ここに開示されるのは、半導体処理のための組成物および方法である。一の実施形態において、フォトレジストの除去のためのウェットクリーニング組成物を提供する。この組成物は、強塩基と、酸化剤と、極性溶媒と、を含む。別の実施形態において、フォトレジストを除去するための方法を提供する。この方法は、約０．１から約３０重量パーセントの強塩基と、約１から約３０重量パーセントの酸化剤と、約２０から約９５重量パーセントの極性溶媒とを含むウェットクリーニング組成物を付与する工程と、フォトレジストを除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型不純物が導入されたレジスト膜を除去する工程において、異常生成物の発生を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】 ポリシリコン膜１５上にレジスト膜１６を形成した後、このレジスト膜１６に対して露光・現像することにより、レジスト膜１６をパターニングする。パターニングは、ポリシリコン膜１５のゲート電極形成領域に開口部１７が形成されるように行う。次に、パターニングしたレジスト膜１６をマスクにして、開口部１７から露出したポリシリコン膜１５内にリンを注入する。このとき、マスクであるレジスト膜１６にもリンが注入されて硬化層１６ａが形成される。次に、酸素ガスおよびフォーミングガスを導入して硬化層１６ａおよびレジスト膜１６を除去する。ここで、酸素ガスとフォーミングガスとの混合ガスに対するフォーミングガスの体積比率を５％以上３０％以下にする。 （もっと読む）

フォトレジスト、ポリマー材料、又は残留物を基板から除去するために使用される組成物は、水-混和性有機溶剤、水、少なくとも１つの有機アミン、及び２又は３以上の水-混和性有機溶剤において溶解性である没食子酸の誘導体である防蝕剤を含む。組成物は、更に界面活性剤を含み得る。この組成物の使用により、レジスト再付着が低減され、腐蝕が低減され、及び剥離性が改良される。 （もっと読む）

基板処理装置（３）にてポリマー除去処理を行うときのプロセスのうち、回転する基板（Ｗ）に除去液を吐出して拡布する工程では基板回転数、除去液温度、除去液流量および除去液吐出時間のデータを収集し、それらの組み合わせから総合的に判断して処理異常を検出する。また、純水吐出工程では基板回転数、純水流量および純水吐出時間のデータを収集し、それらの組み合わせから総合的に判断して処理異常を検出している。このように、処理結果に大きく影響する重要な工程の重要な制御要素の組み合わせから総合的にポリマー除去処理の処理異常を検出することによって、より高い精度の処理異常検出を行うことができる。
（もっと読む）

【課題】洗浄液や処理液の活性度を高めることによって、洗浄能力や被膜除去能力を大幅に向上させることができる。
【解決手段】基板Ｗに供給された洗浄液Ｓに対してＵＶ照射部３１から紫外線を照射する。このときオゾンを含む洗浄液Ｓは紫外線が照射されたことによって、“O₃ → O(³p)＋ O₂ ”のような励起状態をとり、低エネルギーで酸素ラジカルを得ることができる。したがって、酸素ラジカルを容易に発生させることができ、洗浄液Ｓの活性度を高めることができて、洗浄能力を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 最近の微細化、多層化した半導体、液晶表示素子の形成に用いるホトリソグラフィー技術において、Ａｌ系金属（Ａｌ、Ａｌ合金）、Ｍｏ、さらにはその他の金属に対しても腐食を発生せず、かつ、ホトレジスト膜の剥離性に優れたホトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】 （ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを０．５〜５０質量％、（ｂ）アルカノールアミン（例えば、モノイソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミンなど）を２〜３０質量％、および（ｃ）水溶性有機溶媒（上記（ａ）成分以外。例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジメチルスルホキシドなど））を４０〜９５質量％含有するホトレジスト用剥離液。 （もっと読む）

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜等の剥離レートを早めた基板処理方法、基板処理装置、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】 レジスト膜を備えたウエハＷからそのレジスト膜を除去するための基板処理方法であって、まず、レジスト膜を備えたウエハＷをチャンバ３０に収容し、チャンバ３０を所定温度に保持する（ステップ２）。次にチャンバ３０内への窒素ガスの供給を停止してオゾンを供給し（ステップ３）、さらにオゾンを供給しながら、水蒸気を供給する（ステップ４）。その後、チャンバ３０内に水蒸気を供給しながら、チャンバ３０内で結露が生じないようにチャンバ３０へのオゾン供給を周期的に停止して、チャンバ３０内に水蒸気量の多い状態を作り出す（ステップ５）。これによりレジスト膜を変性させる。その後、純水またはアルカリ性水溶液により、変性したレジスト膜を溶解、除去する。 （もっと読む）

【課題】アッシング後に発生する部材由来のデポを効果的に除去でき、部材材料に対して安定した低腐食性を有し、低残留性および廃水処理の観点から適し、さらには水での希釈が可能な剥離剤組成物、該組成物を用いる半導体基板または半導体素子の剥離洗浄方法、ならびに該組成物を用いて剥離洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】分子性酸の共役塩基、分子性塩基の共役酸および水を含有する剥離剤組成物であって、以下（１）、（２）および（３）の特性を有する剥離剤組成物：（１）該共役塩基が２種以上の分子性酸の共役塩基である、（２）該２種以上の分子性酸の標準試験によるアルミナ溶解量が、それぞれ単独の分子性酸のアルミナ溶解量の最大値よりも大きい、（３）水の含有量が剥離剤組成物中50重量％以上である；ならびに該剥離剤組成物を用いて半導体基板または半導体素子を洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理槽内での処理液の淀みをなくし、均一な基板処理を可能とし、更にパーティクルの除去を容易にした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 四方を側壁２ｂ〜２ｅで囲まれ上部が開口した有底の容器からなる処理槽１と、この処理槽１に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄとを備えた基板処理装置において、前記第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、それぞれ中空筒状体の長手方向の側面に所定間隔で１列に配列された複数個の噴射口１１を有する供給ノズル管からなり、このうち第１供給ノズル管（１０ｂ、１０ｄ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、第２供給ノズル管（１０ａ、１０ｃ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させて、前記処理槽１の一側壁面２ｂに所定間隔をあけてほぼ水平に設けた。 （もっと読む）