【課題】 スーパーラテラル成長法において、より長くかつばらつきの少ない針状結晶を形成する半導体薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも二種類のレーザ光を前駆体半導体薄膜基板に照射し、前駆体半導体薄膜を溶融再結晶化させて多結晶半導体領域を有する半導体薄膜の製造方法であって、予め定める基準レーザ光を前駆体半導体薄膜基板に照射した部位の反射率の変化に応じて、前記少なくとも二種類のレーザ光の照射のタイミングまたはパワー密度を制御することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体歪み層の製造方法と、シリコンの半導体本体（１１）に、その表面において、シリコンおよびゲルマニウムの混晶の格子と、格子が実質的に緩和されるような厚さとを有する第１の半導体層（１）が設けられ、かつ第１の半導体層（１）の上に、歪みシリコンを含む第２の半導体層（２）が設けられ、その層（２）内に半導体装置（１０）の一部が形成され、半導体装置（１０）を形成するのに必要な後続の処理中に、歪みシリコン層（２）の有効厚さの低減を回避するための手段が取られ、前記手段が、シリコンおよびゲルマニウムの混晶の格子を有する第３の層（３）を使用することを含む、半導体装置（１０）の製造方法とに関する。本発明によれば、第３の層（３）は、薄く、かつ第１の半導体層（１）および第２の半導体層（２）の境界面に近接して第２の層（２）内に位置付けられる。このようにして、歪みシリコン層（２）の結果として得られる厚さは、後続のＭＯＳＦＥＴの形成の後に増加されることができ、その結果、より良好な高周波特性を備えたＭＯＳＦＥＴが得られる。本発明は、また、本発明による方法で得られる装置、およびそのような方法で使用するのに適した半導体基板構造を含む。
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シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法。洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

本発明は、電気的絶縁層と、アモルファス層又は多結晶シリコン層とに順次覆われる可撓性支持材を備える電子回路用基板に関する。前記電気的絶縁層は、多孔性酸化層である。本発明は、可撓性支持材を含む電子回路用基板に関する。本発明は、このような基板を製造する方法にも関する。
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シリコン層（２４，２６，２８）を有する半導体基板を提供する。一実施形態では、基板はシリコン層（２４，２６，２８）の下に位置する酸化物層（１４）を有するシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板（１２，１４，２４，２６，２８）である。シリコン層（２４，２６，２８）の上に非晶質または多結晶のシリコンゲルマニウム層（３２）を形成する。これに代えて、シリコン層（２４，２６，２８）の上部へゲルマニウムを注入して、非晶質シリコンゲルマニウム層（３２）を形成する。次に、シリコンゲルマニウム層（３２）を酸化して、シリコンゲルマニウム層をシリコンジオキサイド層（３４）に変換し、かつシリコン層（２４，２６，２８）の少なくとも一部をゲルマニウムリッチシリコン（３６，３８）に変換する。次に、ゲルマニウムリッチシリコン（３６，３８）を用いるトランジスタ（４８，５０，５２）の形成に先立って、シリコンジオキサイド層（３４）を除去する。一実施形態では、シリコン層（２８）の上、かつ、シリコンゲルマニウム層（３２）の下のパターン形成されたマスキング層（３０）を用いて、ゲルマニウムリッチシリコン（３６，３８）を選択的に形成する。これに代えて、分離領域を用いて、ゲルマニウムリッチシリコンが形成される基板の局所的領域を画定する。
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本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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半導体素子の熱処理システムに関する。本発明は、ＬＣＤまたはＯＬＥＤのような平板ディスプレイパネルに用いられるガラス基板の表面に形成される非晶質シリコン薄膜の結晶化または多結晶シリコン薄膜のドーパント活性化工程を含む半導体素子の熱処理工程において、熱処理温度で半導体素子が変形されないように予め所定の予熱温度まで半導体素子を均一に予熱して移送し、熱処理温度までランプヒータによる加熱と誘導起電力による誘導加熱によってさらに高い温度で早く熱処理を行い、熱処理工程が終わってから移送される半導体素子が変形されない所定温度まで均一に冷却させて排出することで、半導体素子の変形を防止しながら熱処理温度まで段階的に加熱温度を昇温及び冷却させて熱処理が迅速に行われるようにすることを特徴とする半導体素子の熱処理システム。
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レアアース・スカンデートのようなペロブスカイト格子構造を有する絶縁材料の層を含むＳＯＩ（semiconductor on insulator）デバイスである。この絶縁材料（５２）は、この絶縁材料（５２）のすぐ上にダイヤモンド格子を有する半導体材料（５４）を成長させることができる、有効な格子定数を有するように選択される。レアアース・スカンデート絶縁体の例としては、ガドリニウム・スカンデート（GdScO₃）、ジスプロシウム・スカンデート（DyScO₃）、およびガドリニウムとジスプロシウム・スカンデートの合金（Gd_1-xDy_XScO₃）が含まれる。
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【課題】シリコンの活性層を基板から分離する埋め込み絶縁層の活性層の下にある領域の厚さを増加させることによって形成されるシリコン活性層の局所的に歪んだ領域を有するシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイスおよび構造を提供する。
【解決手段】絶縁層の活性層の下にある肥厚領域からその上にある歪んだ領域へと伝達される応力が、活性層の閉じ込められた領域において担体移動度を増加させる。シリコン活性層およびその上に形成されたデバイスは、隔置された歪んだ領域内の担体移動度の増加から恩恵を受けることができる。 （もっと読む）