【課題】
【解決手段】低誘電体層（ｋ＜３．０）に形状を形成するための方法が提供されている。低誘電体層が、基板の上に配置される。パターニングされたフォトレジストマスクが、低誘電体層の上に配置される。少なくとも１つの形状が、低誘電体層にエッチングされる。ＣＯ₂を含む剥離ガスが供給される。ＣＯ₂を含む剥離ガスから、プラズマが形成される。ＣＯ₂を含む剥離ガスから形成されたプラズマを用いて、パターニングされたフォトレジストマスクが剥離される。 （もっと読む）

後端フォトレジストストリッパーおよび残渣組成物が、銅およびアルミニウムに対して本質的に非腐食性であり、かつ極性有機溶媒、ヒドロキシル化アミンおよび腐食阻害剤としてフルクトースを含む非水性組成物により提供される。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェハ等の基材の外周部の不要膜を効率良く輻射加熱し、エッチングレートを高める。
【解決手段】
基材９０をステージ１０の上面に設置し支持する。この基材９０の外周部の一箇所（被処理位置Ｐ）に吹出しノズル７５からオゾン等の反応性ガスを供給する。基材９０の上側かつ半径外側に照射部２２を配置し、この照射部２２から熱光線としてレーザＬ２０を被処理位置Ｐに向けて斜めに収束照射する。 （もっと読む）

【課題】より低い圧力で超臨界処理ができるようにする。
【解決手段】基板１０１の表面及びパターン１０１ａをフッ化物の液体１０３に浸漬した後、所定の密閉されて一定の容積に保持された反応室内で、基板１０１の表面及びパターン１０１ａが浸漬しているフッ化物の液体１０３を加熱し、フッ化物を超臨界状態とすることで、密閉空間１０５の中において、基板１０１の表面及びパターン１０１ａがフッ化物の超臨界流体１０６に覆われた状態とする。加熱されて気化したフッ化物の気体の増加により、密閉されて容積一定とされた反応室内（密閉空間１０５）の圧力を、フッ化物の臨界圧力とすることができる。臨界圧力の状態で臨界温度以上に加熱されれば、フッ化物の液体１０３は、超臨界状態となる。 （もっと読む）

半導体基板からのフォトレジストおよびイオン注入されたフォトレジストを除去するためのフォトレジスト洗浄組成物を開示する。本洗浄組成物は、イオン注入されていないフォトレジストの除去に利用するために、超臨界ＣＯ₂（ＳＣＣＯ２）とアルコールを含有する。フォトレジストがイオン注入を施される場合に、洗浄組成物は、さらにフッ素イオン源を含有する。かかる洗浄組成物は、洗浄試薬としてのＳＣＣＯ２が有する固有の欠陥、すなわち、ＳＣＣＯ２の非極性や、それに関連する、フォトレジスト中に存在し、かつ効率的洗浄のために半導体基板から除去されなければならない無機塩類や極性有機化合物などの種に対する不可溶性を克服している。本洗浄組成物は、その上にフォトレジストまたはイオン注入されたフォトレジストを有する基板に関して、損傷や残留物が生じない洗浄を可能にする。
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【課題】 例えば、アルミニウム単層膜をエッチングした後マスクとして用いたレジスト層を剥離除去する際に、膜減り（Ａｌ溶解）や（Ａｌ）表面腐食のない表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、前記アルミニウム膜上に所定の電極パターンに対応したレジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層より露出するアルミニウム膜部分をエッチングする工程と、前記レジストマスク層を剥離液により除去する工程とを含む電極形成工程を有し、前記レジストマスク層除去工程において前記剥離液として前記アルミニウム膜の腐食抑制剤を含有する剥離液を用いることを特徴とする。前記腐食抑制剤としては燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ_２ＰＯ_４）が好ましく、前記剥離液の燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ_２ＰＯ_４）含有量が０．０５〜３０ｗｔ％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 表面変質層が形成されたレジストパターンを容易に除去する。
【解決手段】 例えば、まず、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３をその上に形成されたコンタクトホール１５形成用のレジストパターン２４をマスクとしてドライエッチングしてコンタクトホール１５を形成すると、レジストパターン２４の表面に表面変質層２４ａが形成される。次に、表面変質層２４ａを含むレジストパターン２４をモノエタノールアミンを主成分とするレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、表面変質層２４ａは上記レジスト剥離液に溶解しないため、表面変質層２４ａが残渣としてある程度残る。そこで、次に、この表面変質層残渣を水素水中でメガソニック洗浄を行なって除去する。 （もっと読む）

【課題】 表面変質層が形成されたレジストパターンを容易に除去する。
【解決手段】 例えば、まず、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３をその上に形成されたコンタクトホール１５形成用のレジストパターン２４をマスクとしてドライエッチングしてコンタクトホール１５を形成すると、レジストパターン２４の表面に表面変質層２４ａが形成される。次に、表面変質層２４ａをオゾン水中でメガソニック洗浄を行なって除去する。次に、レジストパターン２４をモノエタノールアミンを主成分とするレジスト剥離液を用いて剥離する。 （もっと読む）

【解決手段】 基板の上の有機材料を除去する方法が提供される。基板は、プラズマ処理室の中に配置される。プラズマ処理室の中の内側域に、第１のガスが供給される。プラズマ処理室の中の外側域に、第２のガスが供給される。外側域は、内側域を取り囲む領域であり、第２のガスは、第１のガス中の炭素含有成分の濃度を上回る濃度の炭素含有成分を有する。第１のガスおよび第２のガスから同時に、プラズマが発生する。発生したプラズマを使用して、有機材料の一部または全部が除去される。 （もっと読む）

【課題】 非感光性樹脂等からなる厚膜であっても、高精度のパターニングが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。この方法において、第一のパターン１が金属又は感光性樹脂からなるパターンであることが好ましく、被パターン材料が有機材料又は無機材料であることが好ましい。 （もっと読む）