【課題】混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第１および第２処理液を供給する第１供給部（３２、２００）と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１および第２処理液を供給する第２供給部（１２０，１３０）とを備えている。第１供給部および第２供給部にはそれぞれ、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続されている。第１供給部は、第１および第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第２処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有している。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント用テンプレートの欠陥部を荷電ビームにより修正する欠陥修正方法であって、荷電ビームによる電荷の滞留を低減し、電荷滞留による修正箇所の位置ずれがなく所望の欠陥修正をすることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】テンプレートの欠陥部を含む一主面上に導電性高分子を塗布して導電膜を形成する工程と、前記導電膜を形成したテンプレートを走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、欠陥検査装置の検査データをもとにして前記欠陥部を検出し、欠陥部の修正すべき領域を決定する工程と、修正すべき領域に荷電ビームを照射し、修正すべき領域の導電膜部分を除去し、欠陥部を露出させる工程と、露出させた欠陥部にアシストガスを吹き付けながら荷電ビームを照射し、欠陥部をエッチングして修正する工程と、導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結像性への影響を最小限に抑えつつ被照明面での照明むらを容易に調整できる補正光学系を備える照明光学系を提供する。
【解決手段】 照明光学系１は光源１１からの照射光がインテグレータ光学系１４を経てコンデンサレンズ１７に入射して被照明面２０に導かれる。この照明光学系１に、照度むらを補正するために、インテグレータ光学系１４の出射側に補正光学系１５を配置する。補正光学系１５は、２つの屈折光学素子１５ａ、１５ｂを有していて、屈折光学素子１５ｂは光軸に対して移動可能である。 （もっと読む）

【課題】離型力が小さく、発泡による欠陥が少なく、かつ生産性に優れた膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、重合性モノマーと、光刺激によりガスを発生する感光性ガス発生剤と、を含む光硬化性組成物を塗布して塗布膜（被形状転写層１）を形成する工程と、前記塗布膜にモールド３を接触させる工程と、モールド３を介して前記塗布膜に光を照射して前記塗布膜を硬化させると共に前記塗布膜内にガスを発生させる工程と、前記塗布膜に光を照射した後、前記塗布膜からモールド３を離し、基板２上に所定のパターン形状を有する膜（硬化膜１１）を形成する工程と、を含み、前記塗布膜に光を照射する工程において、前記塗布膜に含まれる重合性モノマーの重合反応の反応速度が、前記塗布膜に含まれる感光性ガス発生剤のガス発生反応の反応速度よりも速いことを特徴とする、膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面の高さレベルを決定する際のより多くの融通性及び／又は効率的レベルセンサ技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗ表面の高さレベルを決定するように構成されたレベルセンサであって、基板Ｗ上の反射後に測定ビームを受光するように配置された検出ユニットを備え、検出ユニットは、各検出素子が測定エリア８１、８２、８３、８４の測定サブエリア８ａ上に反射した測定ビームの一部を受光するように配置された検出素子のアレイを備え、それぞれの検出素子によって受光された測定ビームの部分に基づいて測定信号を提供するように構成され、処理ユニットは、測定サブエリア８ａでの選択された解像度に応じて、測定サブエリア８ａの高さレベルを計算し、又は複数の測定サブエリア８ａの組合せの高さレベルを計算するように構成された、レベルセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】スキャン移動の効率を向上させることができるレチクルアセンブリを備えるリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】第１イメージフィールドおよび第２イメージフィールドが基板上の第１ターゲット部分および第２ターゲット部分上に投影されるリソグラフィプロセスにおいて使用されるレチクルアセンブリＭＴであって、第１イメージフィールドと第２イメージフィールドとの距離が第１ターゲット部分と第２ターゲット部分との距離に対応するように、第１イメージフィールドを有する第１レチクルＭＡ１および第２イメージフィールドを有する第２レチクルＭＡ２を保持するように配置される、レチクルアセンブリＭＴである。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 （もっと読む）

【課題】熱や周囲環境の変化により伸縮して形状変化が生じた樹脂スタンパの形状を調整することができる樹脂スタンパ用ステージを提供すること。
【解決手段】一方の表面に微細な凹凸パターンが形成された樹脂スタンパ１６を、その凹凸パターン形成面とは反対側の面が接するように載置するための載置台１２を有し、該載置台１２は、前記樹脂スタンパの反対側の面を吸引する複数の吸引孔１５を有する吸引機構１４と、前記複数の吸引孔１５を、前記樹脂スタンパが載置される載置面１２ａの平面方向にそれぞれ独立して移動させる移動機構と、を備えていることを特徴とする樹脂スタンパ用形状調整ステージ。 （もっと読む）

【課題】熱や周囲環境の変化により伸縮して形状変化が生じた樹脂スタンパの形状を調整することができる樹脂スタンパ用ステージを提供すること。
【解決手段】一方の表面に微細な凹凸パターンが形成された樹脂スタンパ１６を、その凹凸パターン形成面とは反対側の面が接するように載置するための載置台１２を有し、該載置台１２は複数に分割され、該分割されてなる複数の分割載置部１２−１〜１２−９の少なくとも一部は、前記樹脂スタンパの前記反対側の面側から前記樹脂スタンパを固定する固定機構と、前記載置台の載置面の平面方向に移動する移動機構と、を有することを特徴とする樹脂スタンパ用形状調整ステージ１０。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素含有ウェハ表面とレジストとの密着性を改善することが可能な、表面処理液及び表面処理方法を提供すること。
【解決手段】窒化ケイ素を含むウェハ表面にレジストを成膜する前に、該ウェハ表面を疎水化することにより該ウェハとレジストとの密着性を改善するための窒化ケイ素含有ウェハ用表面処理剤であって、前記処理剤が下記一般式［１］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする、窒化ケイ素含有ウェハ用表面処理剤。
Ｒ^１_ａＳｉＸ_４−ａ ［１］
［式［１］中、Ｒ^１は、それぞれ互いに独立して、水素基、又は炭素数が１〜１８の炭化水素基であり、該炭化水素基の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。式［１］においてＲ^１として含まれる炭素原子の総数は６以上である。Ｘは、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である１価の官能基、及び、ハロゲン基から選ばれる少なくとも１つの基であり、ａは１〜３の整数である。］ （もっと読む）