【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板が載置される載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出部８９により光量を検出する検出処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、光量を検出した検出値を積算し、積算した積算値が予め決められた所定値よりも小さいとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）

【課題】液体処理後の乾燥時のパターン倒壊を抑制した基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板処理方法が提供される。前記基板処理方法は、少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程を含む。前記基板処理方法は、前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程をさらに含む。前記基板処理方法は、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】パターン形成装置と塗布現像装置との間における基板の搬送スループットの向上に有利となるパターン形成装置および塗布現像装置を提供する。
【解決手段】このパターン形成装置は、隣設される塗布現像装置との間で基板の受け渡しを実施する。パターン形成装置側の第１制御部は、基板に対してパターン形成処理を開始するに際し、第１搬送ハンド３５の動作を開始させたとき、またはその後、塗布現像装置側の第２制御部に対して、新たな基板の受け渡し動作を予告する第１信号（Ｓ４１−２）を送信して予め第２搬送ハンド５２の動作を開始させ、第２搬送ハンド５２の動作中に、第２搬送ハンド５２の動作を要求する第２信号（Ｓ４１−４）を送信する。 （もっと読む）

【課題】露光装置における露光条件の決定に有利な技術を提供する。
【解決手段】露光条件を決定する決定方法であって、マスクパラメータ、光強度分布に関する照明パラメータ及び投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定するステップ（Ｓ１０２、Ｓ１０４、Ｓ１０６）と、投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を設定するステップ（Ｓ１０８）と、評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすようにマスクパラメータの値、照明パラメータの値及び収差パラメータの値を決定し、決定したマスクパラメータの値、照明パラメータの値及び収差パラメータの値で規定されるマスクのパターン、照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び投影光学系の収差を露光条件として決定するステップ（Ｓ１１０、Ｓ１１２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】吸収体パターンを局所的にレイアウト変更することにより、実質的に位相欠陥の無いＥＵＶＬ用マスクを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】マスクパターンをウェハの主面上にパターン転写した際に、許容値より大きな転写誤差を与える位相欠陥ＰＤを検出し、この位相欠陥ＰＤの周囲の吸収体パターンＡＢＳ−３，ＡＢＳ−４の局所的なレイアウト変更が可能であるか否かを判断する。レイアウト変更が可能であると判断した場合は、位相欠陥ＰＤに近接する吸収体パターンＡＢＳ−３の形状を局所的に修正し、さらに、修正された吸収体パターンＡＢＳ−３の形状に合わせて、これに隣接する他の吸収体パターンＡＢＳ−４のレイアウトを局所的に変更する。 （もっと読む）

【課題】 パターンを有する領域の寸法のバラツキを抑制しつつ繰り返し再生可能なナノインプリント用モールドを作製する方法を提供する。
【解決手段】 ガラスモールド１における第２のメサ部１２の上面１２ａ上に設けられた樹脂製のパターン樹脂部４０がパターンＰを有している。したがって、ナノインプリント用モールド５０を繰り返し使用してパターンＰに汚れやキズが生じた場合には、酸素アッシング等を行うことにより、パターン樹脂部４０のみを除去して再生することができる。また、パターン樹脂部４０が、ガラスモールド１の主面１ａから突出した第２のメサ部１２の上面１２ａに塗布されたレプリカ用樹脂３０から形成される。したがって、ナノインプリント用モールド５０を繰り返し再生する場合において、パターンＰを有するパターン領域の寸法が、第２のメサ部１２の上面１２ａの寸法にバラツキなく固定される。 （もっと読む）

【課題】精度良くウエハにパタンを転写することができる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】反射型露光用マスクは、基板２３と、基板上に形成され、露光光を反射する光反射層２４と、光反射層上に形成され、露光光を吸収する光吸収層２５と、を備える。また、マスクは光吸収層が部分的に除去されて光反射層が露出された部分、及び光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域２１と、パタン形成領域を囲む遮光領域である第１の部分２２ａと、第１の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第２の部分２２ｂとを備える。また、所定の方向は、反射型露光用マスクを保持する装置と、露光光との相対的な移動方向に平行な方向であり、第２の部分は、測定点が設定される部分であり、第１の部分、及び第２の部分は、第１の光吸収層及び光反射層が除去され、基板が露出された領域である。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持する。
【解決手段】複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するためのブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光学結像装置、マスク、結像誤差を判断する方法、及び本方法を利用する結像処理を提供する。
【解決手段】光学要素群105.2は、複数の光学要素107、108、109、110、111、112を含み、かつ基板106.1上に投影パターン104.3を結像するように設計され、測定装置113は、投影パターン104.3が基板106.1上に結像される際に発生する少なくとも１つの結像誤差を判断するように設計され、測定装置113はまた、検出ユニット113.1を含み、検出ユニット113.1は、光学要素群105.2によって生成された、マスク装置104の領域に配置された少なくとも１つの測定要素113.2の測定像を検出するように設計され、測定装置113は、測定像を用いて結像誤差を判断するように設計される。 （もっと読む）