【課題】 複数の棒状の高圧放電ランプが、各々のランプ中心軸が一方向に延びる状態で、当該一方向に並んで配置された構成のものにおいて、ランプ点灯初期時と同様の均一な照度分布が長時間の間安定して得られる光照射装置を提供すること。
【解決手段】 この光照射装置は、各々バルブの内部に一対の電極が対向配置された複数の棒状の高圧放電ランプが、各々のランプ中心軸が一方向に延びる状態で、当該一方向に並んで配置された構成のものにおいて、隣接する２つの高圧放電ランプの各々の端部には、遮光体が設けられており、当該２つの高圧放電ランプの一方の高圧放電ランプが他方の高圧放電ランプに対して、均一な照度分布が得られるよう前記一方向に調整された位置に配列されている。 （もっと読む）

【課題】安定した極端紫外光を得る。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、第１レーザ光と第２レーザ光との光軸を実質的に一致させるビーム調節器と、前記第１および第２レーザ光を導入するウィンドウを含むチャンバと、前記チャンバ内の所定位置付近にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、前記所定位置付近に前記第１レーザ光を集光し前記ターゲット物質に前記第１レーザ光を照射するレーザ光集光光学系と、前記第２レーザ光と、前記ターゲット物質から生成されたプラズマから放射された放射光とを検出する光検出ユニットと、前記レーザ光集光光学系が前記第１レーザ光を集光する位置を補正する集光位置補正機構と、前記ターゲット供給装置が前記ターゲット物質を供給する位置を補正するターゲット供給位置補正機構と、前記第２レーザ光と前記放射光との検出結果に基づいて、集光位置補正機構およびターゲット供給位置補正機構を制御するコントローラと、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】帰還抵抗に対して予め当該帰還抵抗が設けられているＤＡＣアンプに対して設定される最大値の電圧を印加しその発熱状態を標準状態とすることで、出力電圧の変化が生じても電子ビームに対する影響を最小限に抑え高精度な描画処理を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの安定化方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームＢの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５と、ＤＡＣアンプ３４，３５に対する制御を行うＤＡＣアンプ制御部３１ｊを備える制御計算機３１と、から構成される制御部３と、を備え、ＤＡＣアンプ制御部３１ｊは、ＤＡＣアンプ３４，３５に印加する電圧を当該ＤＡＣアンプ３４，３５に対して設定される最大値で継続して印加する。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングを考慮してエッチングパターンを作成することのできるエッチングパターン作成方法、エッチングパターン作成装置、プログラムおよびコンピューター読み取り可能な記録媒体を提供しようとするものである。
【解決手段】 導体パターンを含む設計データから上記導体パターンの外形形状であるアウトライン形状を作成するアウトライン形状作成手段と、上記アウトライン形状作成手段により作成されたアウトライン形状に対する補正値を設定する設定手段と、上記設定手段により設定された補正値分だけ上記アウトライン形状作成手段により作成されたアウトライン形状を補正してエッチングパターンを作成するエッチングパターン作成手段とを有するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】ドーズ量を対応付けられたショット図形が重なるように配置された処理前描画データを、サイジングをできる描画データ作成プログラム、描画データ作成装置、描画データ作成方法を提供する。
【解決手段】処理後描画データ作成プログラム４１は、複数の処理前ショット図形３（３−１〜３−１２）により形成され隣合う処理前ショット図形３が重なりを有する処理前描画データ２に基づいて、マスク上に描画形状を描画するための処理後描画データ２ｆを作成するプログラムであって、サイジング装置３０を、処理前描画データ２を記憶する記憶部４０と、記憶部４０の処理前描画データ２を、処理前ショット図形３毎に補正した処理後ショット図形３ｅ（３ｅ−１〜３ｅ−１２）を作成し、各処理後ショット図形３ｅを再配置して、処理後描画データ２ｆを作成するサイジング制御部５１として機能させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、載置する試料を一定の温度に維持する要求に応える載置用部材を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態に係る載置用部材１は、流路６を有する載置用部材１において、一主面に試料２が載置され、他主面に流路６の内壁を構成する溝部８を有するセラミックスからなる第１基板３と、一主面が該第１基板３の他主面に接続されたセラミックスからなる第２基板４と、第１基板３と第２基板４との間に介在した、第１基板３よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層５とを備え、第２基板４の一主面は、第１基板３の他主面に接合層５を介して接続された第１領域９と、流路６の内壁を構成する第２領域１０とを有し、該第２領域１０は、前記第１領域９と同一平面をなす。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを形成する場合であっても、アスペクト比の高いマスクが倒れることを抑制すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、加工対象を形成する加工対象形成工程と、加工対象上に、第１マスク及び第１マスクの一方の側面側を支持する第１支持体を形成する第１マスク形成工程と、第１マスク及び第１支持体をマスクとして用いて加工対象を加工する第１加工工程と、加工対象及び第１マスクの他方の側面側を支持する第２支持体を形成する第２支持体形成工程と、第１支持体を除去する第１支持体除去工程と、第１マスク及び第２支持体をマスクとして用いて加工対象を加工する第２加工工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の反射率のばらつきを減少し、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、正反射が小さく乱反射が大きくなるよう研磨処理された裏面２４Ｂを有するシリコン基板２４と、シリコン基板２４上に形成される酸化膜２３及び窒化膜２１と、窒化膜２１上に形成される高反射パターンとしてのアルミパターン２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の反射率に依存せず、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、シリコン基板２４と、シリコン基板２４上に少なくともＮｉＣｏパターン３１とアルミ電極３０とを含んで形成される回路部３と、シリコン基板２４上に回路部３のＮｉＣｏパターン３１と同工程において形成される低反射パターンとしてのＮｉＣｏパターン２２と、ＮｉＣｏパターン２２上に形成され、回路部３のアルミ電極３０と同工程において形成される高反射パターンとしてのアルミパターン２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い位置分解能にてパターンを描画する場合において、光軸方向における描画面の位置の許容範囲の減少を抑制する。
【解決手段】１組の固定リボンと可動リボンとの組み合わせである格子要素５を配列した回折格子型の空間光変調器にて空間変調された光を生成し、格子要素５の配列方向に垂直な方向に基板を移動することにより基板上にパターンを描画するパターン描画装置において、格子要素５が、可動反射面を経由する光路と固定反射面を経由する光路との光路長差が光の波長の０倍以上の整数倍に半波長を加えた長さとなるＯＦＦ状態、光路長差が光の波長の上記整数倍となるＯＮ状態、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間の中間状態、および、中間状態とＯＮ状態との間の不完全ＯＮ状態になることが可能である。パターンの描画時には、ＯＦＦ状態、中間状態および不完全ＯＮ状態の格子要素５がこの順で並ぶ。 （もっと読む）