【課題】記憶装置に搭載するメモリ容量を削減しながら、情報を書き込む際の処理速度の低下を最低限に抑える。
【解決手段】不揮発性メモリ内に、論理／物理アドレス変換テーブルをページ単位に分割した複数の分割変換テーブルを保存し、ＲＡＭ内には、分割変換テーブルの少なくとも１つ以上を保存する論理／物理アドレス変換テーブルキャッシュと、分割変換テーブルを管理する変換テーブル管理テーブルと、論理／物理アドレス変換テーブルキャッシュの管理を行うキャッシュ管理テーブルを保存し、変換テーブル管理テーブルは、分割変換テーブルが前記論理／物理アドレス変換テーブルキャッシュに保存されていることを示すキャッシュ有無フラグと、前記論理／物理アドレス変換テーブルキャッシュ内での保存先を示すキャッシュエントリ番号を有し、不揮発性メモリと前記ＲＡＭの間における前記論理／物理アドレス変換テーブルの情報の読み出し及び書き込みは、ページ単位で行う。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することが可能な管理装置、および管理方法を提供する。
【解決手段】電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しはページ単位で行われ、消去は複数のページを含むブロック単位で行われる不揮発性メモリを管理する管理部を備え、管理部は、不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、仮想ブロックを有する仮想領域と、仮想領域の不良が発生している物理ブロックを代替する代替ブロックを有する代替領域とに分け、物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、およびユーザデータを一時的に保持する拡張ブロックの管理の３段階の管理単位で不揮発性メモリを管理し、物理ブロックの管理に用いる第１管理情報と、仮想ブロックの管理に用いる第２管理情報と、拡張ブロックの管理に用いる第３管理情報とを、不揮発性メモリに書き込む、管理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少なくとも２種類以上のデータ長のデータに対して冗長データを付加し、誤り訂正を行なうメモリ制御装置において、メモリを最大限有効に使用することを目的としている。
【解決手段】上記課題は、少なくとも２種類以上のデータ長のデータに対して冗長なデータを付加した誤り訂正データをアドレス空間で分割し格納するメモリデバイス２００と、該誤り訂正データを読み出して誤り訂正を行なうメモリコントローラ２０と、
前記誤り訂正データは前記メモリデバイス２００からデータと冗長データを連続的に読み出す手段を有することによりなされる。 （もっと読む）

【課題】情報を効果的に保護できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置１は、プロセッサ１０と、不揮発性半導体記憶装置２２を有し、プロセッサ１０に対する主記憶として機能するメモリ装置２０とを備える。プロセッサ１０は、複数のプログラムＣＤ１、ＣＤ２を実行する際に、プログラムを実行するために必要な情報をプログラム毎にワークセットＷＳ１、ＷＳ２として管理すると共に、各々のワークセットＷＳ１、ＷＳ２に必要な情報と、その情報のメモリ装置２０内におけるアドレスとの関係を保持するテーブルＰＴ１、ＰＴ２を、ワークセットＷＳ１、ＷＳ２毎に作成する。メモリ装置２０に対するアクセスは、ワークセットＷＳ１、ＷＳ２毎に対応するテーブルＰＴ１、ＰＴ２を参照して実行される。 （もっと読む）

【課題】大容量のデータをリアルタイムに記録でき、且つ、断片化による無駄な空き容量の増加を防ぐことができるようにする。
【解決手段】入力されたデータを記憶するメモリに記憶されたデータを記録する記録媒体の記録領域を複数の管理単位に分割する領域分割手段と、前記領域分割手段により分割された管理単位に対して、前記メモリからデータを読み出して記録する記録手段と、前記複数の管理単位におけるそれぞれの空き領域のサイズを検出し、前記検出した各管理単位の空き領域に基づいて、前記記録手段が前記データを記録する管理単位を指定する管理手段とを設け、次の記録開始指示が行われているか否かに応じて、前記空き領域のサイズが所定量以上の管理単位、または前記空き領域のサイズが所定量よりも小さい管理単位の何れか一方を指定する。 （もっと読む）

【課題】仮想ＯＳ環境におけるメモリ管理について、アドレス変換部なしで、仮想ＯＳでの物理メモリの縮小・拡大をできるようにすること。
【解決手段】仮想ＯＳメモリ管理部００１と、各メモリ領域の所有状況を管理するメモリ管理テーブル００３と、起動時メモリ回収・再割当部０２３と、メモリ回収・再割当部０２４と、ＯＳ０２１と、メモリ管理部０２２とを有し、起動時にＯＳ０２１にＯＳ０２１が今後使用する可能性のあるすべてのメモリ領域を割当て、その後、起動時メモリ回収・再割当部０２３によりメモリ領域を回収することにより、メモリ管理部０２２が今後割当てられる可能性のあるすべてのメモリ領域を管理しているため、仮想ＯＳメモリ管理部００１がメモリ領域をＯＳ０２１に仮想ＯＳメモリ管理部００１追加・削減する際にアドレス変換なしに処理が行え、アドレス変換オーバヘッドを削減することができる。 （もっと読む）

【課題】データ消去の際のパフォーマンスの低下を防止することができるメモリ制御装置を提供する。
【解決手段】メモリ制御装置は、メインコントローラのＣＰＵおよびストレージ制御部とメインコントローラのＳＳＤが有するメモリ制御部とを含む。メモリ制御部は、ＳＳＤのフラッシュメモリにデータを書き込む第１の書き込み処理と、フラッシュメモリに記録された不要データを消去した後にフラッシュメモリにデータを書き込む第２の書き込み処理の一方を選択的に行う。ＣＰＵは、不要データを消去する消去モードが設定されている場合に書き込み対象データの容量が所定のデータ容量を超えていると、メモリ制御部に第２の書き込み処理を行わせる。 （もっと読む）

【課題】キャッシュ機能を用いないで、不揮発性半導体記憶装置における小容量書込みの高速化を図る。
【解決手段】本発明の代表的な実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置（１）は、ホストシステム（２）に接続可能とされ、不揮発性記憶部（１１）と、その動作制御を行うコントローラ（１２）とを含む。上記コントローラは、論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を、上記ホストシステム側のアクセス単位と、上記不揮発性記憶部側のアクセス単位とに分けて管理し、上記ホストシステムからの書込み指示に係るデータのサイズに応じて、上記ホストシステム側のアクセス単位での管理と、上記不揮発性記憶部側のアクセス単位での管理とを判定し、上記不揮発性記憶部における対応領域にデータを書込むことで、バッファメモリへのデータ退避を不要とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般的にはランダムアクセスメモリ装置の方法、及び／又は、アーキテクチャに関し、より詳細には、バースト転送能力を持つ同期式ランダムアクセスメモリ装置に関する。
【解決手段】一般にメモリアレー及びバーストシーケンス発生器を備える装置。該メモリアレーは、データを記憶するように形成することができる。該バーストシーケンス発生器は、該装置によって受信されたアドレス情報に応答してバーストシーケンスを生成するように形成することができる。該バーストシーケンスは、該メモリアレーにデータを記憶するための複数の位置を識別するように形成することができる。該装置は、５０ミリアンペアの最大作動電流、及び／又は、約２５マイクロアンペアの最大待機電流を持つことができる。 （もっと読む）

【課題】 外部記録媒体への入出力速度に応じて撮像装置内記憶装置の領域を動的に調整することで、撮像装置内の記憶装置の使用効率を向上させること。
【解決手段】 少なくとも画像情報等のデータを一時的に格納するための一次記憶装置、上記データを保存するための外部記録媒体を有し、さらに、上記一次記憶装置は、撮像装置およびＰＣ間で交換される上記データを保存するための転送データ格納領域を有する撮像装置において、撮像装置およびＰＣ間の上記データ交換時、上記撮像装置内外部記録媒体への入出力速度に応じて、上記転送データ格納領域を動的に調整し、変更後と変更前の差分となる上記一次記憶装置上の領域を撮像装置内他処理の使用領域として割り当てることを特徴とする。 （もっと読む）