【課題】重合体に含まれる残存単量体を効率良く低減できる、リソグラフィー用重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】重合溶媒の存在下に、重合開始剤を使用して、単量体をラジカル重合させて、２５℃における粘度が１２０ｍＰａ・ｓより高い重合反応溶液を得る工程と、得られた重合反応溶液を希釈溶媒で希釈して、２５℃における粘度が１２０ｍＰａ・ｓ以下の希釈後溶液を得る工程と、前記希釈後溶液を重合体に対する貧溶媒中に滴下して、該希釈後溶液中の重合体を沈殿させる工程を含むリソグラフィー用重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンのマスクエラーファクター（ＭＥ
Ｆ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表す。Ｌ１は、飽和炭化水素基を
表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き
換わっていてもよい。ｍは０又は１を表す。Ｌ２及びＬ３は、単結合又は飽和炭化水素基
を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置
き換わっていてもよい。環Ｗ１及び環Ｗ２は、炭化水素環を表す。Ｒ１及びＲ２は、水素
原子、ヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、ヒドロキシ基又はアルキル
基を表す。Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。ｕは、０
〜２の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
（もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子を含む基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｒは１又は２；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基、但し、Ａ^１１が単結合の時、ｓ＝１かつＸ^１０は酸素原子である；Ｒ^２は、酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。環Ｗ^２は置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のラクトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】位置決め対象物を一台の駆動装置により互いに直交する二方向、例えば、水平方向と垂直方向とのそれぞれに移動させて位置決めすることができる位置決め装置を提供すること。
【解決手段】基台１１に設けられたレール１２の上にそれぞれ摺動可能に立設された第１のスライド部材２１と第２のスライド部材２２、但し、第１のスライド部材には、レールとの係合により第１のスライド部材を一時的に固定することのできる第１の仮固定機構３１が設けられており、また第２のスライド部材には、斜面２２ｃが設けられている；第１のスライド部材の側面２１ｂと第２のスライド部材の斜面２２ｃとにより摺動可能に係合支持された楔状の位置決め対象物支持部材２３、但し、対象物支持部材２３には、上記係合支持を一時的に固定することのできる第２の仮固定機構３２が設けられている；そして、第２のスライド部材のレール上での摺動を駆動する駆動部材４１を含む位置決め装置。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される環状化合物、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物。但し、前記環状化合物（Ａ）と前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）とが同一の化合物であってもよい。


一般式（１）中、Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｒ_１は置換基又は水素原子を表す。Ｒ’は、多環脂肪族基を表す。ｍは、１〜４の整数をｎは、３〜８の整数を表す。 （もっと読む）