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国際特許分類[G03F7/42]の内容

国際特許分類[G03F7/42]に分類される特許

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【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜1を形成する工程と、上記酸化膜1上にレジストパターン2を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン2をマスクとして上記酸化膜1をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン2を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン2を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れた剥離性、安全性及び防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】式(1)で表される2−アルコキシ−N,N−ジメチルアセトアミド及び水を含み、前記2−アルコキシ−N,N−ジメチルアセトアミド及び水の重量比が30:70〜100:0であるレジスト剥離剤。


(式中、Rはアルキル基である。) (もっと読む)


本方法において、スズまたはスズ混合物のための使用済みの剥離液は処理されて、溶解または懸濁した金属化合物を沈殿させる。一方において再生使用のための化学物質が、他方において、銅、スズ、鉛および/または鉄などの金属が廃液流から回収される。沈殿効率は、上昇温度にて剥離液の加熱と、沈殿試薬の添加とにより改善される。沈殿物が除去されると、残存液は、通常新しい溶液と混合されてリサイクル可能となる。少なくとも1つの無機酸、第二鉄イオン、少なくとも1つの有機酸および少なくとも1つの有機添加剤を含む再生されたスズ剥離液の製造方法において、剥離液は上昇温度にて加熱され、沈殿試薬が添加され、沈殿物が分離および除去され、前述の1つまたは複数の酸または添加剤が、所望のスズ剥離能力の回復のために添加される。 (もっと読む)


【課題】環状オレフィン系重合体を含有してなる組成物に対し非常に優れた除去性を発揮し、絶縁基板を充分に洗浄することができるシンナー組成物を提供すること。
【解決手段】1−メトキシ−2−プロパノール及びN,N−ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる少なくとも1種を含有してなる、環状オレフィン系重合体含有組成物除去用シンナー組成物。 (もっと読む)


【課題】
環状オレフィン系重合体を含有する組成物に対し優れた溶解性を有し、かつ乾燥性にも優れるシンナー組成物、及びこのシンナー組成物を用いて環状オレフィン系重合体含有組成物が付着した被洗浄物を洗浄する工程を有する半導体装置又は平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
2種のアルコールエーテルと2種のアルコールエステルを含有してなることを特徴とする環状オレフィン系重合体含有組成物除去用シンナー組成物、及びこのシンナー組成物を用いて環状オレフィン系重合体含有組成物が付着した被洗浄物を洗浄する工程を有する半導体装置又は平面表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】
優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることが可能な電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
レジスト剥離処理装置1は、レジスト剥離液H1の粘度μを測定する粘度計6、粘度μに基いてレジスト剥離液H1の水分率Pを求め水分率Pに基いて水分を調整する水分補給部4、制御部7を備えている。従って、粘度計6により粘度μを求め、粘度μが所定値より大きいときに水分補給部4からレジスト剥離液タンク3に水を補給しレジスト剥離液の粘度μを所定値以下にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。このとき、制御部7により、図2のレジスト剥離液H1の粘度μと水分率Pとの相関関係から、レジストの溶け込み量に依存せずに、粘度計6で測定した粘度μから水分率Pを正確に求める。 (もっと読む)


【課題】剥離性に優れたレジスト剥離液を提供すること。また、レジストの剥離性に優れ、回路構造を損傷しないレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】一次粒子径が5〜1,000nmである粒子と、アミン化合物及びアルキレングリコール類よりなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物を含有する剥離性に優れたレジスト剥離液及び灰化処理の工程を含まず、剥離性に優れ、回路構造を損傷しない、前記レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法。 (もっと読む)


【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】SPMノズル5からウエハWの表面にSPMが供給される。また、SPMの供給終了後は、超音波振動が付与された約200℃の硫酸が超音波硫酸ノズル6からウエハWの表面に供給される。ウエハWの表面にSPMが供給されると、硬化層に形成された多数の微細孔を通って、SPMが硬化層の内部に浸透する。硬化層の内側の生レジスト(未硬化のレジスト)が除去され、ウエハWの表面には、空洞化した硬化層だけが残存する。超音波振動が付与された硫酸がウエハWの表面に供給されると、超音波振動の物理的なエネルギーによって、ウエハWの表面上に残存するレジストの硬化層は、粉砕されて、ウエハWの表面から除去される。 (もっと読む)


【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物(A)と、刺激により活性化し、アルコキシシランの縮合物(A)を架橋させる第1の刺激剤(B)と、第1の刺激剤(B)を活性化する刺激とは異なる刺激により活性化する第2の刺激剤(C)とを含む感光性組成物1を基板2上に塗布した後に、該感光性組成物1に第1の刺激剤(B)を活性化する刺激を与えることにより、感光性組成物を硬化させて得られた硬化物からなる膜1Cに、第2の刺激剤(C)を活性化する刺激を与えて、硬化物からなる膜1Cを基板2から剥離する、膜1Cの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】ワークピースの背面から重合体を除去するための方法を提供する。
【解決手段】本方法は背面の周縁環状部を露出した状態で、真空チャンバ内においてワークピースを背面で支持することを含む。本方法は更に、ガス流をチャンバ直径の約1%のワークピース縁部の間隙内にワークピース縁部で閉じ込めることを更に含み、間隙により正面側を含む上方処理ゾーンと背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界が規定される。第1プラズマを下方外部チャンバ内において重合体エッチング前駆体ガスから発生させ、エッチャント副生成物を第1プラズマから下方処理ゾーンへと導入する。第2プラズマをエッチャント副生成物の捕捉剤の前駆体ガスから上方外部プラズマチャンバ内で発生させ、捕捉種を第2プラズマから上方処理ゾーンへと導入する。 (もっと読む)


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