【課題】各ピクセルの輝度値の信頼性が均一な画像を得ることができ、１フレーム分の画像の取得に要する時間を効果的に短縮することが可能な、電子顕微鏡の制御方法、電子顕微鏡、プログラム及び情報記憶媒体を提供すること。
【解決手段】電子ビームが電子顕微鏡像を構成する所与のピクセルに対応する試料上の位置を照射しているときに連続的に取得された複数の検出信号の平均値ｍを求める処理と、求めた平均値ｍに基づき、検出信号の母集団の期待値μが信頼区間ｍ±ｋに位置する確率γが所定の閾値ｐを超えたか否かを判定する処理とを、確率γが所定の閾値ｐを超えるまで繰り返し、確率γが所定の閾値ｐを超えたと判定された場合に、求めた平均値ｍを当該照射位置に対応する電子顕微鏡像のピクセル値として出力し、且つ電子ビームの走査として電子ビームの照射位置を移動させるための制御を行う。 （もっと読む）

【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】リボン状のイオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を電界レンズにより調整する場合に、従来の電界レンズで発生していたイオンビームの長辺方向における伸縮作用を低減させる。
【解決手段】このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム２の長さ方向におけるビーム電流密度分布の計測結果に応じて、イオンビーム２の長辺方向における少なくとも一部を略短辺方向に向けて偏向させる偏向電極５と偏向されたイオンビーム２を部分的に遮蔽する遮蔽部材６を備えている。また、偏向電極５はイオンビーム２の短辺方向からイオンビーム２を挟んで対向配置された１枚の平板電極１１と電極群１２で構成されている。そして、平板電極１１は電気的に接地されているとともに、電極群１２を構成する複数の電極１３〜１７は互いに電気的に独立していて、各電極には電位設定を行う為の複数の電源Ｖ１〜Ｖ５が個別に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法により基板上の複数の領域に異なる或いは同一の膜厚のめっき膜を形成する際の、電解めっきの印加電圧やパターンめっきの為のパターンレイアウトなどに関する制約を少なくした電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の領域１４、１５に所定の膜厚のめっき膜５、６を形成する電解めっき方法である。基板１上の複数の領域１４、１５に夫々めっき電流が流れる経路の少なくとも１つに、オーミック特性を有する抵抗体４を配し、複数の領域１４、１５に同時に電解めっきによりめっき膜５、６を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】基板寸法の大型化に伴って、リボン状のイオンビームの長さ方向における寸法を長くした場合であっても、従来の構成に比べて、消費電力が小さく、磁極間での磁場分布が均一で、しかも、寸法の小さい質量分離マグネットを備えたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置ＩＭは、リボン状のイオンビーム１を生成するイオン源２と、イオンビーム１の主面を介して対向配置された一対の磁極９を有し、磁極９間で発生される磁場Ｂによって、イオンビーム１の進行方向をイオンビームの長さ方向に偏向させる質量分離マグネット３と、所望するイオン種を含むイオンビーム１を通過させる分析スリット４と、分析スリット４を通過したイオンビーム１が照射される基板６が配置された処理室５とを有している。そして、磁極９間で発生される磁場Ｂの方向が、質量分離マグネット３内を通過するイオンビーム１の主面を斜めに横切る方向である。 （もっと読む）

【課題】 真空室内のデバイスに高速かつ大量に信号を伝送するにあたり、該デバイスへの熱の流入の少なさの点で有利な技術を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、減圧室に配置され、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするブランキング偏向器と、前記減圧室より気圧の高い外部室に配置され、前記ブランキング偏向器を制御するためのデバイスと、第１基板と、を備える。前記第１基板は、前記減圧室と前記外部室とを仕切る隔壁を構成し、かつ、該隔壁となる領域に形成された貫通孔に充填された電極を含む。前記デバイスは、前記電極を介して前記ブランキング偏向器と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エネルギーフィルタのエネルギー分解能を向上することを目的とする荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料から放出される荷電粒子をエネルギーフィルタに向かって偏向する偏向器を備えた荷電粒子線装置において、当該偏向器の複数の偏向条件ごとに、エネルギーフィルタへの印加電圧を変化させたときに得られる輝度値の変化を求め、当該輝度値の変化が所定の条件を満たす偏向条件を、前記偏向器の偏向条件として設定する荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【目的】荷電粒子ビームの偏向位置でのドリフト量を、短時間で評価する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】ステージ上に固定される複数の基準マークに荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の基準位置情報を取得する基準位置情報取得工程と、ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第１の描画工程と、ステージを静止した状態で荷電粒子ビームを偏向させることにより、基準マークに順次荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の評価位置情報を取得する評価位置情報取得工程と、評価位置情報と基準位置情報とを比較する比較工程と、比較工程の結果から荷電粒子ビームの偏向状態でのビーム位置のドリフト量を算出するドリフト量算出工程と、試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第２の描画工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）