【課題】 非感光性樹脂等からなる厚膜であっても、高精度のパターニングが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。この方法において、第一のパターン１が金属又は感光性樹脂からなるパターンであることが好ましく、被パターン材料が有機材料又は無機材料であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去能力が優れており、高温で揮発による組成の変化および薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐蝕を最少化することができる、レジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】本発明によるレジスト除去用組成物は、電子回路または表示素子の金属配線をパターン化するレジストの除去用組成物に関し、前記レジスト除去用組成物は、アルキレンカーボネート、および３級アミンおよび酸化剤のうちの少なくともいずれか一つを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦエキシマレーザ等硫酸アンモニウムからなる異物の生成反応を促進するような高出力露光手段を露光した際に、硫酸アンモニウムの析出を抑制することができるリソグラフィーマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半透過部形成工程のレジスト剥離洗浄工程(工程５)及び遮光帯形成工程のレジスト剥離洗浄工程（工程１０）で、硫酸系洗浄剤を用いた洗浄を行い、その後、パターンの硫酸イオンが吸着された表層部の一部又は全部を除去する硫酸除去工程を行って、吸着した硫酸イオンを効果的に除去する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体作製の時、ハードマスクを用いて微細加工を行う製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体に低誘電率絶縁膜１３を適用して低誘電率絶縁膜１３とその下層のエッチングストッパー膜１２を加工する時、まずレジスト１５ａをマスクとしたハードマスク膜１４のエッチングを行い、続いてレジスト１５ａをＨ_２とＨｅの混合ガスで２００℃より高い高温、１Ｔｏｒｒ付近の圧力の条件でアッシングを行う。このようにすればレジスト除去においてハードマスク膜１４ａにダメージを与えることなく続く低誘電率絶縁膜１３のエッチングにおいてファセットの少ないハードマスクによる微細加工が可能となる。 （もっと読む）

特定の有機溶媒及びフッ素ソースを含む組成物は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去できる。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 銅及び銅を主成分とする合金、各種の低誘電率膜を有する半導体装置の製造工程において、ドライエッチング後及びアッシング後に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも１種のフッ素化合物と、少なくとも１種の有機酸と、少なくとも１種の有機アミンと、水とを含有し、前記組成物のｐＨが４〜７であり、水以外の成分の合計含有量が組成物全体に対して０．３〜３０質量％である、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物。
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【課題】 無声放電により生成させたオゾンから電極由来の金属を除去する。
【解決手段】 オゾン発生ユニット３０で電極間の無声放電により発生させたオゾンを、フィルタ３３を構成する分子透過膜３３ａの前後の圧力差に基づき、分子透過膜３３ａを透過させる。透過させたオゾンを、別途生成させた水蒸気と併せて半導体ウエハＷ上のレジスト表面に供給して、レジスト除去を行う。かかるレジスト除去では、電極由来の金属による高濃度汚染を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】角形の基板上に薄膜を形成した後に、基板周辺部に付着した不要な薄膜を除去する工程において、基板上で薄膜が残された部分と剥離された部分の境界に生じる盛り上がりの高さ、幅およびうねりを低減する薄膜除去装置を提供する。
【解決手段】角形の基板上に薄膜を形成した後に、基板周辺部の不要な薄膜を除去する装置であって、少なくとも、前記角形基板の１つの主面と１つの側面が交わる直線部を覆うように配置される直線部用ノズルヘッドと、該直線部用ノズルヘッドを前記角形基板の側面に沿って相対的に平行移動する機構とを有し、前記直線部用ノズルヘッドが剥離液供給口と廃液吸引口と排気口とを具備し、前記直線部用ノズルヘッドの内面に沿って剥離液供給口から廃液吸引口に至る剥離液主流路と、それに並走する乾燥用排気流路と排気遮蔽壁とを具備するものであることを特徴とする薄膜除去装置。 （もっと読む）

【課題】低誘電材料やウエハ基板へのダメージ、汚染及び作業環境の悪化を防止することが可能な、レジスト材の除去を伴ったパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上に、ＳｉＯ₂膜などの低誘電材料膜１１を形成し、その上に水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２を形成する。次に、この水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２上に、非水溶性または非アルカリ性ポリマー層１３を形成する。次いで、レジスト膜１４を塗布・形成し、露光・現像の後に、エッチングを水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より下部の層（低誘電材料膜１１）まで行い、パターンを転写する。その後、ウエハ基板を水またはアルカリ溶液に浸漬し、側壁に露出した水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２から溶解させ、水溶性またはアルカリ可溶性ポリマー層１２より上層全ての層（１３，１４）を剥離することにより、レジスト材の除去を行いつつ所定のパターンをウエハ基板上に形成する。 （もっと読む）

本発明は、塩基性化合物の約０．５〜約８規定の溶液を含む、表面上に膜として設けられたフォトレジスト組成物用のエッジビード除去液組成物に関する。 （もっと読む）