【課題】高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ドライエッチング耐性を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が下記一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物（Ｐ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
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【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】観察サンプルを載置する可動テーブルをウォーキング形ピエゾモータにより駆動するピエゾステージと、前記ピエゾステージの移動を制御するステージ制御装置を有するステージ装置において、ピエゾステージの周期的な速度変動を抑制して、観察者がサンプルの移動を行う際の操作性と位置決め精度を向上する。
【解決手段】ピエゾステージ１のウォーキング形ピエゾモータ１０２を駆動する指令電圧標準データ３０４と、前記ウォーキング形ピエゾモータ１０２の出力に一定速度を与える様に予め測定した指令電圧出力タイミング補正データ３０５と、少なくとも前記指令電圧標準データ３０４および前記指令電圧出力タイミング補正データ３０５から前記ウォーキング形ピエゾモータ１０２を駆動する指令電圧を生成する指令電圧生成部３０２を有するステージ装置３が提供される。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光生成装置に用いた場合生成される極端紫外光の強度を安定化させる。
【解決手段】チャンバ装置は、少なくとも１つのレーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、前記少なくとも１つのレーザ装置から出力される少なくとも１つのレーザ光を内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記少なくとも１つのレーザ光を前記所定の領域で集光させるためのレーザ集光光学系と、前記少なくとも１つのレーザ光の前記所定の領域におけるビーム断面の光強度分布を補正するための光学素子と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像しつつ、当該レジスト膜にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】現像処理装置３０は、ウェハＷを収容して処理する処理容器１１０と、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１４０と、ウェハＷ上に有機溶剤を含有する現像液を供給する現像液ノズル１６０と、ウェハＷ上にリンス液を供給するリンス液ノズル１６４と、処理容器１１０内に酢酸ブチルガスを供給する処理ガス供給部１２２と、処理容器１１０内に窒素ガスを供給するパージガス供給部１２６と、処理容器１１０内の酢酸ブチルガスの濃度を測定する濃度測定器１３０と、処理容器１１０内のガス濃度を所定の濃度に制御する濃度制御部１３１と、処理容器１１０から流出した酢酸ブチルガスを再度処理容器１１０内に供給して循環させるガス循環部１５１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、リソグラフィの解像限界以下の微細なラインパターンを本数の選択自由度を高めて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のラインパターン２３ａを形成する工程と、それぞれのラインパターン２３ａの側壁に側壁膜２６ａを形成し、複数のラインパターン２３ａおよび複数の側壁膜２６ａを含むパターン列５０を形成する工程と、隣り合う側壁膜２６ａ間およびパターン列５０の端の側壁膜２６ａの横の領域６０に、スペーサ膜２７ａ、２７ｂを形成する工程と、領域６０に形成されたスペーサ膜２７ｂをラインアンドスペースパターンに加工するとともに、側壁膜２６ａを除去し、ラインパターン２３ａおよびスペーサ膜２７ａ、２７ｂ１、２７ｂ２を残す工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の製造において、上面が平坦な終端構造とリセス状のアライメントマークとを少ないマスク数で形成すると共に、アライメントマークのリセスの深さを最適化する。
【解決手段】ハーフトーン露光法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル層２に達する第１の開口部１２ａとＳｉＣエピタキシャル層２に達しない第２の開口部とを有するレジストパターン１１を、ＳｉＣエピタキシャル層２上に形成する。エッチングにより、第１の開口部１２ａに露出したＳｉＣエピタキシャル層２にリセス状のアライメントマーク９を形成すると同時に第２の開口部１２ｂをＳｉＣエピタキシャル層２に到達させる。その後、イオン注入により、第２の開口部１２ｂに露出したＳｉＣエピタキシャル層２に、終端領域８を形成する。 （もっと読む）

【課題】光学鏡筒に対する磁場遮蔽とフットプリントとの両立に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置１は、荷電粒子線で基板５に描画を行う描画装置であり、基板５に対して荷電粒子線を射出する光学鏡筒３と、基板５を保持し、光学鏡筒３の軸に対して少なくとも垂直な方向に可動とするステージ６と、検出器１３と、ステージ６の側面に対向するように検出器１３を支持する支持部１４とを含み、ステージ６の位置を計測するための検出部と、ステージ６に設けられ、ステージ６の上面に対向する光学鏡筒３の開口を磁場から遮蔽する磁気遮蔽部１２とを備える。ここで、磁気遮蔽部１２は、軸の方向にて検出部とは重ならないような配置でステージ６に備えられている。 （もっと読む）

【課題】データ処理の待ちによる描画時間の延長を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗにパターンを描画するための描画データにより定義される描画領域を複数のストライプ領域に分割し、ストライプ領域毎にストライプ領域をデータ量の第１の規定値に応じて複数の分散処理領域に分割又は一つの分散処理領域とみなし、分散処理領域毎に描画データを並列に処理する描画データ処理部３２と、その描画データ処理部３２により生成された分散処理領域毎のデータに基づいて、ストライプ領域又は分散処理領域毎に試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２とを備える。描画データ処理部３２は、複数のストライプ領域の中で描き始めのストライプ領域又は描き終わりのストライプ領域を、データ量が第１の規定値より小さい第２の規定値以下である複数の分散処理領域に細分化する。 （もっと読む）

【課題】多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶＬ用マスクに微細な位相欠陥が残留しても、位相欠陥が吸収体パターンの転写像に与える影響を低減できる吸収体パターンの投影露光方法を提供する。
【解決手段】ＥＵＶ光をＥＵＶＬ用マスクに照射して、吸収体パターンをウェハの主面上にパターン転写を行う際に、予め入力したＥＵＶＬ用マスクに関する位相欠陥の情報（位相欠陥の位置座標、位相欠陥の大きさ、およびＥＵＶリソグラフィ用マスクのパターン面の凹凸の区別）に応じて、各露光位置における転写条件を変更する。 （もっと読む）