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国際特許分類[G03F7/42]の内容

国際特許分類[G03F7/42]に分類される特許

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【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物(A)と、刺激により活性化し、アルコキシシランの縮合物(A)を架橋させる第1の刺激剤(B)と、第1の刺激剤(B)を活性化する刺激とは異なる刺激により活性化する第2の刺激剤(C)とを含む感光性組成物1を基板2上に塗布した後に、該感光性組成物1に第1の刺激剤(B)を活性化する刺激を与えることにより、感光性組成物を硬化させて得られた硬化物からなる膜1Cに、第2の刺激剤(C)を活性化する刺激を与えて、硬化物からなる膜1Cを基板2から剥離する、膜1Cの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】
半導体デバイスの配線形成工程において、ドライエッチングにより配線およびビアホールを加工した際に発生するフォトレジスト層並びにチタン由来の残渣物、またはプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した際に残存するフォトレジスト残渣物並びにプラズマガスにより変質したチタン由来の残渣物を、低温、短時間で完全に剥離し、且つ層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイスの部材を腐食しないフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法を提供する。
【解決手段】
フッ素化合物、硝酸、リン含有化合物、水溶性有機溶剤および残部を水とすることを特徴とするフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法。 (もっと読む)


【課題】優れた解像度を維持したまま除去性を十分に向上させることが可能な感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法並びに光硬化物の除去方法を提供する。
【解決手段】(A)共役ジエン部位を有する化合物及び求ジエン部位を有する化合物、(B)光ラジカル重合性化合物の光重合反応を開始させる光重合開始剤、を含有する感光性樹脂組成物であって、(A)共役ジエン部位を有する化合物及び求ジエン部位を有する化合物において、その一方、又は両方が、光ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を分子内に有する化合物、またはディールス・アルダー反応により環を巻いた構造となっている化合物である、感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】FPDのための配線基板製造工程において、基板上に形成されたCu又はCu合金配線を腐食させることなくフォトレジストを剥離する事ができるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。
【解決の手段】マルトール、2,6−ジメチルガンマピロン、4−ヒドロキシ−6−メチル−2−ピロン、4−ヒドロキシクマリン、2,4−ジヒドロキシキノリン、2−アミノ−4,6−ジヒドロキシピリミジン、2,4−ジアミノ−6−ヒドロキシピリミジン、2−アミノ−4−ヒドロキシ−6−メチルピリミジン、4,6−ジメチル−2−ヒドロキシピリミジン、ウラシル及び6−メチルウラシルからなる群から選択される少なくとも1種の複素環式化合物を0.05〜10重量%、一級又は二級のアルカノールアミンを5〜45重量%、並びに、極性有機溶剤及び/又は水を50〜94.95重量%含有するフォトレジスト剥離剤組成物。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチング処理時の支持体ダメージの発生を抑制可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部6を形成する第1のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部6を除去し支持体露出部を形成する第2のエッチング工程とで行う。 (もっと読む)


【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Wが処理チャンバー11にローディングされると、プレート14に吸着保持された基板Wは基板加熱用ヒータ19からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Wの温度が300℃以上で、かつ450℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ19を駆動制御する。基板Wの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側(下層側)に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 (もっと読む)


【課題】
半導体集積回路、液晶パネル、有機ELパネル、プリント基板等、特にチタンおよび/又はチタン合金を含有する配線基板で、ドライエッチング後に残存するレジスト由来の残渣物および/または銅やアルミニウムなど金属由来の残渣物を、チタンおよび/又はチタン合金を腐食することなく除去することが出来る残渣除去用組成物を提供する。
【解決手段】
(1)15重量%〜20重量%の過酸化水素、(2)0.1重量%〜10重量%の四級アンモニウム水酸化物、(3)0.05〜5重量%の無機酸、(4)0.0001重量%〜0.1重量%の過酸化水素の安定剤を含有し、pHが8〜9である残渣除去用組成物を使用する。 (もっと読む)


【課題】アミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト剥離能力が十分でなく、溶媒、特に有機溶媒と反応して溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】ポリ(シアノアルキル)エチレンアミンを含んでなるレジスト剥離剤を用いる。ポリ(シアノアルキル)エチレンアミンとして、N,N’−ビス(2−シアノエチル)−エチレンジアミン、N,N,N’−トリス(2−シアノエチル)エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(2−シアノエチル)エチレンジアミン、N,N’−ビス(2−シアノエチル)ピペラジン、N,N'−ビス(2−シアノエチル)−N’'−(2−アミノエチル)ピペラジン、N,N',N'−トリス(2−シアノエチル)−N’'−(2−アミノエチル)ピペラジン等の1種以上を用いる。 (もっと読む)


基板を様々なプロセスに曝露するプロセスシステムが記載されている。前記基板上にプロセス材料を分配するため、当該処理システムと結合し、かつ当該プロセスシステムと共に利用されるように備えられた気体分配システムが供される。当該プロセスシステムは、プロセスチャンバ、該プロセスチャンバと結合するラジカル生成システム、該ラジカル生成システムと結合して基板の上に反応性ラジカルを分配するように備えられた気体分配システム、及び真空チャンバと結合して前記基板を支持するように備えられた温度制御された台を有する。当該気体分配システムは、前記基板へラジカルを効率的に輸送して前記基板の上に前記ラジカルを分配するように備えられている。
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【課題】基板の洗浄を良好に行うことができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、複数種類の薬剤(たとえば、硫酸と過酸化水素水)を反応させて生成した洗浄剤(たとえば、カロ酸)を用いて基板(ウエハ7)の洗浄を行う基板洗浄装置(1)において、前記複数種類の薬剤を混合する混合手段(31)と、混合した前記薬剤を前記基板(ウエハ7)の表面に供給する供給手段(32)と、前記基板(ウエハ7)の表面に供給した前記薬剤を前記基板(ウエハ7)の表面で加熱する加熱手段(14)とを有することにした。特に、前記混合手段(31)は、混合した薬剤の反応を抑制するための反応抑制手段(33)を有し、この反応抑制手段(33)は、混合した薬剤を冷却するための冷却手段(30)とした。 (もっと読む)


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