【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、ＳＦ_６ガスを含むエッチングガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の上の樹脂に型を押し付ける際に型の一部に応力が集中することを抑制し、インプリント装置における重ね合わせ精度の改善に有利な技術を提供する。
【解決手段】基板の上のインプリント材と型とを接触させた状態で当該インプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から前記型を離型することで前記基板にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型の前記基板に転写すべきパターンが形成されたパターン面とは反対側の裏面と接触する接触面を含み、前記接触面を介して前記型を保持するチャックと、前記型及び前記基板の少なくとも一方を駆動して前記インプリント材に前記型を押印する押印機構と、を有し、前記接触面は、前記型の裏面に対して前記パターン面とは反対側に湾曲した湾曲面を含むことを特徴とするインプリント装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】小型化及びコスト低減を実現した紫外線照射装置及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に対する紫外線照射を行う処理室と、少なくとも処理室内の基板を加熱する加熱機構と、処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように処理室内に気体を供給する気体供給部と、紫外線照射装置内に基板の搬入を行うための基板搬入口と処理室との間に少なくとも設けられ、処理室に連通されることで処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えた紫外線照射装置に関する。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形状変化が生じた場合であっても、樹脂フィルムの凹凸パターンを基板の所望とする位置に合わせることができるアライメント方法を提供すること。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンが形成された樹脂フィルム１１と、前記凹凸パターンが転写されるべき光硬化性樹脂層１６を有する基板１５とを貼り合わせる際に、前記樹脂フィルム１１と前記基板１５とを位置合わせするアライメント方法であって、前記樹脂フィルム１１はその平面形状が多角形であり、前記樹脂フィルム１１の頂点部分は保持せずに辺の縁部を保持して平面方向に伸長する工程を含むことを特徴とするアライメント方法。 （もっと読む）

【課題】洗浄によるパターンの劣化を抑制することができるテンプレート処理方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のテンプレート処理方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレート１を処理する。実施形態のテンプレート処理方法は、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆する。次に、被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆した状態で、テンプレート１を洗浄する。次に、被覆部材１１を除去して前記第２のパターンを露出させる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、精度よくアライメントすることができるアライメント方法、及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかるアライメント方法は、基板１１の一部に複数の粒子１５を散布するステップと、複数の粒子１５の座標を検出するステップとを備えている。さらに、本発明の一態様にかかるアライメント方法は、複数の粒子１５をアライメントマークとして用いて、基板１１のアライメントを行うステップと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】パターン密度に応じて発生する表示画質劣化や表示速度低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、階層化された描画データに含まれる第１階層の要素に対応する第２階層の要素群を順次読み込むデータ読込部と、第２階層の要素数を取得する要素数取得部３１と、第２階層の要素数に応じて区画サイズを調整し第１階層の要素を複数の区画に分割し、区画ごとにフラグを有する区画マップを形成するマップ形成部３２と、読み込まれた第２階層の要素の位置に対応する区画のフラグが、その区画を表示する表示処理を許可する許可状態又は禁止する禁止状態であるかを判断するフラグ判断部３３と、区画のフラグが許可状態であると判断された場合に表示処理を許可し、区画のフラグが禁止状態であると判断された場合に表示処理を禁止する処理制限部３４と、表示された区画のフラグを許可状態から禁止状態に切り替えるフラグ切替部３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】面状放電を１対の同軸状電極間の管状放電に繋ぎ換えてプラズマを封じ込める磁場（磁気ビン）を形成するプラズマ光源において、面状放電から管状放電への繋ぎ換えを容易にする。
【解決手段】対向配置された第１及び第２の同軸状電極１０、１０´と、第１及び第２の同軸状電極１０、１０´内のプラズマ媒体をプラズマ発生に適した温度及び圧力に保持するチャンバー２０と、第１及び第２の同軸状電極１０、１０´に極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置３０と、を備え、第１及び第２の同軸状電極１０、１０´間に管状放電４３を形成してプラズマ３を軸方向に封じ込めるプラズマ光源であって、対向するガイド電極の先端を互いに電気的に接続する接続部材１９を有し、該接続部材１９は、その中点Ｍにおいて、接地されるとともに、１対の同軸状電極１０に、それぞれ対応する電圧印加装置３０の経路を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）