【課題】偏向信号に歪みが生じても、その取得された観察画像の精度を保障する走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡１０において、画像切出部１９より、電子線１３を偏向する偏向信号ｓ４，ｓ５の電圧値若しくは電流値を輝度として切り出した偏向画像２１，２３を、観察画像と同時に取得する。さらに、この偏向画像２１，２３の輝度情報の傾きを基に観察画像の１画素当たりの観察物上の長さl_Ｘｎを補正したり、偏向信号ｓ４，ｓ５の電圧値若しくは電流値を基に電子線１３の偏向速度ｖ_Ｘが一定になるように偏向制御信号ｓ１を補正することで、観察画像の精度を保障する。 （もっと読む）

イオンビームの偏向、減速及び集束を制御する方法及び装置を開示する。装置は、イオンビームの両側に配置した複数の上部及び下部電極の他に電極に印加した電圧を調整する制御システムも含むグレーデッド形偏向／減速レンズを備えることができる。上部及び下部電極の対の間の電位の差は、イオンビームの偏向及び減速を独立に制御することが動作可能な１セットの「仮想ノブ」を用いて変動させる。仮想ノブは、ビーム集束及び残留エネルギー汚染の制御、上流の電子抑制の制御、ビームの偏向の制御、及び、ビームの位置をレンズの出口に制約する間の、ビームの最終偏向角の微調整を含む。一実施形態では、ビームの位置をＶＥＥＦの出口に制約する間に、ビームの偏向の微調整により、これを行う。別の実施形態では、ウエハー平面でのビームの位置及び角度を測定する間に、ビームの偏向の微調整により、これを行う。さらなる実施形態では、ウエハー平面でビームを中心に置くために、偏向因子の調整により、これを行う。
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【課題】ニュートラライザの寿命を向上させるとともに、被加工物の帯電を効果的に除去し、ビーム加工位置を長時間に亘って安定させて成果物の品質を向上させる。
【解決手段】ニュートラライザ１０２は、印加される電圧Ｖ_Ｎに応じた照射量の電子を被加工物に照射する。変位量算出部１２５は、被加工物の目標加工位置を基準とするビーム加工位置の変位量ΔＧを算出する。電圧値設定部１２６は、変位量算出部１２５で算出された変位量ΔＧが所定閾値を上回った場合、ニュートラライザ１０２に印加する電圧の電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、被加工物の中和に必要な荷電粒子の照射量となる第１電圧値に設定する。また、電圧値設定部１２６は、変位量ΔＧが所定閾値を下回った場合、電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、第１電圧値よりも低い第２電圧値に設定する。電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の状態が変化しても、容易に光軸の調整を可能とする荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の調整方法を提供する。
【解決手段】アライメント偏向器の偏向条件を第１の状態にしたときに、光学素子を少なくとも２つの状態に変化させたときの試料像間の第１のずれを検出し、アライメント偏向器の偏向条件を第２の状態にしたときの試料像間の第２のずれを検出し、当該２つのずれの情報に基づいて、前記アライメント偏向器の動作条件を決定する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、粒子線ビームを偏向あるいは集束・発散する静電多極子型の偏向器・レンズの製造方法および静電多極子型の偏向器・レンズに関し、作成が容易で失敗がなく熟練を要しなく、製造費用が極めて安く、治具と多電極子の精度により高精度を得ることを目的とする。
【構成】静電多極子を構成する各電極子について、軸方向の位置および軸方向と直角方向である半径方向の位置を所望の位置に固定する治具と、静電多極子を構成する各電極子を固定すると共に固定した各電極子に電圧を印加するためのパターンを設けたプリント基板とを備え、静電多極子を構成する各電極子を治具に固定して静電多極子の軸方向および半径方向の位置を所望の位置に保持した状態で、各電極子をプリント基板のパターンに固定した後、治具を解放して静電多極子をプリント基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、前フレームの走査によって生じる帯電の影響の抑制と、同じ順番にて走査されることによって生じる走査パターン固有の帯電現象の抑制の両立を実現する荷電粒子線走査方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、所定の走査パターンにて荷電粒子ビームを走査する荷電粒子ビーム走査方法、及び装置において、フレーム更新に従って、走査線の垂直方向における走査始点を、所定の方向に、所定量ずつ変化させる方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、前フレームでのビーム走査によって、帯電が最も蓄積されていると考えられる最終走査線位置を避けつつ、フレーム毎に走査パターンを変化させることができるため、部分的な明るさの偏りがない荷電粒子ビーム画像を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】SACP法およびSACP法を行うための粒子光学系を提案する。
【解決手段】SACP法は、粒子光学系を用いて物体表面に荷電粒子ビームを向けるステップと、物体から放出した粒子の強度を検出するステップとを含む。粒子光学系は、ビームを集束するための対物レンズと、ビーム経路で対物レンズの上流側に配置した第１ビーム偏向器と、ビーム経路で第１ビーム偏向器と対物レンズとの間に配置した収差補正器と、ビーム経路で収差補正器の下流側に配置した第２ビーム偏向器とを備える。SACP法は、（ａ１）第２ビーム偏向器の励起を調整し、物体表面におけるビームの入射位置を調整するステップと、（ａ２）第１ビーム偏向器の励起を調整し、入射位置を変更することなしに物体表面におけるビームの入射角を調整し、強度を検出するステップと、（ａ３）ステップ（ａ２）を繰り返し、同じ入射位置における少なくとも１００個の異なる入射角についてそれぞれ対応した強度を検出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】重イオンビームを収束することができるキャピラリーを製造する装置を提供する。
【解決手段】室内を真空にする手段を有する製造室１０を備え、前記製造室内１０に、管状金属１２の端部に、前記管状金属１２の長手方向に対して外向きに荷重を加える荷重装置と、前記管状金属１２の一部を加熱する加熱装置とを備え、室内を真空にした前記製造室１０内で、荷重を加えた前記管状金属１２の一部をクリープ温度まで加熱し、前記管状金属１２の加熱された部分が、前記管状金属１２の長手方向に対して外向きに伸延されて、破断することによって、破断した端部に向かって先細となるような形状の金属キャピラリーを形成する金属キャピラリー製造装置。 （もっと読む）

【目的】荷電粒子ビームの光軸が偏向器内の中心付近をできるだけ垂直に進むように調整する装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、電子ビームを偏向して、試料上の所望の位置へと荷電粒子ビームを照射する偏向器２０８と、偏向器２０８に流れる電流値を測定する電流測定部１２２と、電流値を用いて、偏向器２０８内を通過する電子ビームの光軸をアライメントする第１と第２のアライメントコイル２１２，２１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画精度を低下させる要因毎の補正係数を効率よく求めて、精度よく描画することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】近接した小パターン１〜４からなる複数のパターン１０ａ〜１０ｄを準備する。ステージを加減速しながら移動させて試料に第１の小パターン１のみをＸ方向に順に描画した後、同様にして第２の小パターン２のみを−Ｘ方向に順に描画する。次に、ステージを等速で移動させながら試料に第３の小パターン３のみをＸ方向に順に描画した後、同様にして第４の小パターン４のみを−Ｘ方向に順に描画する。描画した小パターン１〜４の各位置情報を用いて次式から速度補正係数αと加速度補正係数βを算出する。
Ｐ_１−Ｐ_２＝２αＶ（Ｐ）、（Ｐ_１＋Ｐ_２）−（Ｐ_３＋Ｐ_４）＝２βＡ（Ｐ） （もっと読む）