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国際特許分類[H01J37/147]の内容

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電子光学的またはイオン光学的構成体の外部からの機械的調整

国際特許分類[H01J37/147]に分類される特許

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【課題】従来の電子顕微鏡においては、直交度は電子顕微鏡毎に電子顕微鏡とは独立にあらかじめ直交と想定して製作された格子状サンプルを該当の顕微鏡で像観察し、該サンプルが画面上で直交として観察されるように該電子顕微鏡制御回路に補正をかけることで定義していた。また補正は画面上での目視による判断であり、補正も人による手動で実施していた。しかし、この方法においては格子状サンプルの製作上のばらつきにより、装置毎の直交度にばらつきが生じる可能性があった。また補正を手動で実施することで補正精度にばらつきが生じるといった問題があった。
【解決手段】上記目的を達成するために、直交度規定用に格子状サンプルではなく粒子状サンプルを使用し、円であるべき像を円として観察されるような調整を実施することで、直交度を規定することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ13は、荷電粒子線30を偏向する偏向器31を複数備える。ここで、偏向器31を構成する、荷電粒子線30が通過する開口部32に対して設置される電極対33、および該電極対33に電圧を印加する制御回路34は、第1層40および第2層41の少なくとも2つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも1つ(第1層40)は、電極対33と制御回路34との間に、断熱部42を有する。 (もっと読む)


【課題】従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置100は描画対象となる基板の高さ方向分布を測定するZ測定部50と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を基板の高さ方向分布に加算して、補正するZマップ補正部54と、補正されたZマップを用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算するZ補正部60と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に電子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部62と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 不要なイオンの放出を抑制することができ、不要なイオンによる下流の線形加速器側の汚染を低減する。
【解決手段】 レーザ光の照射によりイオンを発生させるレーザ・イオン源であって、真空排気される容器10と、容器10内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲット21が収容された照射箱20と、照射箱20からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして容器10の外部に導くイオンビーム引き出し部12と、照射箱20から引き出されたイオンビームを静電力により収束する静電レンズ51と、静電レンズ51の下流側の位置に設けられ、該位置で収束されたイオンビームを通過させるアパーチャ52とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 絶縁体パターンであっても,撮影中一次荷電粒子線照射起因帯電の影響を抑制し,二次荷電粒子の検出率の変化を抑制することにより視野内の計測歪みを抑制することのできる走査型荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 試料8上の二次元領域に対し,荷電粒子線4のライン走査の方向が交互に反転するように走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡において,荷電粒子線4の走査ライン間距離は,試料8に荷電粒子線4を照射したときの,試料8の帯電特性又は試料8の明度の視野内均一性に基づいて調整される。 (もっと読む)


【課題】透過型電子顕微鏡おいて、光学素子をセンタリングする際にコントラスト向上素子の汚染や損傷を防止する方法の実現。
【解決手段】透過型電子顕微鏡500の複数の光学素子を用いることにより非散乱電子ビームを偏向して、回折平面に配置されたコントラスト向上素子518に該電子ビームが照射されないように調節する。更に、該電子ビームを逆戻りに偏向する事により再び光軸に戻すように調整して光学素子のセンタリングを行う。 (もっと読む)


【課題】例えば、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、偏向器を有し、該偏向器で偏向された荷電粒子線で基板に描画を行う。ここで、偏向器19は、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対を構成し、かつ、線を介して電位を与えられる電極d(d1〜d4)と、電極dに一端が接続され、かつ、他端が接地されたコンデンサ50とを含む。 (もっと読む)


【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域200の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域200を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク100に対し、下地と評価用マーク100の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 (もっと読む)


【課題】傾斜した試料の表面をチルトビームおよび左右視差角像で、焦点を連続的に補正しながら観察する際に、発生する視野ずれを抑制することのできる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 試料10表面に一次荷電粒子線の焦点を結ばせる対物レンズ7と一次荷電粒子線をチルトさせる傾斜角制御用偏向器53の中間に、視野補正用アライナー54を設置し、傾斜角制御用偏向器53のチルト角、レンズ条件、対物レンズ7と試料10までの距離からもとまる補正量にて、一次荷電粒子線のチルト時に発生する視野ずれを、対物レンズ7の焦点補正に連動して補正する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子顕微鏡のレンズ条件を変化させることなく、予備帯電によってもたらされる電位勾配を抑制する走査型電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料表面を帯電させる第1のビームを試料上に走査した後に、試料より放出される電子を検出するための第2のビームを走査するように、走査偏向器を制御すると共に、第1のビームの走査領域の中心部に対して相対的に、第1のビームの走査領域の周辺部の電荷密度を高めるように、前記第1のビームを走査することを特徴とする走査電子顕微鏡を提案する。 (もっと読む)


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