基板上に耐熱性レリーフ構造を作成する方法であって、この方法は、（ａ）基板を用意し；（ｂ）最初のコーティング段階で、ポリアミド酸およびガンマ−ブチロラクトンを含有する組成物によって基板をコートして少なくとも約０.５μｍの厚さをもつポリアミド酸の層を形成し；（ｃ）１４０℃またはそれ未満の温度でポリアミド酸の層をベーキングし；（ｄ）第２のコーティング段階で、ポリアミド酸の層上にフォトレジストの層をコーティングして二層コーティングを形成し；（ｅ）二層コーティングを＜２５０ｎｍの放射線に露光し；（ｆ）１つまたはそれ以上の水性のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液によって二層コーティングを現像し；（ｇ）残留するフォトレジスト層を除去し；そして（ｈ）ポリアミド酸層を少なくとも約２００℃の温度で硬化してポリイミド構造をつくる段階を包含し、この場合ポリアミド酸は、水性のテトラメチルアンモニウム中に可溶でありまたフォトレジストに使用される溶媒中には可溶でない。 （もっと読む）

【課題】 半導体や液晶基板を製造する際に用いられるすべてのレジストに対する除去速度が高く、オゾンの溶解度が大きく、基板とレジストとの間の界面への浸透性が高くて、通常のレジストだけでなく熱硬化したレジストに対しても常温付近でレジストを剥離することのできるレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 レジスト除去用組成物は、リン酸エステルを１５０乃至９９９ｇ／Ｌの範囲で含有する。 （もっと読む）

無機層の上にある有機フォトレジスト上の炭素リッチ層を除去する方法は、フッ素含有ガス、酸素含有ガス及び炭化水素ガス、並びに、無機層の少ない除去で炭素リッチ層をエッチングするのに有効なプラズマを発生させる１つ又は複数の随意の成分を含むプロセスガスを使用することができる。炭素リッチ層は、バルクフォトレジストを除去するために使用されるのと同じ処理チャンバで除去することができ、又は代わりに、異なる処理チャンバで除去することができる。 （もっと読む）

【解決課題】 薄膜トランジスタ基板の製造方法を開示する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、基板100上にトランジスタ薄膜パターン120を形成する段階、保護膜140を形成する段階、フォトレジスト層を形成する段階、画素領域150aを形成する段階、互いに分離された画素電極170及び導電膜160を形成する段階、ストリッピング組成物184を利用してフォトレジストパターン150をストリッピングして、フォトレジスト表面に形成された導電膜160を基板100から分離するストリッピング段階、及び貯蔵タンク186内で分離した導電膜を溶解させる段階を含む。本発明の製造方法によると、薄膜トランジスタ基板の製造時に製造工程の効率を向上させることができ、ストリッピング組成物を再利用することができる。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属配線を有する半導体基板のドライエッチング後及びアッシング後に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去する組成物、並びにフォトレジスト残渣及びアッシング残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１種のフッ素化合物（フッ化水素酸を除く）と、少なくとも１種のスルホン酸類と、水とを含有する、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物、並びに少なくとも１種のフッ素化合物（フッ化水素酸を除く）と、少なくとも１種のスルホン酸類と、水とを含有する組成物を用いる、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣の除去方法。 （もっと読む）

【課題】危険なヒドロキシルアミンを使用することなく、レジスト、レジスト残渣、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等からなる電子デバイスを洗浄する。
【解決手段】炭酸及び／又は炭酸塩、過酸化水素、フッ化アルミニウム及び水を含んで成る洗浄用組成物を用いる。炭酸及び／又は炭酸塩の含量が０．０１〜４０重量％、過酸化水素の含量が１０ｐｐｍ〜３．９重量％、フッ化アルミニウムの含量が０．０１〜１００重量ｐｐｍ、水の含量が２５〜９９．９重量％とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】無機アルカリ水溶液を含む剥離液を用いて、基板表面のポリイミド薄膜を基板から剥離する際に、剥離液に起因する粉末の生成を低減する。
【解決手段】ポリイミド薄膜が付着した処理基板５を収容する剥離室１５ａ及び１５ｂと、水酸化カリウム水溶液を含む剥離液６を貯留する剥離液用タンク１０ａ、及び剥離液用タンク１０ａに貯留された剥離液６の中に窒素ガスをバブリングするバブリング管１７ａ’により構成され、その剥離液６に窒素ガスを含ませる第１ガス供給手段と、その窒素ガスを含んだ剥離液６を剥離室１５ａ及び１５ｂ内に収容された処理基板５の表面のポリイミド薄膜に供給する剥離液供給手段と、剥離室１５ａ及び１５ｂの内部に窒素ガスを供給する第２ガス供給手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 金属膜と着色層との密着性を向上させることにより、着色層の欠落による表示不良の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 パターニングされた金属膜及び当該パターニングされた金属膜上に積層された着色層を含む基板と、当該基板によって保持された電気光学材料と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、基板上に、クロム、タンタル、タングステンのうちの少なくとも一つの金属材料を積層する工程と、金属材料を、所定形状にパターニングされたレジスト材料を介してエッチング処理することにより、パターニングされた金属膜を形成する工程と、当該パターニングされた金属膜上のレジスト材料を、濃硫酸を用いて剥離する工程と、パターニングされた金属膜が形成された基板を８０〜２５０℃の範囲内の温度で熱処理する工程と、金属膜を含む基板上に着色層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ従来の剥離液に比べて剥離性能を低下させることなく剥離処理を行うことのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。
【解決手段】エッチング残渣物を剥離するに際し、剥離液として、チタンおよびチタン化合物の溶解性を有する剥離液と、少なくとも第４級アンモニウム水酸化物を含有する剥離液との少なくとも２液を段階的に併用する。 （もっと読む）

多層画像形成系においてリソグラフプロセス中に生じた間違い、例えば不正確な膜厚、好ましくないコーティング品質、および不正確な特徴寸法の解決方法を提供する。製造効率を最適化するには、下部層(アンダーコートすなわち下層)を除去、再コートおよび通常、硬化することなしに上部層(画像形成層)を除去できることが望ましい。基板スタックから画像形成層を除去するための再処理方法は、このような方法である。スタックは、基板、基板に隣接する下層および下層に隣接するケイ素を含んでいる画像形成層からなる。方法は、(ａ) 基板スタックを画像形成層除去溶媒と接触させ；(ｂ) 画像形成層除去溶媒を用いて画像形成層を除去し、それによって基板／下層スタックを形成し、その際、画像形成層除去溶媒は、グリコールエーテル、ケトン、エステル、ラクテート、ジメチルスルホキシド(ＤＭＳＯ)、ジメチルホルムアミド(ＤＭＦ)、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ)、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、エチルテトラヒドロピラン−４−アセテート、メチルテトラヒドロピラン−４−メタノール、テトラヒドロピラン−４−オン、ｎ−ブチルアセテート、ｎ−アミルアセテートおよびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選ばれ；そして(ｃ) 画像形成層を除去した後、画像形成層除去溶媒を基板／下層スタックから除去する：工程からなる。
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