【課題】 基板保持部の高さ調整に伴う残留応力の低減に有利なステージ装置を提供する。
【解決手段】 ステージ装置は、基盤と、基板を保持する基板保持部と、前記基盤上に設置され前記基板保持部の位置を変更可能に前記基板保持部を支持する少なくとも１つの支持部とを備える。前記少なくとも１つの支持部のそれぞれは、１つの第１調整部と複数の第２調整部と制御部とを含む。第１調整部は、前記基盤上に固定された一端部と前記基板保持部に固定された他端部とを有し、該他端部の位置を調整可能である。第２調整部と、前記基盤上に固定された一端部と、前記基板保持部と結合している第１状態と前記基板保持部と結合していない第２状態とに切り替え可能な他端部とを有し、該他端部の位置を個別に調整可能である。制御部は、前記複数の第２調整部及び前記第１調整部の少なくとも１つの他端部の位置を調整する間、前記複数の第２調整部の他端部のすべての結合状態が前記第２状態となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】設置が容易な機構を用いてかつ小さい力で、反射部材の反射面を種々の形状に変形可能とする。
【解決手段】照明光ＩＬを反射するデフォーマブルミラー５０であって、照明光ＩＬを反射する凹面鏡よりなるミラー２２と、ミラー２２の反射面２２ｄの裏面２２ｅに設けられた凸状のミラーポスト２４と、ミラーポスト２４の先端部をミラーポスト２４が延びる方向に交差する方向に変位させる荷重付与系５８と、ミラーポスト２４の先端部の変位を計測する位置センサ６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光学素子の光が入射又は透過する面の変形を抑制した状態でその光学素子を保持する。
【解決手段】照明光ＩＬを反射するミラー２２を有するミラー保持装置５０であって、凹面鏡よりなるミラー２２の照明光ＩＬが入射する反射面２２ａの裏面２２ｂに設けられて、反射面２２ａよりも断面形状が小さい凸状の連結部２３と、連結部２３に設けられて、連結部２３よりも断面形状が大きい被保持部２４と、被保持部２４を支持するクランプ部２５と、クランプ部２５が設けられたカバー部材５５と、カバー部材５５が固定された分割鏡筒４７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マニホールド内のエアを十分に排出可能なダイヘッド及びこれを備えたダイコーターを提供する。
【解決手段】レジスト液Ｒを第１及び第２スリット２４、２５に供給するマニホールド２３が長手方向に延びて形成され、マニホールド２３の上端にはレジスト液Ｒを導入する導入口１５が設けられ、マニホールド２３の下端と連結される第１及び第２スリット２４、２５からレジスト液Ｒが吐出されるダイヘッド３において、マニホールド２３を形成する上壁面２２ｅが、導入口１５を下端として長手方向に勾配を有し、その上端にはエアを排出するエア排出口１６ａ、１６ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光リソグラフィーにおいて、ラフネスの低減を実現できる材料を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）で表される環状化合物。（式中、Ｒはカルボン酸誘導体基置換フェニル等、Ｒ^１は水酸基、アルコキシ基、又はＯＲ^Ｌ（Ｒ^Ｌは光反応性基を含む基）等、Ｒ^２は水素原子等を表す。）
（もっと読む）

【課題】良好な形状を有するレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し環を形成する；Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基等；ｍ及びｎは、それぞれ０又は１；Ｘ^１は、単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−＊（ｌは１〜６の整数、＊はＯとの結合手を表す。）等を表す］ （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージンが広いレジスト組成物に用いられる樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を含む樹脂。


［Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数３〜３４の脂環式炭化水素基を表し、置換基を有してもよい。Ｘ^１は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−；Ｒ^ｃは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｚ^１は、−Ｘ^２−又は−Ｘ^３−Ｘ^４−ＣＯ−Ｘ^５−；Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基；Ｘ^４は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｄ）−；Ｒ^ｄは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】縮合物の保存安定性と、該縮合物を加熱焼成し膜とした際、鉛筆硬度５Ｈ以上の硬質な膜を得、かつ膜厚３．０μｍ以上の膜にクラックを発生させない、シラン系組成物、およびその硬化膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）：（ＣＨ_３）Ｓｉ（ＯＲ^１）_３で表されるアルコキシシランＡと、一般式（２）：（Ｐｈ）Ｓｉ（ＯＲ^１）_３で表されるアルコキシシランＢと、一般式（３）：（ＣＨ_３）_２Ｓｉ（ＯＲ^１）_２で表されるアルコキシシランＣとをモル比で表して、アルコキシシランＡ：アルコキシシランＢ：アルコキシシランＣ＝３０〜７０：１０〜５０：２０〜６０の範囲で縮合させたアルコキシシラン縮合物、およびポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含む組成物。 （もっと読む）

【課題】回折格子を用いて相対移動量を計測する際に、格子パターン面の法線方向の絶対位置を検出する。
【解決手段】原点検出装置１１Ｘは、第１部材６に設けられ、Ｘ方向を周期方向とする反射型の回折格子１２Ｘと、第１計測光ＭＸ１を回折格子１２Ｘに第１の入射角で入射させ、回折光と第１参照光ＭＲ１との第１干渉光を検出する第１干渉ヘッド１４Ｘと、第３計測光ＭＸ３を回折格子１２Ｘにその第１の入射角と異なる第２の入射角で入射させ、回折光と第３参照光ＭＲ３との第３干渉光を検出する第２干渉ヘッド１５Ｘと、その第１、第３干渉光の検出信号からＺ方向の相対位置を求める第３演算部４１Ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターン付基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布したレジストに、順次ベーク処理（ＰＡＢ処理）、パターン露光処理、露光後ベーク処理（ＰＥＢ処理）、及び現像処理を施してレジストパターンを形成するレジストパターン付基板の製造方法であって、試験用の複数のレジスト付基板に第１のベーク処理をし、第１の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをＰＡＢ処理の条件とし、他の試験用の複数のレジスト層付基板に前記第１の減膜処理で最高の残膜率のときの温度及び時間の条件で第１のベーク処理をした後に第２のベーク処理をし、第２の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをＰＥＢ処理の条件とする。 （もっと読む）