シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】 半導体製造における基板工程（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ ｏｆ Ｌｉｎｅ）におけるレジスト、反射防止膜の剥離は、従来は硫酸と過酸化水素水からなる混合溶液（ＳＰＭ洗浄液）により行われてきたが、生産性が低く、コスト的にも不利であり、なおかつ濃厚で高温処理が必要であった。特にイオン注入されたレジストは、イオン注入していないレジストよりもレジスト除去が困難であり、ＳＰＭ洗浄液でも剥離性が不十分であった。
【解決手段】 アンモニア、アセトニトリルを含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 半導体回路素子の製造工程においてドライエッチング後に残留するフォトレジスト及びフォトレジスト変質層等の剥離性に優れ、かつ新しい配線材料や層間絶縁膜材料等に対してもアタックがないフォトレジスト剥離液組成物及びフォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離方法を提供する。
【解決手段】 アセチレンアルコール化合物及び有機スルホン酸化合物のうちの少なくとも１種と、多価アルコール及びその誘導体のうちの少なくとも１種とを含有する、フォトレジスト剥離液組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物除去性能に優れた感光性組成物除去液を提供する。
【解決手段】アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステル類、アルコキシカルボン酸エステル類及び脂環式ケトン類から選ばれる少なくとも１種の溶剤及び鎖状アミド類、環状アミド類、含硫黄化合物及び環状エステル類から選ばれる少なくとも１種の溶剤、及び所望により、炭素数９以上の芳香族炭化水素類を含有する、顔料を含有する有色感光性組成物の除去のための感光性組成物除去液。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物除去性能に優れた感光性組成物除去液を提供する。
【解決手段】アルキレングリコールモノアルキルエーテル類及び芳香族炭化水素類、及び所望により、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステル類、アルコキシカルボン酸エステル類、脂環式ケトン類及び酢酸エステル類から選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有する、顔料を含有する感光性組成物の除去のための感光性組成物除去液。 （もっと読む）

【課題】 剥離液の濃度低下を無くし、レジスト剥離効果を向上する。
【解決手段】 処理チャンバー１と、この処理チャンバー１を横断して設置され、基板を搬入し、搬出するための基板搬送装置２と、処理チャンバー１内に設置されて基板１３の表面に剥離液を吹き付ける第１のノズル４と、処理チャンバー１内で第１のノズル１の基板１３の搬送方向下流側に設置されて水蒸気を吹き付ける第２のノズル５とを具備したノズル機構３と、第１のノズル４に供給する剥離液を加熱する剥離液加熱器１０および剥離液を加圧する剥離液加圧器１１と、第２のノズル５に水蒸気を供給する水蒸気発生器１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 優れた解像度（特に２０μｍ以下）を維持したまま除去性を十分に向上させることが可能な感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 ２以上のエチレン性不飽和結合を分子内に有する光重合性化合物と、光重合開始剤と、を含有する感光性樹脂組成物であって、光重合性化合物の分子内には、１３０〜２５０℃の温度条件で加熱した場合に切断される結合を有する下記一般式（１）で表わされる特性基が更に含まれている。


［式（１）中、Ｒ^１はアルキル基を示し、Ｒ^２は水素又はアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】配線間の電流リークが少なく、しかも配線へのダメージを少なくして、配線デバイスとしての信頼性を高めた配線を形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面にバリア膜を形成し、該バリア膜の表面に配線材料を形成して該配線材料を前記配線用凹部の内部に埋込んだ基板を用意し、基板表面に形成した余剰の配線材料及びバリア膜を除去して配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成し、基板上の汚染物質を、カルボン酸を含む雰囲気下でカルボン酸と加熱反応させて除去する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストストリッパー組成物及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストストリッパー組成物はアセトンとイソプロピルアルコールとの混合溶液からなる。アセトン対イソプロピルアルコールとの体積比は約５０：５０〜約９５：５からなる。この方法は半導体基板上に被エッチング層を形成することを含む。被エッチング層上にフォトレジスト膜を形成する。フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記被エッチング層をエッチングする。半導体基板をアセトンとイソプロピルアルコールとの混合溶液からなるフォトレジストストリッパー組成物槽に浸してフォトレジストパターンを除去する。半導体基板をイソプロピルアルコール槽に移動させて洗浄する。半導体基板を脱イオン水槽に移動させて洗浄する。半導体基板を乾燥する。 （もっと読む）

【課題】 基板上のオーバーハング状のレジストパターンを短時間で剥離、除去でき、しかも金属膜を腐食させないリフトオフ用レジスト除去剤、及び、該除去剤を用いた電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 特定のグリコールモノアルキルエーテル２５〜７５重量％と、常圧、２３℃で液体である他の有機溶剤７５〜２５重量％とからなるリフトオフ用レジスト除去剤組成物。また、基板上にネガ型フォトレジスト組成物をのレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をパターン状に露光し、現像してレジストパターンを有する基板を得る工程と、レジストパターンを有する基板の上に金属膜を形成する工程と、上記除去剤組成物を用いてレジストパターンを基板から除去する工程とを有する電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）