおよび表示品位の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素において、第１の枝配線７ｄ・７ｅが形成されている領域の面積が第２の枝配線７ｇ・７ｈが形成されている領域の面積より大きく、第１の枝配線７ｄ・７ｅ中、第２の幹配線７ｆと重なる方位に伸びる第１の枝配線７ｄ・７ｅの先端と第２の幹配線７ｆとは、５μｍ以上離されており、第１の枝配線７ｄ・７ｅ中、第２の枝配線７ｇ・７ｈに最も隣接する第１の枝配線７ｄ・７ｅと第２の枝配線７ｇ・７ｈ中、第１の枝配線７ｄ・７ｅに最も隣接する第２の枝配線７ｇ・７ｈとは、微細スリット１４の幅より広く離されている。 （もっと読む）

【課題】 清掃が必要なプローブを備えたプローブ組立体だけを選んで、簡単な操作で効率良くプローブのクリーニングを行うことができるプローブ清掃ユニットを提供することを課題とする。
【解決手段】 パネル検査装置のプローブユニットに対し、少なくとも前記プローブ組立体のそれぞれに対応する位置の間で移動可能に取り付けられるアーム部と；前記アーム部に取り付けられた本体部と；前記本体部に直線状に往復動可能に支持された移動ベースと；前記移動ベースを前記本体部に対して直線状に往復動させる手段と；前記移動ベースを前記本体部に対して直線状に往復動させたときに、前記移動ベースに取り付けられる第１清掃手段が前記プローブ組立体の複数のプローブの先端と接触するように、前記アーム部と前記移動ベースとの距離を調節する距離調節機構を備えているプローブ清掃ユニットを提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂層付アクティブマトリクス基板への樹脂層形成時の不良率を低減する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板上に、光重合開始剤、光重合性モノマー、バインダー、及び紫外線吸収剤を含む感光性樹脂層を形成する工程と、該感光性樹脂層をパターン露光する工程と、該感光性樹脂層を現像し該感光性樹脂層にコンタクト部を形成する工程とを有し、該感光性樹脂層の波長３６５ｎｍでの光学濃度（ＯＤ）が０．８〜４であり、かつ該パターン露光時の露光マスクと該感光性樹脂層の距離が２０〜２００μｍである樹脂層付アクティブマトリクス基板の製造方法である。
【数１】
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【課題】ヒロックに対して４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層を塩素系ガスでプラズマエッチングする場合、フェンスと呼ばれる反応生成物が堆積した領域が生じる。フェンスの存在により、ＡｌＮｄ層をゲート電極としてＴＦＴを形成した場合、ゲート電極脇に電気的に不安定な領域ができることから、ＴＦＴの電気的特性が不安定になる場合があるという課題がある。
【解決手段】ＡｌＮｄ層２０３を層厚０．４５μｍ以上０．８μｍ以下、Ｎｄの含有量を０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下に形成した。この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】断線部を修正できるアクティブマトリクス表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に格子状に設けられた走査線又は補助容量線と信号線とで囲まれた領域に絵素電極を設け、前記走査線又は前記補助容量線、前記信号線、および前記絵素電極にそれぞれスイッチング素子を接続したアクティブマトリクス表示装置は、前記走査線又は前記補助容量線の少なくとも一部をバイパスできるバイパスパターンを備え、前記バイパスパターンは、前記信号線が設けられている層と同じ層に、前記信号線の材料と同じ材料で形成され、前記バイパスパターンは、前記走査線又は前記補助容量線のパターンに実質的にカバーされ、前記バイパスパターンの長さは、隣接する２つの信号線の間の距離の少なくとも半分である。 （もっと読む）