【課題】絶縁体上歪み半導体（ＳＳＯＩ）基板を作製する方法が提供される。
【解決手段】この方法で、歪み半導体は、あらかじめ形成された絶縁体上半導体基板の絶縁体層の上に直接配置された５０ｎｍ未満の厚さを有する薄い半導体層である。本発明のＳＳＯＩ基板を形成する際に、ウエハボンディングは使用されない。 （もっと読む）

Ｓｉ表面（１５）上において分離層（１１）を貫通するウィンドウ（１３）により、Ｓｉ表面（１５）の選択された領域（１２）を画定するステップ、分離層（１１）の一部によってＳｉ表面（１５）から分離されたくぼみ（１４）を分離層（１１）内に画定するステップ、Ｓｉ表面（１５）の選択された領域（１２）の上にＳｉＧｅ層（１６）を成長させることにより、ウィンドウ（１３）内に転位（１７）を形成してＳｉＧｅ層（１６）内のひずみを開放するステップ、及び、分離層（１１）を越えてくぼみ（１４）内に延びるまでＳｉＧｅ層（１６）を更に成長させることにより、くぼみ（１４）内にＳｉＧｅのほぼ転位のない領域（１８）を形成するステップを含む格子チューニング半導体基板形成方法を提供する。必要に応じて、ＳｉＧｅ層（１６）の、分離層（１１）を越えて成長した部分を研磨によって除去し、くぼみ（１４）内のＳｉＧｅのほぼ転位のない領域（１８）をウィンドウ（１３）内のＳｉＧｅ領域から分離することができる。更に、ＳｉＧｅ層（１６）及び分離層（１１）をくぼみ（１４）の近傍を除くＳｉ表面（１５）から除去し、分離層（１１）部分によってＳｉ表面（１５）から分離されたＳｉＧｅのほぼ転位のない領域（１８）をＳｉ表面（１５）上に残すことができる。
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【課題】 ＭＯＤＦＥＴデバイス構造体の製作における横及び垂直方向の縮小に伴う困難を克服するＭＯＤＦＥＴデバイス構造体の縮小技術を提供する。
【解決手段】 シリコン及びシリコンゲルマニウム・ベースの半導体ＭＯＤＦＥＴトランジスタ・デバイスの設計と製造方法が示される。ＭＯＤＦＥＴの設計は、ＲＦ、マイクロ波、サブミリ波及びミリ波を含むさまざまな通信用途のための、超高速、低ノイズの性能を持った、成長型エピタキシャル電界効果トランジスタ構造を有する。エピタキシャル電界効果トランジスタ構造は、大幅に改善されたＲＦ性能の達成を可能にする、極薄ＳＯＩ又はＳＧＯＩ基板上に最適な変調ドープ・ヘテロ構造を形成するシリコン及びシリコンゲルマニウム層を組込んだ高移動度ひずみｎ−チャネル及びｐ−チャネル・トランジスタのための、極限的な（垂直及び横方向の）デバイス小型化及び層構造設計を含む。 （もっと読む）

ひずみ半導体層を形成するためのプロセス。かかるプロセスは、ウェハを加熱しながら、当該ウェハの上にわたって塩素ベアリングガス（例えば、塩化水素、塩素、四塩化炭層、及び、トリクロロエタン）を流すことを含む。ある実施例では、ひずみ半導体層（例えば、ひずみシリコン）を形成するためのテンプレート層として使用される半導体層に圧縮プロセスをする間、塩素ベアリングガスが流される。他の実施例では、圧縮操作の後、前記ウェハのポストベーク中、塩素ベアリングガスが流される。

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本発明は、支持基板（２０）上に半導体材料の薄層（２”）を備える構造を製造するための方法を提供しており、薄層（２”）は、半導体材料の上部層（２）を備えるドナー基板（１０）から得られ、この方法は、上部層（２）の材料の元素の拡散を受け入れる材料のボンディング層（３）を上部層（２）上に形成する工程と、そのボンディング接着を確実に行うためにボンディング層（３）を洗浄する工程と、あらかじめ上部層（２）上に形成され、そして、洗浄されたボンディング層（３）の側から、支持基板（２０）に対してドナー基板（１０）を接着する工程と、この上部層から上記元素をボンディング層中に拡散して、このボンディング層及び上部層中の上記元素の濃度を均一化し、ボンディング層及び上部層を用いてこの構造の薄層（２”）を構成する工程とを備えることを特徴とする。
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半導体装置基板上に貫通誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層の上部にトレンチ誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層を露出させるため、トレンチ誘電体層を貫通する溝を形成するステップと、基板を露出させるため、前記溝内の貫通誘電体層に貫通孔を形成するステップと、溝内および前記貫通孔内に半導体材料を形成するステップと、を有する方法を示した。装置基板と、該装置基板の表面に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された、装置基板と相間する結晶構造を有する装置基部と、を有する装置を示した。
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【課題】Ｇｅ含有層の下に生成される多孔質シリコンの層（または領域）を酸化することによりＳｉＧｅオンインシュレータを形成する簡単で直接的な方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、正孔を多く含む領域が中に形成されたＳｉ含有基板、およびこのＳｉ含有基板の上のＧｅ含有層を備える構造を提供するステップと、この正孔を多く含む領域を多孔質領域に転換するステップと、実質的に緩和したＳｉＧｅオンインシュレータ材料を提供するために、この多孔質領域を含む構造をアニールするステップとを含む。 （もっと読む）

半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、幅又は厚さ、あるいは径に対して１０倍以上の長さを持つ線状の基材３に所望の薄膜４を１層以上形成している。薄膜４に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 （もっと読む）

ＭＩＳＦＥＴの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造に、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供する。ＭＩＳＦＥＴの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造として、空洞を有するシリコン基板上に、格子緩和シリコン・ゲルマニウム膜／濃度傾斜シリコン・ゲルマニウム膜を形成し、さらにその上に歪みシリコン膜を形成する。これにより、空洞近傍の格子の束縛が緩み、自由度が増すことにより、シリコン・ゲルマニウム膜の薄膜化が実現できるため、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供できる。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料からなる部分と電気絶縁材料からなる部分とを含み、これらの材料が互いにボンディングされた絶縁体上半導体構造に関する。この半導体材料内には弾性応力が存在する。電機絶縁材料からなる部分は、ＳｉＯ_２の粘度温度Ｔ_{ＧＳｉＯ２}を超える粘度温度Ｔ_Ｇを有する。本発明は、絶縁体上半導体構造を作成する方法にも関する。
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