【課題】本発明は、描画中に成形偏向器ドリフトを補正して描画位置及びショットサイズのずれのない描画を行う。
【解決手段】描画中に、半導体ウエハ１１からの反射電子量を反射電子量検出器２０により測定し、この測定された反射電子量と予め測定したショットサイズＳに対する反射電子量の関係とからドリフト量算出回路２４によりドリフト量（ｘ´，ｙ´）を求め、このドリフト量により電子ビームのショットサイズＳを各補正回路２５ａ，２５ｂにより補正し、このショットサイズに従って成形偏向器６を偏向調整する。 （もっと読む）

【課題】 大きい寸法から微小な寸法にわたって確実にパターン形成を行うことができる。
【解決手段】 第１，第２の成形アパーチャ103,105 と偏向アンプ120 により電子ビームの寸法を制御し、この可変成形ビームにより試料109 上にパターンを描画する電子ビーム描画方法において、アパーチャ103 の像をアパーチャ105 上で走査してビーム電流量とビーム寸法の関係曲線を求め、実際寸法がリニアに変化する線形範囲で偏向アンプ120 のゲインとオフセット値を求めて仮の原点を定義し、次いでラインビームを仮の原点位置で幅方向と直交する方向に走査してビーム電流量とビーム寸法の関係曲線を求めると共に、関係曲線の一部がビーム電流ゼロと接するビームの幅を求め、これによって決まるオフセット値と先に求めたオフセット値との差分を補正し、偏向アンプ120 を再調整して真の原点を再定義する。 （もっと読む）

【課題】 位相シフトマスクおよびフォトマスクを併用してもレジストパターンの寸法精度を大幅に向上させる。
【解決手段】 石英板１４の板厚を変え、球面収差量をザイデル収差係数で表して−0.０２５λ〜−0.０４５λとなるように設定する。それにより、位相シフトマスクを用いて形成した0.２０μｍパターンならびにフォトマスクにより形成した0.２５μｍパターンの両方の寸法ばらつきを同時に小さくでき、１台のエキシマレーザステッパ１によって位相シフトマスクならびにフォトマスクを併用してもいずれの寸法精度も大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子線描画装置で、偏向移動量による遅れを描画結果によらずに計測し、自動的に偏向移動量に依存する補正データを作成する。
【解決手段】位置決め偏向器８により成形ビーム９を偏向させ基準マーク１２の境界部に照射させる。その時の反射電子信号強度変化を信号処理回路１７に記憶させ、読みだした反射電子信号強度変化より偏向レスポンス遅れを計測する。このような処理を偏向量を変えて繰り返し実行し、偏向移動量に依存する調整データを自動的に作成し、位置決め偏向制御回路１６に設定する。 （もっと読む）

【課題】高精度、高密度の加工が必要な半導体素子製造用の露光装置において、第２波長帯光（画像検出光）として波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの光を用いることが可能な従来より高精度な画像検出が可能な露光装置用物品を得る。
【解決手段】基材上に、２位の水素原子が炭素原子で置換された２Ｈ−クロメン誘導体を含有する感光層を有する露光装置用物品を用いることにより高精度、高密度の加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光源による投影レンズの照明光吸収による光学特性の変動分を検出して、その光学特性の変動分に対応した結像状態の変化を補正する。
【解決手段】 投影光学装置は、パルスレーザ光を射出する光源部と該パルスレーザ光の波長特性を調整してマスクＲを照明するためのパルス照明光を生成する波長制御部とを含むレーザ照明手段１； 感光基板Ｗに対するパルス照明光を制御する手段と； 投影光学系６通るパルス照明光に応じた積算光量を所定のタイミング毎に検出するために、パルス照明光のー部を検出するフオトディデクタと； 該検出された積算光量に基づいて投影光学系６の光学特性の変化を計算し、照明光吸収によって生じる投影光学系６の光学特性の変動分に対応した前記結像状態の変化を補正する補正手段１２備えた。 （もっと読む）

【目的】 多用途に用いることができる結像装置用の印刷部材を提供する。
【構成】 レーザー放射により直接結像可能な印刷部材は、最頂部の第１の層（４０８）、該第１の層の下に積層した金属層（４０４）及び該金属層の下に積層した基体層（４００）を備える。該金属層（４０４）は、チタン又はチタン合金からなり、結像放射線をアブレーション的に吸収する。該第１の層（４０８）及び基体層（４００）は、インク及びインク不粘着性流体から選択される印刷流体に対する異なる親和性を呈する。 （もっと読む）