【課題】不飽和ジカルボン酸およびエチレン尿素を含む半導体用洗浄液組成物および洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体ウェハ加工工程において、残さ物を洗浄するための組成物であって、不飽和ジカルボン酸とエチレン尿素を必須成分として含有する。不飽和ジカルボン酸の中では、特にマレイン酸が好ましい。好ましい当該組成物は、不飽和ジカルボン酸、エチレン尿素、不飽和ジカルボン酸を除く少なくとも１種の他の有機カルボン酸、エチレン尿素を除く少なくとも１種の他の塩基性化合物、および水を含有する。また、この好ましい当該組成物に随意成分として、有機溶媒、キレート剤、および界面活性剤並びにホスホン酸及び／またはホスフィン酸からなる群から選択される少なくとも１種を加えてもよい。 （もっと読む）

本発明は、マイクロエレクトロニクス産業で有用な、フォトレジスト残渣および他の望まざる汚染を除去することにより半導体ウエハ基板を剥離または洗浄するためのアルカリ性組成物を提供する。その組成物は、（ａ）１種またはそれ以上の塩基、および、（ｂ）１種またはそれ以上の式：Ｗ_ｚＭＸ_ｙ（式中、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐ、Ｂ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｒｈ、ＲｕおよびＳｂからなる群から選択される金属であり；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選択されるハロゲン化物であり；Ｗは、Ｈ、アルカリまたはアルカリ土類金属および金属イオン不含水酸化物塩基部分から選択され；ｙは、ハロゲン化金属に応じて、４ないし６の数であり；そして、ｚは、１、２または３の数である）の金属腐食阻害性ハロゲン化金属化合物を含有する。 （もっと読む）

エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、１，３−ジヒドロキシ−２−プロパノン又は１価若しくは２価のカルボン酸と水酸基を有する１級又は２級の有機アミンとの反応物、必要により有機アミン、並びに、水溶性有機溶剤及び／又は水、を含有するフォトレジスト剥離用組成物であって、フォトレジストを高性能で除去でき、しかも金属配線材料の腐食を防止でき、なおかつ、剥離後の水リンス時に不純物が析出して基板などに再付着することがないフォトレジスト剥離用組成物を提供する。 （もっと読む）

本発明の感光性樹脂組成物は、２以上のエチレン性不飽和結合を分子内に有する（Ａ）光重合性化合物と、前記（Ａ）光重合性化合物の光重合反応を開始させる（Ｂ）光重合開始剤と、を含有する感光性樹脂組成物であって、前記（Ａ）光重合性化合物の分子内には、該（Ａ）光重合性化合物を１３０〜２５０℃の温度条件で加熱した場合に切断される結合を有する特性基が更に含まれていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための水性洗浄組成物およびその洗浄組成物の使用方法。それらの組成物は、そのような基板を本質的に完全に洗浄でき、そのような基板の金属要素の金属腐食を本質的にもたらさない。本発明の水性洗浄組成物は、（ａ）水、（ｂ）少なくとも１種のアンモニウムおよび第四級アンモニウムイオン、および（ｃ）少なくとも１種の次亜リン酸（Ｈ_２ＰＯ_２⁻）および／または亜リン酸（ＨＰＯ_３^２−）イオンを有する。洗浄組成物は、フッ化物イオンを含んでもよい。場合により、組成物は、有機溶媒、酸化剤、界面活性剤、腐食阻害剤および金属錯体化剤などの他の成分を含有してもよい。 （もっと読む）

半導体材料をリワークする方法であって、（ｉ）シリコーン組成物を基板表面に塗布して膜を形成する段階と、（ｉｉ）前記膜の一部を放射線で照射し、前記表面の一部である非照射部と前記表面の残りの部分である照射部とを有する、部分的に照射された膜を作成する段階と、（ｉｉｉ）前記照射部が実質的に現像液に対して非可溶であり、前記非照射部が前記現像液に対して可溶であるような時間、前記部分的に照射された膜を加熱する段階と、（ｉＶ）前記加熱後の膜の非照射部を前記現像液で除去し、パターン形成された膜を作成する段階と（Ｖ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間前記パターン形成された膜を加熱する段階と、（Ｖｉ）有機溶媒及び塩基を含む無水エッチング液に浸漬して硬化シリコーン層の全部または一部を除去する段階と、を含む方法。 （もっと読む）

対象物を流体で超臨界処理するための方法及び装置である。この装置は、処理化学物質を前記システム内へ注入するための手段であって、この注入するための手段を開始するための手段及び停止するための手段を有する手段と、前記注入するための手段に流体が再入するのを実質的に防止するための手段と、を備える。この方法は、処理流体及び化学物質を選択的に注入するステップを有する。更に、この方法は、流体が源に再入するのを実質的に防止することを有する。
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本発明は半導体素子または液晶ディスプレイ素子の製造工程で使用されるフォトレジスト除去用シンナー組成物に関し、より詳しくは、a）プロピレングリコールモノアルキルエーテルと;b）酢酸アルキルと;c）シクロケトンとを含むシンナー組成物に関するものである。本発明のシンナー組成物はd）ポリエチレンオキシド系界面活性剤、及びe）フッ化アクリルコポリマーよりなる群から１種以上選択される化合物をさらに含むことができる。
本発明によるフォトレジスト除去用シンナー組成物は、液晶ディスプレイ素子と有機ELディスプレイ素子の製造に使用されるガラス基板、及び半導体製造に使用されるウエハーの周縁と背面に使用されて不必要に付着したフォトレジストを短時間で効率的に除去することができ、界面の段差を減らし、特にフォトレジストに対する界面浸透現象を抑制することができる。したがって、多様な工程に適用することが可能であり、経済的な使用はもちろん、製造工程の簡便化及び生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

特定のアミン及び／又は四級アンモニウム化合物、ヒドロキシルアミン、腐食防止剤、有機希釈剤、及び、必要に応じて水を含んでいる組成物であって、フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及び残渣、並びに基板由来のエッチング残渣を除去することができる組成物である。 （もっと読む）

本発明は、有機溶剤としてベンジルアルコールまたはその誘導体を含んでなるレジスト組成物を提供するものである。本発明は、レジストを除去するための、ベンジルアルコールまたはその誘導体を含んでなる有機溶剤も提供する。本発明のレジスト組成物は、ＵＶ光で照射することにより、照射部分と非照射部分との間の溶解度の差を利用する、微小パターンを形成するためのリソグラフィー法に使用し、薄膜を塗布した時の被膜厚の均質性を大幅に改良する。さらに、本発明の有機溶剤は、微小回路形成工程の際に感光性材料と接触するデバイスを、デバイスから感光性材料を除去することにより、洗浄するのに使用することができる。本有機溶剤は、感光性材料が塗布されている基材の好ましくない部分上に残留する感光性材料を除去することもできる。 （もっと読む）