【課題】形成したポリシリコン膜の状態を、客観的に、非接触で、精度良く、自動的に評価することができるポリシリコン膜評価装置の提供を目的としている。
【解決手段】 アモルファスシリコン膜をアニール処理することによって形成されたポリシリコン膜を評価するポリシリコン膜評価装置１である。ステージ上のポリシリコン膜が形成された基板Ｗに可視光を照射することによって基板Ｗ上のポリシリコン膜の表面画像を撮像してオーフォーカスする可視光観察光学系４や紫外光の照射による紫外光観察光学系６などを備える。そして、紫外光観察光学系によって得られたポリシリコン膜の表面画像からポリシリコン膜の膜表面の空間構造の直線性および周期性を評価し、この直線性および周期性の評価結果に基づき、ポリシリコン膜の状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】 電気特性の優れた多結晶ＴＦＴを提供する。
【解決手段】多結晶膜３を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置４のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒５だけを、しかも所望の結晶面（ファセット）６を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】均一な物性で良質の半導体薄膜を製造することを目的とする。
【解決手段】ビームの形状を板状に変形して、ビームを走査すると同時に半導体薄膜にビームを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 得られる結晶性ケイ素膜中の触媒元素濃度の低減や清浄な活性領域表面及び良好なチャネル界面特性の確保などを実現し得る、非常に高性能で且つ高信頼性の半導体装置を絶縁表面を有する基板上に歩留まり良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法が、縁表面を有する基板上に非晶質ケイ素膜を形成する工程と、該非晶質ケイ素膜の上に絶縁性薄膜を堆積し、該絶縁性薄膜の所定の領域に開口部を形成して、該非晶質ケイ素膜の一部を該開口部を通じて露出させる工程と、該非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素を該絶縁性薄膜及び該非晶質ケイ素膜の上に添加する工程と、該添加された触媒元素のうちで該絶縁性薄膜の上に存在する触媒元素のみを選択的に除去する工程と、加熱処理を行い、該非晶質ケイ素膜の結晶成長を、該触媒元素が添加導入された領域からその周辺領域へ向かって、該基板の表面に対して平行な横方向に行わせ、結晶性ケイ素膜領域を得る工程と、該結晶性ケイ素膜領域を用いて半導体装置の活性領域を形成する工程と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】 微細穴の位置に広範囲に渡って均一性良く量子ドットを形成する。
【解決手段】 予め半導体層１１表面に電子ビーム、ＳＴＭなどのナノプローブを用いて微細穴１２を形成しておき、しかる後に、半導体層１１表面を終端し得るような物資を照射して終端膜１３を表面に形成し、その後に結晶成長法により微細穴１２上にのみ量子ドット１４を形成する。この場合、微細穴を形成する際に、一般に表面が活性化（ダングリングボンドが表面に露呈）され、しかも活性化の度合いは場所的な不均一性を伴うので、そのまま結晶成長を行うと、成長原子の不均一な表面拡散により、形成されるべき微細穴に、必ずしも量子ドットが形成されないという欠点がある。本発明では、前記結晶成長に先立って、終端膜１３で表面を終端することにより、微細穴１２の位置に、広範囲に渡って均一良く量子ドット１４が形成されるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】 シリコンを急速に結晶化する方法、およびアモルファス・シリコンを多結晶シリコンに急速に変質させる方法を提供する。
【解決手段】 ガラス層５５上に、最下部の絶縁層６０と最上部の絶縁層７０との間にはさまれたアモルファス・シリコン層６５をもつ３層構造５０を形成するステップ、最上部の絶縁層を選択的にエッチングして、アモルファス・シリコン層を部分的に露出させるステップ、このアモルファス・シリコン層の露出した部分８０上に金属核層９０を形成するステップ、および休止期間１５によって分離された連続パルス１０を使用する、パルス状の急速な熱アニーリング（ＰＲＴＡ）により、アモルファス・シリコン層を多結晶シリコン層に変質させるステップを含む。 （もっと読む）