国際特許分類［G03F7/42］の内容
物理学 (1,541,580) | 写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ (245,998) | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造，例．印刷用，半導体装置の製造法用；そのための材料；そのための原稿；そのために特に適合した装置 (42,984) | フォトメカニカル法，例．フォトリソグラフ法，による凹凸化またはパターン化された表面，例．印刷表面，の製造；そのための材料，例．フォトレジストからなるもの；そのため特に適合した装置 (38,375) | 感光材料の処理；そのための装置 (4,777) | 剥離またはそのための処理剤 (402)
国際特許分類［G03F7/42］に分類される特許
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ガス化学反応および炭化水素付加の周期的変調を用いたプラズマストリッピング方法
【課題】基板上のフォトレジストエッチングマスクを通して低ｋ誘電体層中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】単一のフォトレジストマスクを剥離するガス変調された周期的剥離プロセスが３サイクルより多く行われる。ガス変調された周期的剥離プロセスのそれぞれのサイクルは、保護層形成フェーズおよび剥離フェーズを実行することを含む。保護層形成フェーズは、堆積ガス化学物質と共に第１ガス化学物質を用い、保護層形成フェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。フォトレジストマスクを剥離する剥離フェーズは、剥離ガス化学物質を用いた第２ガス化学物質を用い、第１ガスは第２ガスとは異なり、エッチングフェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。
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（フォト）レジスト除去用組成物
本発明は、電子回路または表示素子をパターン化するレジスト除去用組成物に関し、アミン及び溶剤を含むレジスト除去用組成物において、前記アミンが環状アミン化合物であることを特徴とする。本発明のレジスト除去用組成物は、レジストの除去力が非常に優れていて、パターン化された金属配線の腐食を最少化することができる長所がある。 （もっと読む）
（フォト）レジスト除去用組成物
本発明は、電子回路または表示素子をパターン化するレジスト除去用組成物に関し、より詳細には、アミン、溶剤、及び腐食防止剤を含み、前記腐食防止剤は、トリアゾル類化合物、メルカプト類化合物、ヒドロキシル基を含むベンゼン類化合物、及びこれらの混合物からなる群より１種以上選択される、レジスト除去用組成物を提供する。本発明のレジスト除去用組成物は、レジストの除去力が非常に優れており、パターン化された金属配線の腐食を最少化することができる長所がある。 （もっと読む）
イオン注入されたフォトレジストを除去するための非フッ化物含有超臨界流体組成物
イオン注入フォトレジストを、かかるフォトレジストを有する半導体基板から除去するための方法および組成物が記載される。除去組成物には、イオン注入フォトレジストを除去する際に用いられる超臨界ＣＯ２（ＳＣＣＯ２）、共溶媒および還元剤が含まれる。かかる除去組成物は、除去試薬としてのＳＣＣＯ２の固有の欠陥、すなわち、ＳＣＣＯ２の無極特性、およびフォトレジストに存在し、かつ効率的な洗浄のために半導体基板から除去されなければならない無機塩類および極性有機化合物などの種を可溶化できないＳＣＣＯ２関連の無力性を克服する。 
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パターン化されたイオン注入フォトレジストのウエハーから裏面反射防止膜を除去するのに有用な組成物
裏面反射防止膜（ＢＡＲＣ）層をかかるＢＡＲＣ層を有する半導体基板から除去するための方法および組成物について記載する。除去組成物は、超臨界流体と、共溶媒と、エッチング液と、界面活性剤とを含む。かかる除去組成物は、ＳＣＣＯ２の除去剤としての固有の欠陥、すなわちＳＣＣＯ２の非極性およびそれに関連する半導体基板から除去されなければならない無機塩および極性有機化合物などの種に対する可溶化能の欠如を克服する。
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基板上に付着したフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止材料のエッチング後除去のための組成物並びにプロセス
その上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するための組成物及びプロセスを開示する。この組成物は、アルカリ又はアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基などの塩基成分、あるいは酸化剤との組み合わせの強塩基を含む。例えば、キレート剤、界面活性剤、及び／又は共溶媒種と一緒に水性媒体中でこの組成物を利用して、集積回路製造において基板上の銅、アルミニウム及び／又はコバルト合金などの金属種に悪影響のない状態で、かつ、半導体構築において利用されるＳｉＯＣをベースとする誘電材料に損傷のない状態でフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の非常に効率的な除去を達成することができる。 （もっと読む）
基材からフォトレジストを除去する方法及び装置
プラズマ処理システム内で基材からフォトレジストを除去する方法およびシステムは、NXOY（X及びYは１以上の整数）を含むプロセスガスを導入することを含む。さらに、プロセスの化学操作として、希ガス（即ち、He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn）といった不活性ガスを付加することを含む。本発明は、さらに、基材上の膜内にフィーチャを形成する方法を提供する。この方法は、基材上に誘電層を形成し；誘電層上にフォトレジストパターンを形成し；エッチングによってフォトレジストパターンを誘電層に対して転写し；NXOY（X及びYは１以上の整数）を含むプロセスガスを用いて誘電層からフォトレジストを除去することを含む。 （もっと読む）
基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。 
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レジスト、ＢＡＲＣ、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法
フォトレジスト、裏面反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料、および／またはギャップフィル材料を上に有する基板からかかる材料を除去するための水系組成物およびプロセスについて記載する。該水系組成物は、フッ化物源と、少なくとも１種類の有機アミンと、少なくとも１種類の有機溶媒と、水と、場合によりキレート剤および／または界面活性剤とを含む。該組成物によると、基板上の銅などの金属種に対する悪影響や、半導体アーキテクチャにおいて用いられるＳｉＯＣをベースとする誘電体材料に対する損傷をもたらすことなく、集積回路の製造においてかかる材料の高効率の除去が達成される。
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石英で被覆したポリシリコンおよびその他の資材の洗浄におけるビスコリンおよびトリスコリンの使用工程
ビスコリンおよびトリスコリン化合物に基づいた新規洗浄化学が、基板のエッチングを最小限に抑えながらフォトレジストおよびフラックスを除去することを目的として提供される。 （もっと読む）
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