【課題】荷電粒子ビームを照射している最中に試料ステージを移動させても観察画像の歪みを生じさせないようにすることのできる観察画像取得手法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る観察画像取得方法では、フレーム間でずれが生じている走査線を特定し、観察画像のうちその走査線以外の部分を、ずれている走査線の位置に合わせるように位置補正する。 （もっと読む）

【課題】観察画像を生成するために必要なデータ容量を削減することのできる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る走査型電子顕微鏡は、試料を１以上の直線状に走査し、走査線の開始位置と終了位置を特定する情報を、試料上の走査位置を示すアドレス情報として、１走査線毎の検出信号に付与する。 （もっと読む）

【課題】所定パターンが繰り返し配列された試料の検査に適用される検査装置において、電子線のドリフト等の理由により、電子線を照射すべき位置と実際に照射された位置とに誤差が生じる。前記検査装置においてはこの誤差を小さくする必要がある。本発明の目的は、電子線の走査位置をリアルタイムに正確に制御することができる検査装置を提供することにある。
【解決手段】所定パターンが所定周期で配列された試料の検査に適用される検査装置において、検出信号から得られるパターンの位置と、既知の前記パターンの位置を含む前記パターンの位置情報とから、一次電子線が照射された位置と当該照射の目標位置とのずれ量を求めることを特徴とする。さらに、前記ずれ量を用いて前記一次電子線の照射位置の補正値を出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】走査用偏向器を有するイオンビームシステムにおいて、イオンビームの高エネルギー動作モード及び低エネルギー動作モードの両方において、高偏向周波数（高速）で、かつ偏向電圧のダイナミックレンジを広くすることなく高精度に偏向できるようにする。
【解決手段】偏向器３９をイオンビーム１９の光軸５の方向に隙間を設けて配設された第１偏向電極５１ａ、５１ｂ、５１ｃ及びこれに対向する第２偏向電極５２ａ、５２ｂ、５２ｃからなる３つの偏向電極対によって構成し、コントローラ７からスイッチ６１を介して各偏向電極に異なる電位を印加できるようにする。第１動作モード（例えば、３０ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、矢印５５で示すように全部の偏向電極対に偏向電場を発生させる。第２動作モード（例えば、１ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、偏向電極対５１ａ、５２ａのみに偏向電場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線を偏向するための電極対の数の多さ、偏向の高速性、および製造の容易性の点で有利な電極対アレイ板を提供すること。
【解決手段】 複数の荷電粒子線をそれぞれ偏向するための複数の電極対（３０３）を含む電極対アレイ板（１２３）は、複数の配線層を含む積層体（３００ａ、３００ｂ）と、該積層体に形成されて前記複数の荷電粒子線がそれぞれ通過する複数の貫通孔（３０２）と、を含み、積層体は、複数の貫通孔にそれぞれ１対ずつ形成された複数の電極対を含み、複数の電極対は、積層体の異なる複数の層にわたって、その各層に電極対のアレイを含み、複数の層のアレイは、複数の配線層のうち互いに異なる一部の配線層にそれぞれ接続されている、ものとする。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置を用いたパターンの寸法計測または、形状観察において、高スループット化を可能にする。
【解決手段】試料の表面に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の収束させた電子ビームを照射し走査して試料から発生する二次電子または反射電子を検出して試料のＳＥＭ画像を取得し、取得したＳＥＭ画像を処理して画像取得条件を設定し、設定した画像取得条件に基づいて走査電子顕微鏡で試料のＳＥＭ画像を取得し、設定した画像取得条件に基づいて取得したＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料を撮像して得たＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡装置及びその画像取得方法において、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件と、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件を変えてＳＥＭ画像を取得するようにした。 （もっと読む）

【課題】
鏡体電流ノイズで発生する電子ビーム走査ずれを低減した電子ビーム式計測および検査装置と計測および検査方法を提供する。
【解決手段】
電子ビームを被検査対象物に照射する電子照射系と、前記電子照射系から出射され該被検査対象物に照射されるまでの電子ビームを通す鏡体と、前記鏡体を通って出た電子ビームを該被検査対象物に照射して発生した二次電子を検出する二次電子検出系と、前記二次電子検出系にて検出した二次電子に基づく信号を信号処理する信号処理系と、前記電子照射系より出射した電子ビームが前記鏡体を通る際に前記鏡体に流れる電流値を計測し、該電流値と予め定めた電流値とビーム位置ずれとの関係に基づき電子ビームの照射位置を補正する補正手段と、を備える計測または検査装置である。 （もっと読む）

【課題】補正テーブルを用意しなくても、イメージシフトずれの補正を短時間化および高精度化した荷電粒子線装置および該装置の制御方法を提供する。また、電子ビームの原点である光軸から比較的遠くにある測定点へも正確にイメージシフトさせることができる荷電粒子線装置および該装置の制御方法を提供する。
【解決手段】前記荷電粒子線の原点の走査位置における基準画像の重心、および第ｎ番目の走査位置における第ｎ番目の画像の重心をそれぞれ求め、両者の重心の差分からイメージシフトずれ量を計算する画像処理部と、前記偏向量およびイメージシフトずれ量から、前記第ｎ番目の走査位置に対応するイメージシフトずれ量を補正するための第ｎ番目の補正式を作成し、前記補正式から計算した補正量を前記偏向量に加減する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体製造プロセスにおける微細化や高集積化が進み、観察対象箇所が密集している場合が増えている。このような場合に従来のプリチャージに関する技術を用いて観察を行うと、プリチャージによる電子ビームの走査が重複し、試料表面上の帯電電位が絶縁破壊限界電圧を超えてしまい、電子ビームの走査が重複した領域において絶縁破壊が引き起こされる。本発明は絶縁破壊の危険性を低減する欠陥観察方法、及び荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プリチャージに関する技術を用いて試料を観察する場合において、一度の帯電制御処理で複数の画像を撮像する。またプリチャージ走査領域が重複する観察対象箇所を、一度に帯電制御する観察対象箇所ごとのグループにグルーピングし、前記グループごとに帯電制御処理を実行することにより絶縁破壊の危険性を低減する。 （もっと読む）