【課題】本発明は、デュアル(ｄｕａｌ)ディスプレイパネルを有するディスプレイ装置に関する。
【課題手段】本発明によるディスプレイ装置は、 第１情報をディスプレイする第１ディスプレイパネルと、上記第１ディスプレイパネルと重なる重なり位置と上記第１ディスプレイパネルとの重なりが解除される重なり解除位置との間で往復移動し、第２情報をディスプレイする第２ディスプレイパネルと、上記第１ディスプレイパネル上に配置される第１タッチパネルと、上記第２ディスプレイパネルの上に配置されるか、或いは上記第２ディスプレイパネルの両面に一対で配置される第２タッチパネルと、上記第１および第２ディスプレイパネルの上記重なり位置と上記重なり解除位置の少なくともいずれか１つの位置に応じて、上記第１および第２タッチパネルの少なくともいずれか１つから感知された信号に基づいて上記第１および第２ディスプレイパネルの少なくともいずれか１つに駆動電圧を印加する制御部とを含むことを特徴とする。これにより、デュアルディスプレイパネルのうち少なくともいずれか１つがＯＬＥＤパネルとして用いられることにより、スリム化およびコンパクト化を実現することができる。
なお、デュアルディスプレイパネルにそれぞれタッチパネルを備え、各ディスプレイパネルを相互移動することが可能なように設けて、それぞれのディスプレイパネルに異なる情報を表示でき、これにより、製品の使用性を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】表示部の輝度を変化させる際におけるコントローラの負荷を抑制する。
【解決手段】本発明の発光装置１０は、駆動トランジスタＴｄと、発光素子１１と、発光制御トランジスタＴｓとを含む画素回路Ｐと、発光期間の時間長を示すデューティ比（発光期間データ）を、調光期間内の各単位期間Ｆについて記憶するメモリ３０と、画素回路Ｐを駆動する駆動回路２０とを含む。駆動回路２０に含まれる発光制御回路２６は、調光期間内の各単位期間Ｆにおいて、当該単位期間Ｆに対応したデューティ比をメモリ３０から読み出し、当該デューティ比が示す発光期間の時間長だけハイレベルに維持される発光制御信号ＧＥＬを生成して画素回路Ｐへ出力する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体トランジスタを用いる場合に、長寿命化や適切な画素回路動作を実現する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いたトランジスタを採用する画素回路において、駆動トランジスタやサンプリングトランジスタを、２つ以上のトランジスタが直列に接続されたマルチゲート構造（例えばダブルゲート構造）とする。酸化物半導体においてマルチゲート構造を用いることで、シングルゲート構造と同等のチャネル幅、チャネル長の電流供給能力を持たせる際に、酸素抜けが生ずる領域を狭め、チャネル材料からの酸素抜けを低減することができる。また酸化物半導体トランジスタのシングルゲート構造において生ずる恐れのある閾値補正、移動度補正の際の不適切な動作を解消できる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減することができるようにする。
【解決手段】ELパネル１０１の画素アレイ部１１１には、Ｎ×Ｍ個の画素１２１−（１，１）乃至１２１−（Ｎ，Ｍ）が行列状に配置されて構成されている。画素１２１−（Ｎ，Ｍ）は、サンプリング用トランジスタ３１、駆動用トランジスタ３２、蓄積容量３３、発光素子３４、発光素子容量３４B、および補助容量３５Aを有している。画素２１では、補助容量３５Aの一方の電極が、前段の画素１２１−（Ｎ，Ｍ−１）の電源線ＤＳＬ−（Ｍ−１）と接続されている。本発明は、例えば、有機EL素子を用いた表示装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を抑えつつ大振幅のレベル変換を実現可能なインバータ型のレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】インバータ型のレベルシフト回路１０において、初段のＣＭＯＳインバータ回路１１のｎチャネルトランジスタ１１２のサイズを、ｐチャネルトランジスタ１１１のサイズのａ倍（例えば、１００倍）以上の極端なサイズ差に設定する。このサイズ比により、貫通電流を抑えつつ、例えば０−３Ｖ振幅から０−１２Ｖ振幅にレベル変換する場合のような大振幅のレベル変換を実現する。 （もっと読む）

【課題】 各単位回路に関する移動度補償の実行時間をばらつかせない。
【解決手段】電気光学装置は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子、発光素子に駆動電流を出力する駆動トランジスター、駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る第１トランジスター、及び、一端が駆動トランジスターのゲートに接続され他端がデータ線に接続されたデータ書込用トランジスター、を含む単位回路を複数備える。前記各種のトランジスターは、それぞれ、走査線に含まれる各配線に供給される制御信号によって制御されるが、移動度補償動作時において、これらのうちの第１トランジスターを導通状態とする際には、その制御信号として、ランプ波形を含む前記第１制御信号（ＧＥＬ[ｉ]）が利用される。 （もっと読む）

【課題】特性表示ムラのない画像表示を実現できるＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子８１に供給する電流を決定する駆動トランジスタ１４と、駆動トランジスタ１４のゲート電圧を保持するための容量Ｃｓとを具備し、容量Ｃｓの一方の第１の電極には、駆動トランジスタ１４のゲート電極に接続され、容量Ｃｓの他方の第２の電極には、第１の電源と第２の電源が交互に接続され、駆動トランジスタ１４にソース信号線１０からの信号が印加される第１の期間には基準電圧の電源が接続され、駆動トランジスタ１４がＥＬ素子８１に電流を供給する第２の期間においてＥＬアノード電源が接続される。 （もっと読む）

【課題】画素毎の駆動トランジスタの閾値電圧変動具合の差を低減し、電流劣化の差による焼き付きの低減を実現する。
【解決手段】非発光期間と発光期間とから成る１サイクルの発光動作期間に、発光素子の発光動作を終了させた後、駆動トランジスタのゲートを所定電位に固定し、駆動トランジスタのドレイン・ソース間に駆動電圧を印加して、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を初期化する。そして駆動トランジスタのゲート電位の固定を解除し、また駆動トランジスタのドレイン・ソース間への駆動電圧印加を終了させて、ゲート・ソース間電圧の初期化状態を維持する。その後、閾値補正等を行って、発光動作を行う。つまり非発光期間中の閾値補正に至る前の期間は、発光階調にかかわらず、ゲート・ソース間電圧が一定とされているようにする。 （もっと読む）

【課題】薄膜発光素子の寄生容量及び配線の寄生容量に起因する薄膜発光素子の輝度の低下を抑制する薄膜発光素子の駆動回路及び駆動方法を提供する。
【解決手段】薄膜発光素子１０１と、薄膜発光素子１０１に並列に接続された電荷蓄積手段１０２と、電荷蓄積手段１０２に供給する電荷量を、電圧によって制御する電荷供給手段１０３と、薄膜発光素子１０１のアノード及び電荷蓄積手段１０２と電荷供給手段１０３との間に接続され、電荷供給手段１０３から電荷蓄積手段１０２への電荷の供給を制御するスイッチング手段１０４と、薄膜発光素子１０１に接続され、薄膜発光素子１０１への電荷の供給を制御する逆バイアス電源１０５とを有することを特徴とする駆動回路。 （もっと読む）

【課題】画素外の光検出部による正確な光検出を実現し、焼き付き補正の適正化を図る。
【解決手段】画素回路に対して、光検出部を配置する。光検出部は、画素回路の発光素子からの光を検出する光センサを含み、該光センサによる光検出情報を光検出線に出力する検出信号出力回路が形成されている。そして出力された光検出情報に基づいて画素回路に与える信号値を補正する。ここで、光検出部が光検出動作を行わない期間には、光検出部内の回路の全ノードを同電位（Ｖｃａｔ）とし、光センサやトランジスタの電気特性変動が起こらないようにする。 （もっと読む）