【課題】 デバイスのゲートとソースとの間の低い直列抵抗を維持し、同時に、ゲートからドレインへの過剰なオーバーラップによって形成される悪影響を最小限にするＦＥＴデバイスの製造を可能にする。
【解決手段】半導体基板の上に少なくとも１対の隣接して離間配置された、オフセット・スペーサ１１４を備えるゲート構造体１０２の上にスペーサ層１３２を形成するステップであって、ゲート構造体は、スペーサ層がゲート構造体間の領域で第１の厚さで形成され、その他の場所で第２の厚さで形成されるように離間配置され、第２の厚さは第１の厚さより厚い、ステップと、１対の隣接して離間配置されたゲート構造体のオフセット・スペーサに隣接して非対称スペーサ構造体１２４ａ、ｂを形成するようにスペーサ層をエッチングするステップとを含み、非対称スペーサ構造体は、ソース及びドレイン領域の画定において用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶欠陥が少なく、キャリア時定数が十分大きい高品質なエピタキシャルウエハの製造方法と、当該エピタキシャルウエハを用いた半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、（ａ）３×１０¹⁸ｃｍ^-3以下の不純物濃度を有するＳｉＣ基板１２上に、１×１０¹⁴ｃｍ^-3以上１０¹⁶ｃｍ^-3台以下の不純物濃度を有するエピタキシャル層１３をエピタキシャル成長により形成する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）により得られた構造のＳｉＣ基板１２の側から、エピタキシャル層１３のうち所定の厚みを残して、ＳｉＣ基板１２の全部とエピタキシャル層１３の一部とを連続的に除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、不純物を含む基板Ｗの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部１３を備える。プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。設定部１３は、要求される注入深さから主パラメタを設定する第１設定処理と、副パラメタを設定する第２設定処理と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ベースウェーハ上の薄膜、特にはＳＯＩ層の膜厚均一性が向上された貼り合わせウェーハを量産レベルで製造することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 バッチ式イオン注入機を使用したイオン注入工程と、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する剥離工程を有する貼り合わせウェーハの製造方法において、イオン注入工程におけるボンドウェーハへのイオン注入を複数回に分けて行うものとし、各回のイオン注入後に、ボンドウェーハを所定の回転角度だけ自転させ、自転させた配置位置で次のイオン注入を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】転送トランジスタのカットオフ特性を向上する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１に設けられ、かつＮ型領域及びＰ型領域から構成されるフォトダイオード１７と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７から転送された電荷を保持する浮遊拡散層２５と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７に蓄積された電荷を浮遊拡散層２５に転送する転送トランジスタとを含む。フォトダイオード１７のＮ型領域は、第１の半導体領域１４と、第１の半導体領域１４より浅い第２の半導体領域１５とから構成される。第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 （もっと読む）

【課題】極短時間に強い光照射を行う場合であっても、基板の表面温度を求めることができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハーの表面から放射される放射光を受光する光検出素子は、フラッシュランプの発光中（発光開始時刻ｔ_onから発行停止時刻ｔ_offまでの間）は受光強度が検出限界を超えるために、検出機能を喪失する。この間は測定を行わず、時刻ｔ_offにフラッシュランプの発光が停止して光検出素子が検出機能を回復した後に、半導体ウェハーの表面から放射される放射光の強度を測定する。そして、測定された放射光強度に基づいてフラッシュ光照射によって加熱された半導体ウェハーの表面の温度を算定する。このため、フラッシュ光照射のように極短時間に強い光照射を行う場合であっても、それが外乱光となることはなく、半導体ウェハーの表面温度を求めることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。
【解決手段】Ｎ型ＭＩＳトランジスタにおいて、半導体基板３００に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をＮ型の不純物として注入したハロー領域３０６に炭素を共注入して炭素注入層３０７を形成する。これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】引出電極の放電によりイオン源内で生成された複数種類のイオンを含むイオンビームがターゲットに到達して所望イオン以外の質量及びエネルギーをもったイオンがターゲットに注入されないようにする。
【解決手段】イオン源２から引き出されたイオンビームＩＢから特定の質量数及び価数のイオンを選別して導出する質量分離器３と、当該質量分離器３から導出されたイオンビームＩＢを加速又は減速する加速管４と、当該加速管４から導出されたイオンビームＩＢから特定のエネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離器５とを有するイオン注入装置１００の制御方法であって、加速モード運転において加速電圧Ｖ_Ａを０ｋＶとならないように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面だけを加熱し、熱履歴を低減する方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置は、ステージ２１６と、連続波（ＣＷ）電磁放射ソース２０２と、一連のレンズ２１０と、並進移動メカニズム２１８と、コントローラ２２６とを備えている。ステージは、基板２１４を受け取るように構成される。ＣＷ電磁放射ソースは、ステージに隣接して配置され、基板に向う経路に沿ってＣＷ電磁放射を放出するように構成される。一連のレンズは、ＣＷ電磁放射ソースとステージとの間に配置されて、ＣＷ電磁放射を基板の表面上におけるＣＷ電磁放射の線２２２へと凝縮するように構成される。 （もっと読む）

【課題】表面に形成されたデバイスパターンにかかわらず、基板の表面温度を求めることができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】時刻ｔａにフラッシュ光照射を開始してから半導体ウェハーの表面温度と裏面温度とが等しくなった時刻ｔｃよりも後に、放射率が既知である半導体ウェハーの裏面温度を放射温度計によって測定する。その裏面温度と等温の黒体から放射される放射光の強度と、半導体ウェハーの表面から実際に放射される放射光の強度と、に基づいて半導体ウェハーの表面の放射率を算定する。そして、算定された放射率と、フラッシュ光照射が開始された後に測定された半導体ウェハーの表面からの放射光の強度と、に基づいてフラッシュ光照射によって加熱された半導体ウェハーの表面の温度を算定する。 （もっと読む）