説明

国際特許分類[G03F7/42]の内容

国際特許分類[G03F7/42]に分類される特許

321 - 330 / 402


【課題】電子デバイスの無機物、有機物の剥離液、除去液、エッチング液、洗浄液と併せて用いることにより、それら薬液の剥離、除去、エッチング、洗浄機能に悪影響することなく、金属アルミ又はアルミ合金を腐食しない防食用組成物を提供する。
【解決手段】フッ化物と環状アミン、特に2種以上の環状アミンの混合組成物、或いはフッ化物、環状アミン、アルキレンアミン及び/又はアルカノールアミンの混合組成物では、他の剥離液、除去液、エッチング液、洗浄液と併せて用いることにより、それらの薬液の機能を損なうこと無く、金属アルミ又はアルミ合金の腐食を著しく抑制することができる。環状アミンとしては、ピペラジン類、モルホリン類、ピロリジン類等が例示できる。 (もっと読む)


本発明のフォトレジストストリッパーおよび洗浄組成物が、銅およびアルミニウムに対して本質的に非腐食性であり、少なくとも一つの極性有機溶媒、少なくとも一つのヒドロキシル化有機アミン、およびポリマー骨格からぶら下がった複数のヒドロキシルまたはアミノ官能基を有する腐食阻害剤ポリマー少なくとも一つを含有する、非水性洗浄組成物によって提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体基体上のレジストや被膜残渣を、残渣物なく高速に除去できる除去用組成物を提供する。
【解決手段】硫酸及び有機ニトリルと高圧流体を含んでなる除去用組成物用いる。さらにアルコール、ケトン及び/又はエステルを含んでも良い。高圧流体としては二酸化炭素(超臨界二酸化炭素)、有機ニトリルとしてはアセトニトリルが特に好ましく、ケトン及び/又はエステルとしては炭酸エステル、特に炭酸エチレンが好ましい。さらに金属防腐剤、金属キレート等を添加してもよい。 (もっと読む)


【課題】 基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制することができるレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供する。
【解決手段】 レジスト膜6を水11の中に浸漬させた状態にし、密着界面に対して水11を進入させ、半導体ウェハ5からレジスト膜6を浮かび上がらせる。さらに、攪拌翼30によって、剥離したレジスト膜6を水11とともに内部空間2で回流させる。 (もっと読む)


【課題】 基板とレジスト膜との剥離を促進させることにより、基板からのレジスト膜の除去をより確実なものとし、さらに、基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制するレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供する。
【解決手段】 レジスト膜6に発生させたクラックを介して、密着界面に対して水蒸気を進入させ、半導体ウェハ5からレジスト膜6を浮かび上がらせる。また、同時に、密着界面から剥離し始めたレジスト膜6の剥離部を振動発生装置8によって振動させ、レジスト膜6を剥離させた。 (もっと読む)


【課題】アッシング残渣の剥離液を提供する。
【解決手段】0.007〜0.04mol/kgの酸、前記酸の20倍以上の濃度の非金属フッ化物塩および水を含む、ドライエッチング及び/又はアッシングにより生じたCu/low-k多層配線構造のアッシング残渣の剥離液。 (もっと読む)


【課題】 製造工程中でイオン注入等で損傷を受けてフォトレジスト等の上層部が変質硬化した有機被膜であっても、変質を受けていないフォトレジスト共々、大きな剥離速度で除去でき、環境面でも問題なく、経済的にも安価な、有機被膜の除去方法及び除去剤を提供する。
【解決手段】
表面に有機被膜が付着した基体から該有機被膜を除去する方法であって、
(1)炭酸エチレン結晶粉末を用いてCMP(化学的機械研磨)処理を行う工程と、
(2)炭酸アレキレン溶液により剥離洗浄処理する工程と
を有する前記有機被膜の除去方法、並びに
有機被膜が付着した基体から該有機被膜を除去する除去剤であって、
(A)炭酸エチレン結晶粉末と、
(B)炭酸エチレン溶液単体及び/あるいは炭酸エチレン溶液と炭酸プロピレン溶液の混合液を主成分とする炭酸アルキレン溶液と
を有する前記有機被膜の除去剤。 (もっと読む)


【課題】 液晶ディスプレイに使用されるカラーフィルターの製造工程で発生した不良カラーフィルターを、従来よりも短時間で効率的に再生処理し、ガラス基板を廃棄することなく有効に使用可能にするカラーフィルター用ガラス基板の再生方法を提供する。
【解決手段】 カラーフィルター10の製造工程で発生した不良カラーフィルター11からガラス基板12を再生する方法において、不良カラーフィルター11を搬送手段20を用いて搬送しながら又は一時停止させて酸でガラス基板12上の形成物を除去して、ガラス基板12を再生する。この再生処理に際しては、濃度又は種類の異なる複数の酸を順次使用して、ガラス基板12上から形成物を除去することができる。 (もっと読む)


本発明のバックエンドフォトレジストストリッパーおよび洗浄組成物は、本質的に銅およびアルミニウムに対して非腐食性であり、少なくとも1種の極性有機溶媒、少なくとも1種のヒドロキシル化有機アミン、および、多数のヒドロキシル官能基を有する腐食阻害化合物(それは、式:
−[(CR−(CR−(CR−T
式中、RおよびRの少なくとも一方はOHであり、RおよびRの一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、mは1またはそれ以上の整数であり、RおよびRは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、nは0またはそれ以上の正の整数であり、pは1またはそれ以上の整数であり;RおよびRの少なくとも一方はOHであり、RおよびRの一方がOHではない場合、それは、H、アルキルまたはアルコキシから選択され、qは1またはそれ以上の整数であり;TおよびTは、H、アルキル、ヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アミノアルキル、カルボニルアルキルまたはアミド基から選択されるか、または、TおよびTは、連結して一つの脂肪族の環または縮合環構造から選択される構造を形成している、の化合物である)の少なくとも1種を含み、場合により1種またはそれ以上のヒドロキシル含有共溶媒、芳香環に直接結合した2個またはそれ以上のOH、ORおよび/またはSO基(ここで、R、RおよびRは、各々独立して、アルキルおよびアリールからなる群から選択される)を含有する腐食阻害性アリール化合物、金属錯体化剤、異なる金属腐食阻害性化合物および界面活性剤を含む、アミノ酸不含、非水性の組成物により提供される。 (もっと読む)


【課題】 フォトレジストのストリッピング速度を減少することなく、またプラズマエッチ残留物を除去する能力を低下することのない、広範な種類の有機ポリマー物質およびプラズマ−エッチ残留物の双方を除去するストリッピングおよびクリーニング組成物を提供する。
【解決手段】 (a)約5〜約50%の溶媒、(b)約10〜約90%のアルカノールアミン、(c)約0.1〜10%のカルボン酸タイプの腐食防止剤、および(d)約1.0〜40%の水を含有させ、非腐食性のフォトレジストストリッピングおよびクリーニング組成物とする。
(もっと読む)


321 - 330 / 402