【課題】有機被膜の剥離性が低下することを抑止して、効率的に基体上の有機被膜を除去する方法を提供する。
【解決手段】基体に付着した有機被膜を、有機溶剤からなり、かつ、オゾン処理による再生処理を施した剥離液と接触させて除去するに際して、該剥離液中のカルボン酸成分及びそのエステル成分の合計を３０質量％以下に維持しつつ有機被膜を剥離液と接触させる。
剥離液として、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の炭酸アルキレンを用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の一方面から薄膜を均一に剥離して除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持プレート２によって、保持プレート２に近接した位置に吸着保持されたウエハＷをヒータ１６によって加熱し、その表面温度を所定の第１温度に昇温させる。そして、このウエハＷの表面に供給プレート３を近接して対向配置させた状態で、供給プレート３の対向面１９に形成された複数の吐出口２０から、前記第１温度に昇温されたウエハＷの表面にＳＰＭを均一に供給する。ウエハＷに供給されたＳＰＭはウエハＷによって加熱され、レジスト剥離能力を十分に発揮できる前記第１温度に昇温される。したがって、ウエハＷの表面上の何れの位置であっても、レジストを良好に剥離して、ウエハＷの表面からレジストを均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト剥離剤組成物、これを用いる配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト剥離剤組成物は、ブチルジグリコール５０重量％以上７０重量％以下、アルキルピロリドン２０重量％以上４０重量％以下、有機アミン化合物１重量％以上１０重量％以下、アミノプロピルモルホリン１重量％以上５重量％以下及びメルカプト化合物０．０１重量％以上０．５重量％以下を含む。これにより、フォトレジスト剥離能力に優れ、フォトレジスト膜が残留フォトレジストなしに完全に除去され、銅導電膜の酸化及び腐蝕が抑制されることによって、配線の信頼性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去用組成物及びこれを使用したレジストの除去及び分解方法に関し、より詳細には、カーバメート系化合物を含むレジスト除去用組成物に関する。本発明のレジスト除去用組成物は、オゾンによる工程中にレジストの除去によって発生するレジスト残留物を選択的に分解して、処理枚数を飛躍的に向上させて、金属配線または酸化膜の腐食を防止する効果がある。
【解決手段】（ａ）環状ラクトン系化合物及び（ｂ）アミド系化合物、カーバメート系化合物、またはこれらの混合物を含むレジスト除去用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたは銀を含む金属層の形成された基板に対して腐食を発生せず、かつ効果的にフォトレジスト膜を除去することが可能なフォトレジスト用剥離液を提供すること。
【解決手段】（Ａ）界面活性剤を１質量％以上３０質量％以下、（Ｂ）防食剤を０．０５質量％以上１０質量％以下、（Ｃ）水を５質量％以上６０質量％以下、および（Ｄ）水溶性有機溶剤を３０質量％以上９５質量％以下含有するフォトレジスト用剥離液である。 （もっと読む）

【課題】処理槽内のペルオキソ一硫酸酸濃度の推移を予め検出し、その検出結果を指標として基板上の有機物を除去するための適正な処理時間を設定することを可能にした電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む処理液が収容され、過酸化水素水の供給でペルオキソ一硫酸を生成する処理槽内で基板表面の有機物を除去する電子デバイスの製造方法で、基板表面の有機物除去時における処理槽内の処理液を逐次サンプリングし、サンプリング液中の硫酸および過酸化水素をキャピラリーゾーン電気泳動分析により検出し、この検出結果からペルオキソ一硫酸の濃度変化を予め測定する工程と、硫酸を含む処理液が収容された処理槽内に過酸化水素水を供給し、有機物が付着された基板を挿入し、取り出す際、過酸化水素水の供給時期を予め測定した前記ペルオキソ一硫酸の濃度変化に基づいて基板の挿入から取り出しの間にペルオキソ一硫酸の濃度ピークが現れるように設定する工程とを含む。 （もっと読む）

ウエハ(W)から膜(66)を除去する間に処理液体循環システム(73,73’)へ放出される膜の残骸物(66a)の量を減少させることによってフィルタ(80)の洗浄又は交換の頻度を減らす方法が供される。当該方法は、基板処理システム(1)の処理チャンバ(46)内で、上に膜(66)が形成されたウエハ(W)を、処理液体(64)に曝露する工程を有する。前記ウエハ(W)は、回転しないか、又は第1速度(608a,908a,1208a)で回転される。前記処理液体(64)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体循環システム(73)へ放出される。その結果、前記処理液体(64,64a,64b)への前記ウエハ(W)の曝露は中断され、前記ウエハ(W)は前記第1速度(608a,908a,1208a)よりも速い第2速度(608b,908b,1208b)で回転することで、該ウエハ(W)から前記膜(66)の残骸物(66a)が遠心状に除去される。それに続いて、前記ウエハ(W)は同一又は異なる処理液体(64,64a,64b)に曝露され、かつ前記処理液体(64,64a,64b)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体廃液管(78)へ放出される。
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【課題】少なくとも導電性金属膜としてタンタルを含む金属層が形成された基板上のフォトレジスト膜の残留物及びエッチング残渣物を効果的に除去することが可能なフォトレジスト用剥離液、及びこれを用いた基板の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のフォトレジスト用剥離液は、（ａ）４級アミン水酸化物を０．５重量％以上２０重量％以下、（ｂ）水溶性有機溶剤を１０重量％以上８０重量％以下、及び（ｃ）水を１５重量％以上８０重量％以下含有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む金属層の形成された基板に対して、さらにはその他の金属を含む金属層が形成された基板に対して腐食を発生せず、かつ効果的にフォトレジスト膜を除去することが可能なフォトレジスト用剥離液を提供すること。
【解決手段】（Ａ）糖アルコールを０．１質量％以上１０質量％以下、（Ｂ）アルカノールアミンを３質量％以上２０質量％以下、（Ｃ）水を５質量％以上４０質量％以下、および（Ｄ）水溶性有機溶剤を６０質量％以上９５質量％以下含有するフォトレジスト用剥離液である。 （もっと読む）

【課題】短い時間で基体から有機被膜を除去できる有機被膜除去方法及び有機被膜除去装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽１１内部を真空脱気してから、基体５に向かってＩＰＡ供給ノズル１３からＩＰＡガスまたはＩＰＡ液を噴射することで、硬化層表面における疎水性の影響を受けにくくし、大きい拡散速度で、硬化層に作られた細孔にすばやく浸透させ、硬化層より下部の有機被膜層に拡散・溶解させ、その有機被膜層を膨潤させることによって、硬化層を遊離させる。その後、オゾン水供給ノズル１４からオゾン水を噴射することにより、イオン注入の影響による硬化が生じていない残存した有機被膜層を、容易に酸化分解によって除去する。 （もっと読む）