【課題】処理槽内での処理液の淀みをなくし、均一な基板処理を可能とし、更にパーティクルの除去を容易にした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 四方を側壁２ｂ〜２ｅで囲まれ上部が開口した有底の容器からなる処理槽１と、この処理槽１に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄとを備えた基板処理装置において、前記第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、それぞれ中空筒状体の長手方向の側面に所定間隔で１列に配列された複数個の噴射口１１を有する供給ノズル管からなり、このうち第１供給ノズル管（１０ｂ、１０ｄ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、第２供給ノズル管（１０ａ、１０ｃ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させて、前記処理槽１の一側壁面２ｂに所定間隔をあけてほぼ水平に設けた。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストやエッチング残留物などの残留物を除去できる選択的クリーニング組成物およびクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも５０ｗｔ％のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも０．５％の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び／又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造およびデュアルダマシン構造の形成、リソグラフィーのやり直しなどリワークの際において使用する反射防止膜および埋め込み材の除去液を提供する。
【解決手段】有機酸及び有機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種、並びにフッ化水素（ＨＦ）を含む、シリコンを含む反射防止膜および埋め込み材を取り除く除去液；並びにこれらを用いた反射防止膜および/又は埋め込み材の除去方法。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジスト溶解性能及び剥離性が優れていて、フォトレジスト膜の下部に位置した金属配線の腐蝕を起こさないフォトレジスト用剥離剤及びその剥離剤を利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、５〜２０重量％のアルコールアミン、４０〜７０重量％のグリコールエーテル、２０〜４０重量％のＮ−メチルピロリドン及び０．２〜６重量％のキレート剤を含むフォトレジスト用剥離剤を利用してフォトレジスト剥離工程を行うことにより、フォトレジスト剥離工程で発生する金属層内のアンダーカットまたはオーバーハングのような配線のプロファイルを変形させる問題点を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はフラットパネルディスプレイに塗布するレジストの洗浄に用いて好適なレジスト洗浄装置に関し、レジスト除去剤が基板上のレジスト配設位置に飛散するのを確実に防止し、適正なレジストパターンの形成を可能とすることを課題とする。
【解決手段】 レジスト８が塗布されたＦＰＤ基板２の基板端面４にレジスト除去剤１０を噴射するノズル２６と、噴射されたレジスト除去剤１０を回収する回収口２７とを有し、レジスト除去剤１０により基板端面４のレジスト８を除去するレジスト除去装置において、ノズル２６から噴射されたレジスト除去剤１０のレジスト配設位置３（レジスト除去剤１０の飛散して欲しくない領域）への飛散を検出する飛散検出センサ２１を設けた構成とする。 （もっと読む）

【課題】酸性で、しかも１００℃以下の低温で、レジストを除去する。
【解決手段】硫酸及び有機ニトリルを含んでなるレジスト除去用組成物を用いる。
さらにアルコール、ケトン、エステルを含んでも良い。各成分の組成としては、例えば硫酸が０．５〜９８重量％、有機ニトリルが１〜９９重量％、アルコールが０〜３０重量％、ケトン及び／又はエステルが０〜５０重量％の範囲が好ましい。有機ニトリルとしてはアセトニトリル、プロピオニトリル、スクシノニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、アジポニトリル等が例示される。 （もっと読む）

【課題】ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用。
【解決手段】本発明は、オゾンを用いたウェハー様物（例えば、露出した銅表面を有する及び／又はｌｏｗ−ｋ（低誘電）材料を含む。）の加工方法に関する。特定の好ましい態様において、塩基もまた、ウェハー様物を加工するために使用される。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の様な高圧流体を用いたレジスト等の剥離において、レジストの残渣物なく完全に剥離できる剥離用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）及び／又は下記一般式（２）で示されるアミン化合物を含んでなる剥離用組成物を高圧流体とともに用いる。
【化１】


（Ａ、Ｂはそれぞれ独立してＯ及び／又はＮＨ，ＮＲを示す。ただし、ＲはＣ_１〜Ｃ_４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、アミノプロピル基、シアノエチル基を示す。）
【化２】


（ＸはＯ又はＮＭｅを示す。ＹはＯＨ又はＮＭｅを示す。Ｍｅはメチル基を示す。）
剥離用組成物にはさらにフッ化物、炭酸エステルを含めることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線を初めとした金属配線への腐食およびＣｕ／ｌｏｗ−ｋ基板における低誘電体膜への損傷を発生せず、かつ、アッシング後の残渣膜の剥離性に優れた特性を有するホトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】本発明のホトレジスト用剥離液を、（ａ）フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、および（ｂ）水溶性有機溶媒を含有してなり、前記（ａ）成分の含有率が０．００１〜０．１質量％であるのホトレジスト用剥離液とする。前記（ａ）成分の含有率は０．００１〜０．０６質量％であることが好ましく、前記水溶性有機溶媒がγ−ブチロラクトンおよび／またはプロピレングリコールであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 環状アミンの活性化を促進して剥離力を向上することができるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。また、環状アミンの活性化を促進して剥離力を向上させ、同時に金属配線に対する腐蝕影響性を最少化するフォトレジスト除去用剥離液組成物を提供する。
【解決手段】 本発明はフォトレジスト剥離液組成物に関し、環状アミン、溶剤及び剥離促進剤を含むフォトレジスト剥離液組成物を提供する。また、本発明は環状アミン、溶剤、腐蝕防止剤及び剥離促進剤を含むフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
本発明のフォトレジスト剥離液組成物は現在ＬＣＤモジュール製作でイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）リンスを適用する一般的な工程だけでなく、ＩＰＡリンス工程を省略する最近の工程に適用する時、金属配線に対する追加的な腐蝕影響がなく、特に剥離力を大きく向上させることができる。 （もっと読む）