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国際特許分類[H01F41/18]の内容

国際特許分類[H01F41/18]に分類される特許

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【課題】媒体の製造を同一のインライン式装置を用いて行い、これによりハンドリングによる汚染を低減し、生産性を高めることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】記録磁性層と前記記録磁性層をパターニングするためのマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着工程と、前記記録磁性層のうち、前記マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って磁気特性を改質することで、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する改質工程と、前記マスク層を除去する除去工程と、前記記録磁性層上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記キャリアから前記非磁性基板を取り外す取外し工程とをこの順で有し、前記改質工程、前記除去工程または前記保護膜形成工程の何れか一つ以上の工程を複数のチャンバに分けて連続処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】一対の強磁性層及び該一対の強磁性層の間に位置する中間層を有する磁気抵抗効果素子において、高いMR比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンDCスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンRFスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 (もっと読む)


【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】TMRセンサ1は、シード層14、AFM層15、ピンド層16、スペーサ層17、フリー層18およびキャップ層19が順に積層されたものである。ピンド層16は、AFM層15の側から、AP2層163と結合層162とAP1層161とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層17は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はMgO層である。 (もっと読む)


【課題】磁性層等で発生する腐食を防ぎ、耐環境性の向上を可能とした磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、そのような磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】基板1の上に、少なくとも磁性層2と、磁性層2を覆うカーボン保護層9とを備え、磁性層2の表面には、磁気記録領域である凸部7と、磁気記録領域を分離する境界領域である凹部6とが設けられ、磁性層2の凹部6とカーボン保護層9との間には、Cr又はTiを主として含むバリア層8が設けられている。 (もっと読む)


【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造10においては、化合物半導体1上に絶縁性薄膜2及び強磁性薄膜3が順次形成されている。絶縁性薄膜2は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜3は、Fe又はFeCo合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造10は、強磁性薄膜3から絶縁性薄膜2を通して化合物半導体1にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造10をスピンLEDに用い、化合物半導体1を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンLEDを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、媒体保護層の成膜時に加熱しても、保磁力Hcと信頼性の両方を、より高いレベルで両立させることが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【解決手段】ディスク基体110上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層122bと、水素化カーボンを主成分とする媒体保護層126とを、この順に備える垂直磁気記録媒体100の製造方法において、磁気記録層122bを、粒界部が複数の種類の酸化物を含有するように成膜する磁気記録層成膜工程(ステップS310)と、磁気記録層122bが成膜されたディスク基体110を160〜200℃に加熱した状態で媒体保護層126を成膜する媒体保護層成膜工程(ステップS330)とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶配向を劣化させず、かつ結晶粒の密度を下げずに、下地層及び磁性層の結晶粒を微細化した垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】ディスク基体11上に軟磁性層13、配向制御層14、下地層15及び主記録層17を備える垂直磁気記録媒体10であって、前記配向制御層14は、NiW、NiPd、NiCr、NiMo、NiTa、NiV、NiNb、NiZr、NiHf、NiCuから選択される少なくとも一つに酸化物を添加してなる合金を主材料とし、配向制御層14上に成長する下地層15、主記録層17の結晶粒を微細化する。 (もっと読む)


【課題】磁気記録媒体の製造方法において、媒体ノイズを低減可能な磁気記録媒体を製造することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層であるグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Co合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる前記グラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成し、前記ターゲットは、Co合金と、第1の酸化物を形成するTi酸化物及びSi酸化物と、第2の酸化物を形成するCo酸化物を含み、前記ターゲットの前記第1の酸化物の総量はモル分率で約12mol.%以下であるように構成する。 (もっと読む)


【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比(μ”/μ’)が小さな、優れた高周波用磁性材料、高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、および携帯電話を提供する。
【解決手段】基板12と、この基板12上の複数の平板体を形成する磁性相14と、磁性相の間隙を充填する絶縁体相16とから成る複合磁性膜18とを備え、磁性相14が非晶質であり、基板12の表面に平行な面内における、絶縁体相16の伸長方向の平均をX軸方向、同面内においてX軸と直交する方向をY軸方向、基板12の法線方向をZ軸方向とする直交座標系の、Y−Z平面において、平板体の長手方向がZ軸方向から傾斜し、X−Y平面において、面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料10、この高周波用磁性材料10の製造方法、この高周波用磁性材料10を用いたアンテナ装置および携帯電話。 (もっと読む)


【課題】製造における薄膜構造制御が容易であり、かつ、磁化が2500G以上、好ましくは3000G以上の磁化を有する強磁性Fe酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】一般式L100−x−yFe(但し、90≦x+y<100,27≦x≦67,37≦y≦67,L:Mo、W、Ge、CrおよびMgの一種または二種以上の元素、各数字は原子比率を示す)で表される強磁性薄膜材料を、薄膜製造装置、例えば、高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。 (もっと読む)


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