【課題】パターンの凹部の厚さの計測に有利な技術を提供する。
【解決手段】残膜厚を算出するときに用いる光の入射条件を決定する方法は、残膜厚ＲＬＴとパターンの厚みとの計測感度の差が大きな第１偏光状態の反射光を生成する光の複数の第１入射条件と、残膜厚ＲＬＴの計測感度が良い第２偏光状態の反射光を生成する光の複数の第２入射条件とを組み合わせた複数の組み合わせのそれぞれについて、得られた反射光の強度を独立変数とし、前記情報を用いて得られた前記凹部の厚さを従属変数とする回帰式を作成し、作成された複数の回帰式のうち回帰誤差が許容条件を満たす回帰式に対応する第１入射条件を前記第１偏光状態の反射光を生成する入射条件として、該回帰式に対応する第２入射条件を前記第２偏光状態の反射光を生成する入射条件として、それぞれ決定する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で細かく設定したエリア毎の露光量を調整し、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】基板ステージ２上の基板Ｇと原版ステージ３上の原版Ｍとを同期移動させながら前記原版のパターンを前記基板上に露光する露光装置１であって、前記基板ステージの上方に設けられ、前記基板に対し局所的に光を照射する局所露光部２０と、前記局所露光部の発光駆動を制御する制御部４０とを備え、前記局所露光部は、基板幅方向にライン状に配列され、前記基板ステージによって移動される前記基板に対し光照射可能な複数の発光素子Ｌと、前記複数の発光素子のうち、１つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素元素を含むウェハとレジストとの密着性を高めることが可能な表面処理液及び表面処理方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ表面にケイ素元素含有ウェハ用表面処理液を接触させて、該ウェハ表面を疎水化する、表面処理工程、前記ウェハ表面から前記処理液を除去する、処理液除去工程、前記ウェハ表面にレジストを成膜する、レジスト成膜工程を含み、表面処理工程において下記一般式［１］で表されるケイ素化合物と、酸と、希釈溶媒とを含むケイ素元素含有ウェハ用表面処理液を用いる。
Ｒ^１_ａＳｉＸ_４−ａ ［１］
［式［１］中、Ｒ^１は、それぞれ互いに独立して、水素基、又は炭素数が１〜１８の炭化水素基であり、該炭化水素基の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｘは、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基であり、ａは１〜３の整数である。］ （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−０−１）又は式（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）と式（ａ６−１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該構成単位（ａ５）を有する重合体に対して１００ｐｐｍ以下のレジスト組成物。式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３は単結合又は連結基；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは環を形成してもよい。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオン、Ａ⁻はアニオンを含む基；Ｍ^ｍ＋は芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン；ｍは１〜３の整数；Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基；Ｐ^３は芳香族炭化水素基である。
［化１］
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【課題】露光余裕度が大きく、かつラフネスが低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む下記構成単位（ａ１０）と、−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位と、アクリル酸エステルから誘導され極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位と、を有する樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式中、Ｒ^２は一般式（ａ１０−１）又は下記一般式（ａ１０−２）で表される基であり、Ｘは酸素原子又はＣＨ_２である）
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【課題】微細なネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜を露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により発生した塩基と予め供給された酸とを中和させ、未露光部において予め供給された酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像しレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程（５）と、熱処理を行い被覆膜を熱収縮させてパターン間の間隔を狭める工程（６）と、被覆膜を除去する工程（７）とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】安定してＥＵＶ光を生成する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、前記ターゲット物質に照射する前記レーザ光を出力するレーザ装置と、前記レーザ光の波面を調節する波面調節器と、前記ターゲット物質で反射された前記レーザ光を結像させる結像光学系と、結像された像を撮像する像検出器と、前記像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】樹脂スタンパの変形が生じた場合であっても、樹脂スタンパと基板との位置合わせを精確に行うことができるアライメント方法を提供すること。
【解決手段】一方の表面に微細な凹凸パターンが形成された樹脂スタンパ１６の該微細な凹凸パターンを基板１８上に形成された光硬化性樹脂層２０に転写する際に、前記樹脂スタンパ１６と前記基板１８とを位置合わせするアライメント方法であって、以下の工程：前記基板１８に対向するように配置されたステージ１２に、前記凹凸パターン形成面１６ａとは反対側の面が接するように前記樹脂スタンパ１６を載置し、該樹脂スタンパ１６を前記反対側の面側から固定する固定工程；前記樹脂スタンパ１６の変形部位を検出する検出工程；及び前記変形部位の検出結果に基づいて、前記固定した状態で前記樹脂スタンパ１６をその平面方向に伸縮する伸縮工程；を含むことを特徴とするアライメント方法。 （もっと読む）