【課題】巨大磁気抵抗材料薄膜を製造する際に、生産性よく良質な結晶性を有する巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜することを可能にする。
【解決手段】対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。第１の段階で良質なエピタキシャル薄膜を成膜でき、の後の段階で、成膜速度を大きくして生産性を高めた状態で良質の高結晶性薄膜を成膜できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】加熱処理温度をできるだけ抑えてL1₀型の規則相を有するFePtからなる磁性膜を製造する方法、及びこの磁性膜を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Feを主成分とする層３ａと、Ptを主成分とする層３ｂとを交互に積層し、（110）配向させて成膜する成膜工程と、前記Feを主成分とする層３ａと前記Ptを主成分とする層３ｂを加熱し、前記Feを主成分とする層と前記Ptを主成分とする層との界面においてFeとPtとを拡散させ、L1₀型に規則化させる加熱工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が可能な磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体を搭載した情報記憶装置とを提供する。
【解決手段】非磁性基板２０１と、非磁性基板２０１上に形成された軟磁性裏打ち層２１０と、軟磁性裏打ち層２１０上に非磁性で非晶質のＣｏ−Ｃｒ−Ｗで形成された非磁性シード層２０２と、非磁性シード層２０２上に非磁性材料で形成された、六方最密充填構造でｃ軸が非磁性シード層２０２の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性中間層２２０と、非磁性中間層２２０上に磁性材料を主成分として形成された、情報が磁気的に記録される記録層２０３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】飽和磁化Msを低く抑えながら高Kuを提供することが可能な磁性薄膜とその成膜方法、ならびにこの磁性薄膜を適用した各種デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁性薄膜は、L1₁型の原子の規則構造を有するCo-M-Pt合金（前記Mは単一若しくは複数のCo,Pt以外の金属元素を示す。）を含むものとし、例えば、前記Co-M-Pt合金は、Co-Ni-Pt合金であり、組成は、Coが１０〜３５（ａｔ％）、Niが２０〜５５（ａｔ％）、残部はPtとする。また、前記磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ）、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、ＭＥＭＳデバイス等において使用される磁性膜に適用する。 （もっと読む）

【課題】 特に、高抵抗軟磁性膜（Ａ−Ｍ−Ｏ）を用いた磁性シートにおいて、従来に比べて適切に軟磁気特性の向上を図ることが可能な磁性シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 樹脂シート５上に、Ｃｒ膜９と、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｓｉのうち少なくともいずれか一種を表す）から成る磁性膜６とが順に積層されている。磁性膜６は、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を維持しつつ、より低抵抗であるグラニュラ膜を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯターゲット３及び強磁性体ターゲット４を備え、基板８に対してＭｇＯ及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板８上に（１１１）配向を有するＭｇＯバリア層と、前記ＭｇＯバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の成膜時の表面粗さを低減し、上部磁極等を高精度に形成することを可能にする磁性積層膜およびその製造方法、ならびに磁性積層膜を用いた磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】FeとCoを含む磁性膜１０ａ、１０ｂを成膜する工程と、該磁性膜１０ａ、１０ｂの表面に平滑化処理を施す工程と、平滑化処理が施された磁性膜の表面に、不連続膜となる膜厚に磁性材１２ａあるいは絶縁材を成膜する工程とを繰り返して、磁性膜を複数層に積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜時においてシャドウエリアの少ない基板ホルダーを備える成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜装置の基板ホルダーは、開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、開口部の内周から開口部内に向けて突出して形成されており、絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備える第１の支持部材と、絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、開口部内に向けて突出し、または開口部内から退避するように移動可能な第２の支持部材と、を有する。 （もっと読む）