【解決手段】セラミック基板上に、厚さ1000A 以上のシリコン窒化単層膜或はシリコン酸化・窒化中間化合物単層膜よりなるバッファ層を配置し、該バッファ層の上面にはシリコン膜を配置し、該バッファ層とシリコン膜との間に有効不純物を含んだシリコン化合物膜或はシリコン膜より高融点の導電性膜からなる第３の膜を設けて上記シリコン膜を溶融・結晶化させるシリコン基体の製造方法。
【効果】薄膜電子デバイスの基板側から不純物の導入が可能となり、或はシリコン膜の裏面でコンタクトをとることができるなどデバイス製造上格別な効果をもたらす。 （もっと読む）

【課題】 高い特性を有する薄膜トランジスタを得る。
【解決手段】 非晶質珪素膜２０３の特定の領域２０５に選択的にニッケル元素を接して保持させる。そして加熱処理を施すことにより、２０７で示されるような基板に平行な方向への結晶成長を行わせる。さらにハロゲン元素を含有した酸化性雰囲気中での加熱処理を施すことにより、熱酸化膜２０９を形成する。この際、結晶性の改善、ニッケル元素のゲッタリングが進行する。そして上記結晶成長方向とソース／ドレイン領域との結ぶ方向とを合わせて薄膜トランジスタを作製する。こうすることで、移動度が２００(cm²／Vs) 以上、Ｓ値が１００(mV/dec)以下というような高い特性を有するＴＦＴを得ることができる。 （もっと読む）

【目的】 結晶性の優れた結晶性珪素膜得る。
【構成】 ガラス基板１０１上に下地膜１０２を成膜し、さらに非晶質珪素膜１０３を成膜する。そして、マスク１０４を用いて開口部１０５において非晶質珪素膜１０３の一部に接して珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケル元素が接して保持された状態とする。そして、６００℃以上の温度で、かつ普通の非晶質珪素膜が結晶化しない条件でもって加熱処理を施し、基板に平行な方向への結晶成長１０８だけを行わせる。このようにすることにより、１００μｍ以上というような長い横成長を行わすことができる。 （もっと読む）

【課題】 非晶質ケイ素膜を結晶化してなる高品質な結晶性ケイ素膜を用いて、高移動度を有する高性能半導体装置を得る。
【解決手段】 ガラス基板１０１の絶縁膜１０２上にシリコンゲルマニウム膜１０３を成膜し、これにエネルギービームを照射して溶融固化過程にて結晶化させた後、その上に非晶質ケイ素膜１０４を成膜し、これを熱処理して、結晶化したシリコンゲルマニウム膜１０３ｃをシードとして、非晶質ケイ素膜１０４を結晶成長させ、該結晶化した結晶性ケイ素膜１０４ｃを用いて、ＴＦＴ１００の活性領域１０４ｉを形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 高品質なＳｉＣが形成された層状基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板と、基板上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された単結晶層とを含む層状構造に関する。単結晶層は、約２００〜２００００オングストロームの厚さを有し、少なくとも第１の元素と誘電体層上の第２の元素の初期単結晶層との化学反応によって形成される。本発明の成功には、第２の元素が、約１００〜１００００オングストロームの初期厚さを有することが重要である。 （もっと読む）

【目的】 光透過性基板等の絶縁性基板上に、結晶性が単結晶ウェハー並に優れたＳｉあるいは化合物半導体単結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基板の作製方法を提案する。
【構成】 多孔質層１２を有する第１の基体１１の前記多孔質層１２上に非多孔質単結晶半導体層１３を形成する工程（ａ），（ｂ）、前記非多孔質単結晶半導体層１３を第２の基体（１４，１５）と貼り合わせる工程（ｃ）、前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層１２において分離する工程（ｄ）、前記分離された第２の基体（１４，１５，１３）上に配された多孔質層１２を除去する工程（ｅ）、及び前記分離された第１の基体１１を構成する多孔質層１２を除去する工程を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。 （もっと読む）

【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、５５０℃程度、４時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、触媒元素の導入量を精密に制御する。
【構成】 ガラス基板１１上に形成された非晶質珪素膜１２上に極薄の酸化膜１３を形成し、ニッケル等の触媒元素を１０〜２００ｐｐｍ（要調整）添加した酢酸塩溶液等の水溶液１４を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー１５を用いてスピンドライを行なう。そして、５５０℃、４時間の加熱処理を行なうことにより、結晶性珪素膜を得る。上記構成において、溶液中の触媒元素の濃度を調整することで、完成した結晶性珪素膜中における触媒元素の濃度を精密に制御することができる。 （もっと読む）

【目的】 基板上に複数のＴＦＴを設けた装置において、必要とする特性を備えたＴＦＴを得る。
【構成】 例えば、アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、周辺回路部分は、基板表面に対して平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用い、画素部分においては、基板表面に対して垂直な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用いる。そして、周辺回路部分においては、高移動度を有するＴＦＴを形成し、画素部分においては、電荷保持率を高めるためにオフ電流の小さいＴＦＴを形成する。 （もっと読む）