【課題】高い変換効率を有し、高スループットの結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る結晶シリコン系薄膜太陽電池４０の製造方法は、基板上に結晶性シリコン層を有する結晶シリコン系薄膜太陽電池を製造する際に、上記結晶性シリコン層とは異なる材料からなる異種基板１１上に、順に、結晶性シリコン前駆体層１４よりも融点が高い物質で構成される電極層１２、非晶質シリコン又は結晶成分を含む非晶質系シリコンからなる結晶性シリコン前駆体層１４を形成し、その前駆体層１４に半導体レーザのレーザ光２１を照射し、前駆体層１４を溶融・結晶化して上記結晶性シリコン層２４を形成するものである。 （もっと読む）

多段を用いたエピタキシャルラテラルオーバーグロースにより窒化ガリウム基板の成長を行う。開口部領域を有するマスクされた基板上で、選択的成長により最初に三角形ストライプを作成すると、大部分の貫通転位は90°曲がる。第２段では、成長条件を変化させてラテラル成長速度を高め、平坦な(0001)面を生じさせる。この段階で、表面上の転位密度は＜5×10⁷cm^-2である。転位は主に、２つのラテラル成長したファセットがぶつかり合って合体した合体領域に存在する。転位密度をさらに低下させるため、２回目のマスキング工程を開口部が１回目のそれの真上にくるように行う。合体領域の貫通転位(TD)は上層には伝播しない。したがって、転位密度は全表面にわたって＜1×10⁷cm^-2まで低下する。
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【課題】ヘテロエピタキシ用のコンプライアント基板と、ヘテロエピタキシャル構造と、ヘテロエピタキシ用のコンプライアント基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】コンプライアント基板１は、キャリア基板２と、埋込層３と、単結晶の最上層４とを含み、埋込層３は上記キャリア基板２と最上層４との間にあり、最上層の領域及び／又は上記埋込層と上記最上層との間の界面の又はその近傍の領域５が弱められる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】 各駆動薄膜トランジスタの活性層の結晶粒の差によって、そして、駆動薄膜トランジスタの活性層のサイズを変更せずホワイトバランスを合せ、各副画素に最適の電流を供給することによって適正な輝度を得、寿命を短縮させないようにするためのものであって、自己発光素子を備えた複数の副画素を含む画素と、前記各副画素に備えられて少なくともチャンネル領域を有する半導体活性層を備え、前記自己発光素子に各々接続されて電流を供給するものであって、前記活性層の少なくともチャンネル領域が前記副画素別にその結晶粒のサイズまたは形状が相異なるように備えられた駆動薄膜トランジスタと、を含むことを特徴とする平板表示装置。 （もっと読む）

【課題】 駆動用ＴＦＴの活性層の大きさを変更せずに、同じ駆動電圧を加えた状態でもホワイトバランスを合わせられるフラットパネルディスプレイを提供する。また、各副画素に最適の電流を供給することによって適正な輝度を実現し、寿命が長いフラットパネルディスプレイを提供する。
【解決手段】 自発光素子を具備する複数の副画素を含む画素と、前記副画素の各々に備えられた、少なくともチャンネル領域を有する半導体活性層を具備し、前記自発光素子に電流を供給するために前記自発光素子に接続されてなる、駆動用薄膜トランジスタ（２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ）とを含むフラットパネルディスプレイであって、前記半導体活性層のチャンネル領域が、少なくとも２つの前記副画素に関して相異なる方向に配置されてなることを特徴とするフラットパネルディスプレイである。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値を低く抑えながら、オフリーク電流を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内のｐｏｌｙ−Ｓｉ層４にリンを注入することにより、ｎ^＋領域８を形成した後、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域にのみ開口部が存在するレジストマスク９を用いて、ボロンのイオン注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース・ドレイン領域となるｐ^＋領域１０を形成する。次に、レジストマスク９を残存させたまま、水素注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内において、チャネル領域（ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４）及びソース・ドレイン領域（ｐ^＋領域１０）の水素化処理を行う。このような方法によれば、Ｎチャネル型ＴＦＴに対する水素化処理が行われないため、Ｎチャネル型ＴＦＴにおける不要な閾値電圧の遷移が防止され、オフリーク電流の上昇を回避することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板を含み、その上部に少なくとも薄層歪緩和バッファを有し、本質的に３層のスタックから成っている半導体装置に関するものであり、その薄層歪緩和バッファは半導体装置のアクティブ部分でなく、さらに、薄層歪緩和バッファを形成する前記３層が本質的に一定のＧｅ濃度を有することを特徴としている。前記３層は以下の通りである：Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第１エピタキシャル層、ｘはＧｅ濃度である；前記第１エピタキシャル層上の、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ：Ｃの第２エピタキシャル層、Ｃの量は少なくとも０．３％である；前記第２層上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第３エピタキシャル層。

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【課題】 コストが低く歩留まりの高い、引っ張り歪みＳＯＩ層を形成するための方法および引っ張り歪みＳＯＩ層の構造を提供する。
【解決手段】 歪みＳｉベースの層を製造するための方法、この層に製造されるデバイス、ならびに、かかる層およびデバイスを含む電子システムを開示する。この方法は、基板上にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させるステップと、このＳｉＧｅ層において様々なＧｅ濃度を生成するステップを含む。ＳｉＧｅ層内のＧｅ濃度は、Ｇｅ濃度が突然かつ著しく増大する固有のＧｅオーバーシュート・ゾーンを含む。ＳｉＧｅ層上に、Ｓｉベースの層をエピタキシャル堆積させ、これによって引っ張り歪みが与えられる。また、典型的にＳｉまたはＳｉＧｅである歪みＳｉベースの層を、異なるバルク基板または絶縁体に転写可能であることも開示される。 （もっと読む）

【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。 （もっと読む）

【課題】 短い時間で良質の結晶成長をなすことができるポリシリコンの結晶化方法を提供する。
【解決手段】 非晶質シリコン薄膜が蒸着された基板１１０にあって、固定手段とレーザー発生装置間の遮断領域と階段状の透過領域で構成されたマスクにレーザービームを照射して、前記非晶質シリコン薄膜に照射された領域が溶融した領域との界面でグレーンが各々成長して、第１グレーン領域１１４ａと核生成領域と第２グレーン領域１１４ｂで構成された階段状の領域を形成する第１結晶化段階と；前記マスクを横長さだけ移動して、同一な照射した後に再結晶化して、重畳された部分のグレーンが成長して、横方向に新しい結晶領域が形成される第２結晶化段階を含む方法。 （もっと読む）