【課題】 高機能・多機能システムインディスプレイを安価に得る。
【解決手段】 ゲート酸化膜／チャネルを構成する多結晶シリコン界面の欠陥をフッ素により終端することにより、低温ポリシリコン薄膜トランジスタの高性能化・高信頼化を図ると共に、その効果を最大限に得るため、薄膜トランジスタのチャネル部分に、粒界のポテンシャルバリアによる散乱が支配的ではない材料、すなわちチャネルを分断する粒界が少ない略帯状結晶薄膜ＳＰＳＩを用いる。これにより、急峻な伝達特性と優れたホットキャリア耐性の双方を有し高性能と高信頼性を両立した薄膜トランジスタを実現し、低電力で高速に動作する様々な回路を画素部と同一のガラス基板上に形成することが出来、高機能・多機能システムインディスプレイを安価に得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、剥離可能な半導体基板を形成するための方法に関するものであって、−マイクロキャビティおよび／またはマイクロバブルを含有した脆弱化層（４）を形成し得るような条件下で基板（１）内へとガス種を導入し、これにより、基板の脆弱化層（４）と一表面（２）との間に、半導体材料からなる薄膜を規定し；−基板を熱処理することにより、脆弱化層（４）の脆弱化度合いを増大させ、この場合、この熱処理を、基板（１）の一表面（２）がブリスタといった形態で局所的に変形させる程度のものとし、なおかつ、薄膜の剥離を引き起こさない程度のものとし；−基板の一表面上において半導体材料（６）のエピタキシャル成長を行い、これにより、薄膜上に少なくとも１つのエピタキシャル成長層を形成する。
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【課題】 絶縁膜基板上にシリコン層を形成し、長時間の溶融、再結晶化を行い、高品質多結晶シリコン膜を得る際の多結晶シリコン膜の凝集を回避する。
【解決手段】 絶縁性基板ＧＬＳ上に一層もしくは複数層の下地膜ＵＣＬを設け、この下地膜ＵＣＬに設けた前駆シリコン膜ＰＣＦと接する表面付近を溶融シリコン層の濡れ性が向上するような膜組成を示す絶縁膜ＵＣＬＰとし、レーザ光ＬＳＲで前駆シリコン膜ＰＣＦを溶融させることで凝集を回避して高品質多結晶シリコン膜ＰＳＩを形成する。 （もっと読む）

【課題】安価に、かつ真空状態と同じ程度の状況を作り出して被処理基板の熱処理を行うことができる被処理基板の熱処理方法及びその装置を得ること。
【解決手段】本発明の熱処理装置１は、セル２、窒素ガス源７、フローメータ８、分岐管９、各部を連結するチューブ１０とから構成されている。セル２は被処理面のアモルファスシリコン層２１の表面積よりも遙かに少ない面積の開口部４を備えた円筒状のセル本体３と、その開口部４の外周全周に形成された所定の幅のつば５と、セル本体３の上方に形成された２本のガス注入口６ａ、６ｂとからなる。窒素ガス源７からフローメータ８、分岐管９、２本のガス注入口６ａ、６ｂを通じて窒素ガスをセル本体３内に注入し、その上方からアモルファスシリコン層２１を加熱しながらその層２１上を走査し、ポリシリコン層に変質させている。 （もっと読む）

熱処理装置は、ステージ(216)と、連続波(CW)電磁放射ソース(202)と、一連のレンズ(210)と、並進移動メカニズム(218)と、コントローラ(226)とを備えている。ステージ(216)は、基板(214)を受け取るように構成される。ＣＷ電磁放射ソース(202)は、ステージ(216)に隣接して配置され、基板(214)に向う経路に沿ってＣＷ電磁放射を放出するように構成される。一連のレンズ(210)は、ＣＷ電磁放射ソース(202)とステージ(216)との間に配置されて、ＣＷ電磁放射を基板(214)の表面上におけるＣＷ電磁放射の線(222)へと凝縮するように構成される。
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【課題】消去電圧などの動作電圧について低電圧化が可能であり、低コスト化が可能である半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積層を有するメモリトランジスタが接続された半導体不揮発性記憶装置の製造方法であって、ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板上にチャネル形成領域を有する半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上層に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層の上方にコントロールゲートを形成する工程と、前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 煩雑な光学設計が不要であると共に、戻り光ノイズのない、安定した照射ビームを被照射面に照射することの可能な照射装置を提供する。
【解決手段】 角度可変機構２４を用いてレーザビーム５０を被照射面１Ｓに対して斜めに入射させることで、被照射面１Ｓからの戻り光５０Ｒがレーザ発振器１０へ戻るのを回避する。走査方向に応じて照射角度θ（θＡ，θＢ）を調整するようにしたので、被照射面１Ｓに照射されるレーザビーム５０の強度の非対称性が低減され、被照射面１Ｓの全体に亘って一様な照射をおこなうことができる。これにより、煩雑な光学設計を伴うことなく被照射面１Ｓへ安定したレーザビーム５０を照射することができ、被照射面１Ｓのアニール処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 被照射物に照射するレーザ光の分布と被照射物の温度分布との不一致に起因して結晶性が悪くなるのを抑えて、良好な結晶性が得られるレーザビーム投影マスクを提供する。
【解決手段】 このレーザビーム投影マスク１４は、透過エリアとしての長方形状の３つのスリット２５,２６,２７を有する。この３つのスリット２５,２６,２７は、図２(Ｃ)において矢印Ｘで示すＸ方向に所定の間隔を隔てて順次形成されており、スリット２５、スリット２６、スリット２７の順に上記Ｘ方向の幅が小さくなっている。すなわち、上記透過エリアの透過率は、図２(Ｂ)に示すシリコン膜４の温度分布曲線Ｖ１に対応して変化している。 （もっと読む）

本発明は、シリコン基材上にIV族元素をベースとするエピタキシャル層を化学蒸着により堆積させる方法であって、キャリヤーガスとして窒素または希ガスの一種を使用する、方法を提供する。本発明はさらに、ガス入口（１４）およびガス出口（１６）を有するチャンバー（１２）と、チャンバー（１２）の中にシリコン基材を取り付ける手段（１８）とを備えてなる化学蒸着装置（１０）を提供するが、該装置は、入口に接続され、なおかつキャリヤーガスとして窒素または希ガスを供給するように配置されたガス供給源を包含する。
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