【課題】位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる位相変調マスクを提供する。
【解決手段】照明光学系１１からの光は、位相変調マスク２０によって、所定の周期的な変調パターンで位相変調される。被露光物１４は、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して所定の露光パターンで露光される。ここで位相変調マスク２０は、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物１４が露光されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ワークピース上に正確かつ迅速にナノメートル構造パターンを形成する。
【解決手段】複合プラットフォームはベースに据えられ、長ストローク移動ステージ１２と、圧電被駆動マイクロ・ステージ１３とを有する。長ストローク移動ステージは基準セット１４と、駆動装置１５とを有し圧電被駆動マイクロ・ステージは長ストローク移動ステージに接続され、作業プラットフォームを有する。測定フィードバック組立体２０はプラットフォーム組立体１０に堅固に据え付けられ、レーザ干渉計と、反射装置と、信号受信装置とを有する。レーザ作業組立体３０は、プラットフォーム組立体に据えられ、測定フィードバック組立体に電気的に接続され、レーザ直接書き込みヘッド３１と、制御インタフェース装置と、位置決めインタフェース装置３３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モルホリン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減でき、露光余裕度（ＥＬ）、焦点深度（ＤＯＦ）等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び（３）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、［Ａ］酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】基板露光時、偏心発生を最小化することができるとともに、基板製品毎の変形量を予測して、適切な露光領域分割数を予め適用して露光することができる露光システム及び露光方法を提供する。
【解決手段】本発明による露光システム１００は、基板１２０に形成された整列マーク１２０ａを検出するための検出部１３０と、基板１２０に配置される基準露光マスクに関する基準座標データ及び基板変形量毎にマッチされる露光領域分割数が保存されている保存部１６０と、検出部１３０により検出された整列マーク１２０ａに関する実際座標データを算出し、前記算出された実際座標データと前記基準座標データとを比較して基板変形量を演算し、前記基板変形量とマッチされる露光領域分割数を保存部１６０から抽出して、前記露光領域分割数だけ分割された露光マスクを生成する制御部１５０と、制御部１５０により生成された露光マスクを利用して露光を行う露光部１４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像時のパターン部の意図しない溶解に起因する解像性及び矩形性の低下を防ぎ、ドライエッチング耐性に優れ、特にＫｒＦ露光に好適なパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰返し単位を有する樹脂（Ａ）、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型パターンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、樹脂（Ａ）中の全繰返し単位に対して、下記一般式（Ｉ）で表される繰返し単位の含有量が２０モル％未満で、かつ一般式（Ｉ）以外の非フェノール系芳香族基を有する繰返し単位を有する、パターン形成方法。
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【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減でき、露光余裕度（ＥＬ）、焦点深度（ＤＯＦ）等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法に用いられる現像液を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、レジストパターン形成方法に用いられ、有機溶媒含有量が８０質量％以上の現像液であって、含窒素化合物を含み、上記含窒素化合物の含有量が０．１質量％以上１０質量％以下であることを特徴とする現像液である。 （もっと読む）

【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）が満足できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）及び（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）：−（Ａ^１０−Ｘ^１０）_ｓ−Ａ^１１−（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等を表す。）で表される基を表す。Ｒ^２は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基等を表す。］（Ｂ）酸発生剤 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）