【課題】アモルファス半導体膜の結晶化を低温で短時間に行うことができ、大粒径の結晶粒を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態による半導体装置の製造方法では、基板上にアモルファス半導体膜を形成する。さらに、前記方法では、前記基板上にマイクロ波を照射することにより、前記アモルファス半導体膜をアニールして、前記アモルファス半導体膜から多結晶半導体膜を形成する。さらに、前記方法では、前記多結晶半導体膜をチャネルとするトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である、低抵抗ｐ型不純物層を形成するための工業的な方法を提案すること。
【解決手段】絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、例えば、アルミニウムイオンを注入しｐ型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなる、ｐ型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を最小限としながら、ＳｉＧｅ−オン−インシュレーター構造を製造するため及びシリコン上に歪み緩和ＳｉＧｅ層を製造するための方法を提供する。
【解決手段】アモルファスＳｉＧｅ層６００が、トリシラン及びＧｅＨ_４からＣＶＤによって、ドーパントの１以下のモノレイヤー上に堆積される。これらのアモルファスＳｉＧｅ層６００は、融解または固相エピタキシー（ＳＰＥ）プロセスによってシリコン上に再結晶される。融解プロセスは、好ましくは、全体のゲルマニウム含量を希釈するようなゲルマニウムの拡散も引き起こし、そして絶縁体の上層のシリコン５００を実質的に消費する。ＳＰＥプロセスは、下地のシリコン５００中へのゲルマニウムの拡散を用いてまたは用いずに実際され得、従って、ＳＯＩ及び従来の半導体基板に適用可能である。 （もっと読む）

【課題】順次側面結晶化を行う際に、レーザ光にパターンイメージを与える光学部材の加熱昇温を抑える。
【解決手段】 アモルファス膜に照射するレーザ光１０ａを出力するレーザ光源１０と、レーザ光をアモルファス膜に誘導する光学系１５と、光学系１５の一部を構成し、アモルファス膜に照射するレーザ光を集光する対物レンズ１４と、光学系１５のレーザ光光路上で対物レンズ１４よりも前段側に配置され、レーザ光透過領域およびレーザ光遮蔽領域を有する光学部材２０を備え、光学部材２０は、レーザ光遮蔽領域に、対物レンズ１４の解像度と倍率の逆数との積の値よりも小さく、かつレーザ光１０ａの波長よりも大きい規制寸法を有してレーザ光１０の透過を可能にする昇温抑制用レーザ光透過部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 エッチングによるダメージを抑制しながら、ヘテロ接合面の近傍に負イオンを導入する技術を提供する。
【解決手段】 導入領域８上に保護膜３０を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後に、導入領域８を負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程を備えている。保護膜３０は、プラズマに対するエッチング速度が導入領域８よりも小さい。保護膜３０には、負イオンを通過させることが可能な材料が用いられている。プラズマ中の負イオンは、保護膜３０を通過し、導入領域８に導入される。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置にロードロック室などを設置することなく被処理体の搬出、搬入を迅速に行うことができ、しかも処理室内の雰囲気安定化を短時間で行うことができるレーザ処理装置を提供する。
【解決手段】
被処理体１００を収容して調整された雰囲気下で被処理体１００にレーザ光を照射する処理室２と、処理室２内に外部からレーザ光を導く光学系と、を備え、処理室２は、処理室２外部から処理室２内部に被処理体１００を装入する開閉可能な装入口７を有し処理室２内部に、装入口７に連なるロードエリアＡとロードエリアＡに連なるレーザ光照射エリアＢを備え、ロードエリアＡを前記装入口側の空間Ａ１とレーザ光照射エリア側空間Ａ２に仕切る仕切部を有し、仕切部は、装入口側空間Ａ１とレーザ光照射エリア側空間Ａ２の間で被処理体１００の移動が可能である。 （もっと読む）

【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、ａ−ｂ面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、ａ−ｂ面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】所定の材料からなり、活性層４１となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極５１、ドレイン電極５３及び画素電極５５の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ２の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体（ソース電極５１、ソース配線５２、ドレイン電極５３、ドレイン配線５４及び画素電極５５）を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層４１とする工程とを有する方法としてある。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体特性を有する酸化物半導体膜の形成方法を提供する。さらに、該酸化物半導体膜を適用し、良好な電気特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に接して設けられた水素透過膜を形成し、水素透過膜上に接して設けられた水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させる酸化物半導体膜の形成方法である。また、該形成方法を用いて作製する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）