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国際特許分類[H01L21/027]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの (23,597)

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無機物層からなるもの

国際特許分類[H01L21/027]に分類される特許

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【課題】基板を均一に処理できるバッフル及びこれを含む基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置はプラズマを発生させるプラズマ生成部300と、プラズマ生成部300の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジング110と、ハウジング110の内部に位置し、基板Wを支持するサセプタ112と、プラズマ生成部300で供給されたプラズマを基板Wへ噴射する噴射ホール142a,142bが形成されたバッフル140と、を含み、バッフル140は噴射ホール142a,142bが形成され、中心領域の厚さが縁領域より厚いベース141を含む。 (もっと読む)


【課題】パターン転写不良やモールドの目詰まりを未然に防いで生産性を向上させる。
【解決手段】パターン転写装置11A0の制御装置23は、離型層厚取得部51と、離型層厚判定部53と、供給量演算部55と、供給量制御部59とを備える。離型層厚取得部51は、残留離型層32の厚さに係る相関値を取得する。離型層厚判定部53は、残留離型層32の厚さに係る相関値が所定の基準を満たすか否かを判定する。供給量演算部55は、離型層厚判定部53の判定結果に基づいて、離型剤供給部21における離型剤の供給量を演算する。供給量制御部59は、モールド31上のそれぞれの位置において、適正な量の離型剤を適時に供給する制御を行う。 (もっと読む)


【課題】樹脂フィルムの異方収縮が抑えられ、寸法精度の良好な樹脂スタンパが得られる微細構造転写装置を提供すること。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンが形成された多角形状のマザースタンパ12と、前記マザースタンパの微細な凹凸パターンを有する面12aに対向するように樹脂フィルム18を挟持する挟持体24と、を有する微細構造転写装置10であって、前記挟持体24は、少なくとも、前記マザースタンパの凹凸パターンを有する面12aの各辺の中央部乃至その近傍に対応する位置の樹脂フィルム18の縁部18aを固定し、前記凹凸パターンを有する面12aの各頂点近傍に対応する位置の樹脂フィルム18の縁部は固定しないことを特徴とする微細構造転写装置10。 (もっと読む)


【課題】安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、ラフネスが小さく、かつ、良好なレジストパターン形状を与える環状化合物、その製造方法、それを含む感放射線性組成物、及び該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
特定の構造を有する環状化合物、その製造方法、それを含む感放射線性組成物、及び該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【解決手段】一般式(1)で示される重合性エステル化合物。


【効果】重合性エステル単量体は、波長500nm以下、特に波長300nm以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。 (もっと読む)


【課題】反射型サンプル基板上の欠陥の特性を、非破壊かつ高精度に評価可能な欠陥特性評価装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反射型サンプル基板であるマスク基板11上の被検欠陥12に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、マスク基板11上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光光学系10と、集光光学系10により集光され、マスク基板11上にコヒーレント光を照射する照射部16と、照射部16により照射された照射パタン領域13bからの回折光を2次元的に受光する二次元検出器13と、二次元検出器13による受光結果である画像情報を記録する記録部17と、記録部17により記録された画像情報から、被検欠陥12の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出部18とを備える。 (もっと読む)


【課題】ネガ型レジストのパターン形成に際し、ラフネスが小さく、レジストパターンの倒壊やブリッジ形成を招くことなく安定的に微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
(ア)架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、および
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
(A)分子量500〜5000の低分子量化合物、
(B)可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線(EUV)、X線およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的または間接的に酸を発生する酸発生剤、
(C)酸架橋剤、および
(D)溶剤
を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】露光感度が高く優れ、現像欠陥が少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される化合物、及び(B)樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式(I)中、Xは、酸素原子、硫黄原子又は−N(Rx)−を表す。R〜R及びRxは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基を表す。R〜Rはそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。但し、R〜Rのうち、少なくとも2つが下記一般式(II)で表される構造を表す。
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【課題】ドライエッチング耐性及び露光ラチチュード(EL)のいずれにも優れるパターン形成方法、該パターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該パターン形成方法により形成されるレジスト膜、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(ア)多環芳香族基を有する繰り返し単位(a)及び酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位(b)を有する樹脂(A)、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
(イ)該膜をArFエキシマレーザーにより露光する工程、及び
(ウ)該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】高いエッチング耐性を有するレジストパターンを形成させることのできる微細パターン形成用組成物、およびそれを用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】側鎖に芳香族含有置換基を有する水溶性樹脂と純水とを含む微細パターン形成用組成物。この組成物は、水溶性樹脂に結合した酸基を含むか、または組成物中に遊離の酸を含んでいる。 (もっと読む)


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