国際特許分類[H01L21/20]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073)
国際特許分類[H01L21/20]の下位に属する分類
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング (536)
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの (7,439)
液相成長を用いるもの (330)
国際特許分類[H01L21/20]に分類される特許
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エピタキシャルウェーハの製造方法
【課題】エピタキシャル層表面の付着パーテイクルが少なく、平滑な面取り部の形状を持ち、かつ酸素析出特性にも優れた、先端CMOSに好適なエピタキシャルウェーハを、安定的にかつ低コストで製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板上に、エピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層を成長させたシリコン単結晶基板を、650〜800℃の温度で1時間以上保持した後に850℃以上の温度に昇温して、前記エピタキシャル層の表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げ洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
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エピタキシャル基板およびその製造方法、固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
【課題】高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。
【解決手段】シリコン基板1の表面側に、砒素(またはアンチモン)がイオン注入されて高濃度N型層3が形成され、この高濃度N型層3上にエピタキシャル層4がエピタキシャル成長して形成されている。これによって、砒素(As)の拡散係数がリン(P)に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散(プロファイル拡散)を大幅に抑制する。
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レーザ照射装置
【課題】ハードウエア調整の作業負担を軽減する。
【解決手段】照射ライン(s)と重ならない測定ライン(h)の表面高さ(H)を測定し、一つの照射ライン(s)の最近傍の少なくとも2つの測定ライン(h)の実測表面高さを基に照射ライン(s)の表面高さを算出し、該表面高さにフォーカスさせる。
【効果】照射ラインと測定ラインの位置関係から照射ラインの表面高さを演算により算出するが、照射ラインと測定ラインの位置関係は例えばエンコーダにより容易に知ることが出来るので、測定ラインを照射ラインに合致させるためのハードウエア調整の必要がなく、作業負担を軽減できる。照射ラインsのピッチPが変わっても、その都度、ハードウエア調整を行う必要がなく、作業負担を軽減できる。
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多結晶型太陽電池パネルおよびその製造方法
【課題】ドーパント含有シリコンインゴットを材料効率よく提供することで、より低コストな多結晶型シリコン太陽電池を提供する。
【解決手段】P型またはN型のドーパントを含有したシリコンターゲットを用意する工程Aと、P型またはN型のドーパントを含有したシリコンターゲットを利用して、基板表面にP型またはN型アモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程Bと、P型またはN型アモルファスシリコン膜にプラズマを走査させて溶融後、再結晶化させてP型またはN型多結晶シリコン膜を形成する工程Cと、工程Cで形成されたP型多結晶シリコン膜に、N型のドーパントを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する、または工程Cで形成されたN型多結晶シリコン膜に、P型のドーパントを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する工程Dとを含む多結晶型太陽電池パネルの製造方法。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】高性能でかつばらつきの少ないナノワイヤトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、第1絶縁膜上に設けられ、第1領域と第1領域よりも幅の広い第2および第3領域とを有しこれらの第2および第3領域の少なくとも一方が第1領域に接続するように構成された第1半導体層と、第1半導体層の上面に設けられるマスクと、を形成する工程と、マスクを用いて、前記第1半導体層の第1領域の側面にイオン注入を行う第1イオン注入を行う工程と、イオン注入を行った後に、第1熱処理を行う工程と、マスクを除去した後、第1半導体層の前記第1領域の少なくとも側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の、第2および第3領域側の側面に絶縁体のゲート側壁を形成する工程と、少なくとも第1半導体層の第2および第3領域に第2イオン注入を行う工程と、とを備えている。
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炭化珪素単結晶ウェハ
【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。
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複合基体および複合基板
【課題】焼結基体と半導体結晶層とが貼り合わせられた複合基板およびかかる複合基板に好適に用いられる複合基体を提供する。
【解決手段】本複合基体1は、焼結基体10と、焼結基体10上に配置された基体表面平坦化層12と、を含み、基体表面平坦化層12の表面のRMS粗さが10nm以下である。本複合基板は、複合基体1と、複合基体1の基体表面平坦化層12側に配置された半導体結晶層と、を含み、焼結基体10の熱膨張係数と半導体結晶層の熱膨張係数との差が4.5×10-6K-1以下である。
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半導体ウエハの製造方法、複合基体および複合基板
【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体10上に、表面のRMS粗さが10nm以下の基体表面平坦化層12を形成して複合基体1を得る工程と、複合基体1の基体表面平坦化層12側に半導体結晶層20aを貼り合わせて複合基板3A,3B,3Cを得る工程と、複合基板3A,3B,3Cの半導体結晶層20a上に少なくとも1層の半導体層30を成長させる工程と、基体表面平坦化層12をウェットエッチングで除去することにより、基体10から半導体結晶層20aを分離して、半導体結晶層20aおよび半導体層30を含む半導体ウエハ5を得る工程と、を含む。
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電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物、ゲート絶縁層、電界効果トランジスタ及び表示パネル
【課題】エッチング液や剥離液に対する耐性に優れているゲート絶縁層を形成することにより、このゲート絶縁層上にエッチング法により電極を形成させることができるようにすること。及び、その上に半導体材料を湿式塗布、結晶化処理しても溶出し難いゲート絶縁層を形成すること。すなわち、安価で高性能な上に、樹脂製のフレキシブル基板に適用可能な電界効果トランジスタを製造すること。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物であって、重合性モノマー、重合開始剤及び架橋性基としてアリル基及び/又は(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を含み、該重合性モノマーがエチレン性不飽和結合を2個以上有し、該架橋性基を有する樹脂の架橋性基当量が800g/eq以下であることを特徴とする電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物。
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超高エネルギ高安定性ガス放電レーザ表面処理システム
【課題】広い区域にわたって高繰返し率のレーザ光を用いる表面及び/又は基板の処理を伴う製造工程で使用される高電力及び高安定性ガス放電レーザを提供する。
【解決手段】直列に接続した複数の一次巻線と複数の一次巻線の各々を通る単一の二次巻線とを有する多段分割ステップアップ変圧器と半導体トリガスイッチとを含むDC電源に接続されかつそれぞれの電極に接続した第1及び第2のパルス圧縮及び電圧ステップアップ回路を含む電源モジュールと、単一出力レーザ光パルスビームを生成するためにPOPA構成レーザシステム又はPOPO構成レーザシステムのいずれかとして第1及び第2のレーザユニットの作動を達成するように、それぞれの第1及び第2のパルス圧縮及び電圧ステップアップ回路の作動パラメータに基づいてそれぞれの半導体スイッチの閉成を計時するように作動するレーザタイミング及び制御モジュールとを含むマルチチャンバレーザシステム。
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